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1.
High frequency 3C-SiC AFM cantilever using thermal actuation and metallic piezoresistive detection
机译:
采用热激励和金属压阻检测的高频3C-SiC AFM悬臂
作者:
R. Boubekri
;
E. Cambril
;
L. Couraud
;
L. Bernardi
;
A. Madouri
;
David Martrou
;
Sebastien Gauthier
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
piezoresistivity;
electronic lithography;
electrothermal actuation;
cantilever;
AFM;
2.
Consideration on the thermal expansion of 3C-SiC epitaxial layer on Si substrates
机译:
关于Si衬底上3C-SiC外延层热膨胀的考虑
作者:
A. Severino
;
M. Camarda
;
A. La Magna
;
F. La Via
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
XRD measurements;
3C-SiC lattice parameters;
temperature effect;
3.
The influence of C_3H_8 and CBr_4 on structural and morphological properties of 3C-SiC layers
机译:
C_3H_8和CBr_4对3C-SiC层结构和形貌性能的影响
作者:
G.Attolini
;
M.Bosi
;
B.E.Watts
;
G. Battistig
;
L. Dobos
;
B. Pecz
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
silicon carbide;
carbon tetrabromide;
TEM;
4.
Progress in 3C-SiC growth and novel applications
机译:
3C-SiC生长及新应用的进展
作者:
Rositza Yakimova
;
Remigijus Vasiliauskas
;
Jens Eriksson
;
Mikael Syvaejaervi
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
cubic SiC;
nucleation control;
supersaturation;
sublimation growth;
defects;
5.
Elimination of twin boundaries when growing 3C-SiC heteroepitaxial by Vapour-liquid-solid mechanism on patterned 4H-SiC substrate
机译:
在图案化的4H-SiC衬底上通过气-液-固机理消除3C-SiC异质外延生长时的孪晶边界
作者:
J. Lorenzzi
;
N. Jegenyes
;
M. Lazar
;
D. Tournier
;
D. Carole
;
F. Cauwet
;
G. Ferro
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
VLS growth;
3C-SiC heteroepitaxy;
patterned substrate;
twin boundary;
6.
Investigation of Al-Ti ohmic contact to N-type 4H-SiC
机译:
Al-Ti欧姆接触N型4H-SiC的研究
作者:
A.DREVIN-BAZIN
;
J-F.BARBOT
;
T.CABIOCH
;
M-F.BEAUFORT
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
SiC;
Al-Ti contact;
MAX phase;
Ti_3SiC_2;
magnetron sputtering;
7.
Parallel and serial association of SiC light triggered thyristors
机译:
SiC光触发晶闸管的并联和串联关联
作者:
Nicolas Dheilly
;
Gontran Paques
;
Sigo Scharnholz
;
Dominique Planson
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
silicon carbide;
light triggered thyristor;
parallel association;
serial association;
8.
Nano-Analytical and Electrical Characterization of 4H-SiC MOSFETs
机译:
4H-SiC MOSFET的纳米分析和电学表征
作者:
Ana M. Beltran
;
Sylvie Schamm-Chardon
;
Vincent Mortet
;
Matthieu Lefebvre
;
Elena Bedel-Pereira
;
Fuccio Cristiano
;
Christian Strenger
;
Volker Haeublein
;
Anton J. Bauer
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
4H-SiC MOSFETs;
HRTEM;
spatially-resolved EELS, SiC/SiO_2 interface;
hall mobility;
9.
Electrical characteristics of SiC UV-Photodetector device: from the p-i-n structure behaviour to the Junction Barrier Schottky structure behaviour
机译:
SiC UV-光电探测器器件的电气特性:从p-i-n结构行为到结势垒肖特基结构行为
作者:
S. Biondo
;
M. Lazar
;
L. Ottaviani
;
W. Vervisch
;
O. Palais
;
R. Daineche
;
D. Planson
;
F. Milesi
;
J. Duchaine
;
F. Torregrosa
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
10.
