基于温和氧等离子体实现硫化钼Ｐ型掺杂的研究

摘要

采用一种处于电容放电模式(E-mode)的温和氧气电容耦合等离子体技术对薄层MoS_2进行处理,实现了P型掺杂。通过光学显微镜、拉曼光谱、X射线光电子能谱和场效应晶体管的转移曲线测试,对MoS_2的掺杂机理进行了分析,发现温和氧气等离子体处理过程中氧和钼能形成Mo-O键,从而提供额外的空穴使其电子浓度下降,最终导致其开启电压变高、输出电流下降,同时氧气的化学吸附诱导在MoS_2层中引入了P型掺杂。此研究为实现MoS_2的P型掺杂提供了新途径。