epitaxial graphene electronic properties structural properties silicon carbide;
机译:3C–SiC(100)/ Si(100)衬底上外延石墨烯的结构和电子性能研究
机译:透射电子显微镜观察3C-SiC(110)和3C-SiC(100)虚拟衬底上外延石墨烯的生长
机译:3C-SiC(100)/ Si(100)衬底上外延纳米石墨烯的边缘态
机译:对3C-SiC(110)和3C-SIC(100)虚拟基板上的外延石墨烯生长的透射电子显微镜观察
机译:单层石墨烯的电子,振动和结构特性的研究
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:在3C-SiC(100)/ Si(100)基板上的外延石墨烯结构和电子性能研究