On applicability of time-resolved optical techniques for characterization of differently grown 3C-SiC crystals and heterostructures
机译:
时间分辨光学技术在表征不同生长的3C-SiC晶体和异质结构方面的适用性
作者:
P. Scaiev
;
P. Onufrijevs
;
G. Manolis
;
M. Karaliunas
;
S. Nargelas
;
N. Jegenyes
;
J. Lorenzzi
;
G. Ferro
;
M. Beshkova
;
R. Vasiliauskas
;
M. Syvaejaervi
;
R. Yakimova
;
M. Kato
;
K. Jarasiunas
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
cubic silicon carbide;
light-induced transient grating;
free carrier absorption;
doping;
mobility;
carrier lifetime;
carrier trapping;
11.
Graphene/SiC interface control using propane-hydrogen CVD on 6H-SiC(0001) and 3C-SiC(111)/Si(111)
机译:
在6H-SiC(0001)和3C-SiC(111)/ Si(111)上使用丙烷-氢CVD进行石墨烯/ SiC界面控制
作者:
A. Michon
;
E. Roudon
;
M. Portail
;
D. Lefebvre
;
S. Vezian
;
Y. Cordier
;
A. Tiberj
;
T. Chassagne
;
M. Zielinski
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
graphene;
6H-SiC;
3C-SiC/Si;
CVD;
12.
MOCVD Grown AIGaN/GaN Transistors on Si Substrate for High Power Device Applications
机译:
用于大功率器件应用的硅衬底上的MOCVD生长的AIGaN / GaN晶体管
作者:
S. Lawrence Selvaraj
;
Takashi Egawa
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
AlGaN/GaN;
HEMT;
MOCVD;
breakdown voltage;
breakdown field;
buffer leakage;
substrate leakage;
compressive strain;
wafer bowing;
figure of merit;
13.
Investigations on Ni-Ti-AI ohmic contacts obtained on p-type 4H-SiC
机译:
在p型4H-SiC上获得的Ni-Ti-Al欧姆接触的研究
作者:
F. Laariedh
;
M. Lazar
;
P. Cremillieu
;
J.-L. Leclercq
;
D. Planson
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
silicon carbide;
ohmic contact resistance;
nickel;
TLM;
SIMS;
EDX;
14.
Material limitations for the development of high performance SiC NWFETs
机译:
开发高性能SiC NWFET的材料限制
作者:
Konstantinos Zekentes
;
Konstantinos Rogdakis
;
Edwige Bano
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
nanowires;
3C-SiC;
NWFET;
15.
Visible and deep ultraviolet study of SiC / SiO_2 interface
机译:
SiC / SiO_2界面的可见光和深紫外光研究
作者:
Pawet Borowicz
;
Tomasz Gutt
;
Tomasz Matachowski
;
Mariusz Latek
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
silicon carbide (SiC);
raman scattering;
SiC / SiO_2 interface;
carbonic inclusions;
16.
Investigations on the Origin of the Ohmic Behavior for Ti/Al based Contacts on n-type GaN
机译:
n型GaN上Ti / Al基接触的欧姆行为起源研究。
作者:
N. Thierry-Jebali
;
O. Menard
;
C. Dubois
;
D. Tournier
;
E. Collard
;
C.Brylinski
;
F. Cayrel
;
D. Alquier
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
gallium nitride;
ohmic contact;
Ti/Ti;
SIMS;
17.
Evaluation of correct value of Richardson's constant by analyzing the electrical behavior of three different diodes at different temperatures
机译:
通过分析三种不同二极管在不同温度下的电性能来评估理查森常数的正确值
作者:
Muhammad Yousuf Zaman
;
Denis Perrone
;
Sergio Ferrero
;
LucianoScaltrito
;
Marco Naretto
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
schottky diode;
low barrier patch;
richardson constant;
electrical characterization;
18.
