机译:BF_2〜+注入硅化物/通过硅化物和快速热退火形成NiSi硅化的p〜+ n浅结
Department of Electronics Engineering, National Chiao-Tung University, 1001 Ta Hsueh Road, Hsinchu 300, Taiwan;
NiSi; silicide; shallow junction; thermal stability; agglomeration;
机译:硅化硅前的氟注入抑制镍硅化硅浅结的热致泄漏
机译:通过硅化钛膜注入砷和硼并快速热退火形成浅结二极管
机译:使用注入硅化技术/通过硅化技术和低温炉退火形成硅化钴浅结
机译:通过硅化物注入和低温炉退火形成NiSi硅化的p〜+ n浅结
机译:使用脉冲阴极电弧沉积和快速热退火制备C54钛硅化物薄膜。
机译:快速注热退火后注入低通量Si +的SiO2薄膜在室温下的光致发光位移
机译:采用离子注入和MS系列闪光灯退火的GaAs中浅交界的形成与表征
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。