Si(100)衬底上形成Ni-Co合金硅化物及其特性研究

目录

摘要

Abstract

第一章 前言

1.1 引言

1.2 集成电路接触工艺发展简史

1.3 SALICIDE常用硅化物特性介绍

1.3.1 TiSi_2

1.3.2 CoSi_2

1.3.3 NiSi

1.4 Ni-Co合金硅化物及本论文研究内容

第二章 Ni-Co合金硅化物样品的制备

2.1 Co-Ni合金硅化物薄膜样品的制备

2.1.1 衬底硅片的处理

2.1.2 物理气相淀积(PVD)Co-Ni合金薄膜

2.1.3 对样品进行快速热处理(RTP)

2.2 样品测试方法简介

2.2.1 四探针仪测量薄膜方块电阻

2.2.2 激光拉曼光谱

2.2.3 X射线衍射

2.2.4 透射电子显微镜(TEM)

第三章 Ni-Co合金硅化反应特性研究

3.1 引言

3.2 0%Co-100%Ni 合金硅化反应特性

3.3 25%Co-75%Ni 合金硅化反应特性

3.4 50%Co-50%Ni 合金硅化反应特性

3.5 75%Co-25%Ni 合金硅化反应特性

3.6 100%Co-0%Ni 合金硅化反应特性

3.7 Co-Ni合金硅化物的品格结构和外延性研究

3.8 本章小结

第四章 形成超薄Co-Ni合金二硅化物的反应动力学研究

4.1 引言

4.2 Ni-Co合金硅化反应的动力学解释

4.3 本章小结

第四章 总结和展望

参考文献

硕士阶段取得的学术成果

致谢