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在4H/6H-SiC硅面外延生长晶圆级石墨烯的方法

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本发明公开了一种在4H/6H-SiC(0001)硅面外延生长晶圆级石墨烯的方法，主要解决现有在4H/6H-SiC(0001)硅面外延生长石墨烯时，产生的石墨烯面积太小、均匀性不高的问题。其方法是，对4H/6H-SiC(0001)硅面进行清洁处理，以去除表面有机残余物和离子污染物；通入氢气，对4H/6H-SiC(0001)硅面分别进行氢刻蚀，以去除表面划痕，形成规则的台阶状条纹；通入硅烷去除氢刻蚀在表面带来的氧化物；在较低氩气压力环境下，通过加热，蒸发掉硅原子，使得碳原子以sp

著录项

公开/公告号CN102433586A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-02

原文格式PDF
申请/专利权人西安电子科技大学;
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申请/专利号CN201110293632.8
发明设计人张玉明;王党朝;王悦湖;雷天民;张义门;汤晓燕;王航;雷军;
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申请日2011-10-02
分类号C30B25/02;C30B25/18;C30B29/20;C23C16/26;C23C16/02;
代理机构陕西电子工业专利中心;
代理人王品华
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2023-12-18 05:12:52

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-22

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B25/02 申请公布日:20120502 申请日:20111002

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-06-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/02 申请日:20111002

实质审查的生效
2012-05-02

公开

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