机译:电压对比X射线光电子能谱揭示了在SiC的C面和Si面上制造的石墨烯器件中的石墨烯-衬底相互作用
Department of Chemistry, Bilkent University, 06800 Ankara, Turkey;
Department of Physics, Bilkent University, 06800 Ankara, Turkey;
Department of Physics, Bilkent University, 06800 Ankara, Turkey;
Department of Physics, Bilkent University, 06800 Ankara, Turkey;
Institute of Electronic Materials Technology, Wolczynska 133, 01-919 Warsaw, Poland;
Department of Chemistry, Bilkent University, 06800 Ankara, Turkey;
机译:石墨烯-底物相互作用对石墨烯上有机分子构型的影响:并五苯/外延石墨烯/ SiC
机译:界面氮对NO生长的SiO_2 / 6H-SiC金属氧化物半导体器件的高场可靠性的作用:X射线光电子能谱研究
机译:原位X射线光电子能谱与化学气相沉积产生的石墨烯和氮掺杂石墨烯薄膜的锂相互作用
机译:硬X射线光电子能谱研究导带偏移对SiO_2 / 4H-SiC(000-1)击穿电压的影响
机译:通过角分辨X射线光电子能谱,零椭偏法和电容电压测量研究氧化物/硅界面的结构和电学性质
机译:石墨烯纳米薄片基底平面的eptagons通过模拟X射线光电子能谱分析
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