基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件

摘要

本发明公开了一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用半导体SiC作为衬底，通过对SiC衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在SiC上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，便可以直接用于制造各种器件，提高了器件的电学特性，可靠性，降低了器件制造的复杂性。可以生长出具有半导体洁净度的大面积石墨烯材料，可用于无需转移的大面积石墨烯材料的生长制备，并为碳化硅-石墨烯器件的制造提供材料。