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郝昕; 王泽高; 刘竞博; 田洪军;
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054;
热裂解SiC; 外延石墨烯; 硝酸掺杂; 方阻; 电荷转移; 氧脱附;
机译:在Si上形成外延石墨烯的比较以及C面6H-SiC衬底的工艺和性能
机译:Si和C面6H-SiC衬底上外延石墨烯的形成工艺和性能比较
机译:Si-Face 6H-SiC衬底上的外延石墨烯RF场效应晶体管
机译:Si面和C面6H-SiC上外延石墨烯的比较
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:在6H-SiC的Si和C面上生长的外延石墨烯的微拉曼光谱和微透射成像
机译:邻近6H-siC衬底上外延石墨烯的深紫外拉曼光谱
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:n掺杂的Si和Te同时模制GaP单晶衬底,作为制造方法,作为外延衬底的掺杂剂和
机译:减少石墨烯膜厚度以及从SiC衬底去除和转移外延石墨烯膜的方法
机译:在衬底上产生有源晶体管区的步骤包括在衬底上产生沟槽的掺杂区,产生外延层,在外延层中形成逆向掺杂分布并进一步处理。
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