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世纪金光成功在SiC衬底上长出直径3英寸石墨烯

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日前，北京世纪金光半导体有限公司在石墨烯材料领域取得突破性成果，首次利用SiC外延生长方法，在3英寸SiC衬底上制成石墨烯二维材料，为实现晶圆级石墨烯商业化规模生产奠定了重要基础!

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《半导体信息》|2016年第5期|P.19-19|共1页
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正文语种 CHI
中图分类 TN304.24;
关键词
SiC 石墨衬底直径金二维材料光半导体生长方法;

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