在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件

摘要

本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC衬底表面形成石墨烯。应用本发明的方法能够获得连续、均匀、无褶皱的高质量石墨烯，并且由于图形衬底上每个图形的定域性好，有利于对获得的石墨烯进行器件工艺制作，有利于实现晶片尺寸的石墨烯器件和石墨烯器件的广泛应用。