GaN-on-Silicon Evaluation for High-Power MMIC Applications
机译:
用于大功率MMIC应用的硅基GaN评估
作者:
A. Pantellini
;
C. Lanzieri
;
A. Nanni
;
A. Bentini
;
W. Ciccognani
;
S. Colangeli
;
E. Limiti
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
GaN-on-silicon;
MMIC;
passive components;
19.
Almost free standing Graphene on SiC(000-1) and SiC(11-20)
机译:
SiC(000-1)和SiC(11-20)上的几乎自由站立的石墨烯
作者:
Bilal Jabakhanji
;
Nicolas Camara
;
Alessandra Caboni
;
Christophe Consejo
;
Benoit Jouault
;
Philippe Godignon
;
Jean Camassel
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
epitaxial graphene;
raman spectroscopy;
magneto transport;
20.
High temperature capability of high voltage 4H-SiC JBS
机译:
高压4H-SiC JBS的高温能力
作者:
M. Berthou
;
P. Godignon
;
Bertrand Vergne
;
Pierre Brosselard
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
silicon carbide;
JBS;
schottky;
diodes;
high voltage;
high temperature;
21.
Design of Digital Electronics for High Temperature using Basic Logic Gates made of 4H-SiC MESFETs
机译:
使用4H-SiC MESFET制成的基本逻辑门设计高温数字电子设备
作者:
M. Alexandru
;
V. Banu
;
M. Vellevehi
;
P. Godignon
;
J. Millan
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
4H-SiC;
high temperature electronics;
SiC MESFETs;
SiC integrated circuits;
22.
Detailed experimental study of mean and gradient stresses in thin 3C-SiC films performed using micromachined cantilevers
机译:
使用微加工悬臂梁进行的3C-SiC薄膜中平均应力和梯度应力的详细实验研究
作者:
Sai Jiao
;
Marcin Zielinski
;
Jean-Francois Michaud
;
Thierry Chassagne
;
Marc Portail
;
Daniel Alquier
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
3C-SiC;
microcantilever;
deflection;
mean stress;
gradient stress;
23.
Fabrication of SiC nanopillars by inductively coupled SF_6/O_2 plasma
机译:
感应耦合SF_6 / O_2等离子体制备SiC纳米柱
作者:
J. H. Choi
;
L. Latu-Romain
;
F. Dhalluin
;
T. Chevolleau
;
B. Salem
;
T. Baron
;
Didier Chaussende
;
E. Bano
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
dry plasma etch;
inductively coupled plasma etching;
silicon carbide;
24.
Mechanical proprieties and residual stress evaluation on heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS application
机译:
MEMS应用异质外延3C-SiC / Si的力学性能和残余应力评估
作者:
R. Anzalone
;
G. DArrigo
;
M. Camarda
;
N. Piluso
;
A. Severino
;
F. La Via
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
residual stress;
epitaxial 3C-SIC;
micro-machined structures;
25.
Comparison of electrical behavior of GaN-based MOS structures obtained by different PECVD process
机译:
不同PECVD工艺获得的GaN基MOS结构的电性能比较
作者:
E. Al Alam
;
I. Cortes
;
T.Begou
;
A. Goullet
;
F. Morancho
;
A. Cazarre
;
P. Regreny
;
J. Brault
;
Y. Cordier
;
M.-P. Besland
;
K. Isoird
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
gallium nitride;
ECR-PECVD;
continuous and pulsed-PECVD;
plasma oxidation;
26.
Microstructure and transport properties in alloyed Ohmic contacts to p-type SiC and GaN for power devices applications
机译:
用于功率器件应用的p型SiC和GaN合金欧姆接触的微观结构和传输特性
作者:
F. Roccaforte
;
A. Frazzetto
;
G. Greco
;
R. Lo Nigro
;
F. Giannazzo
;
M. Leszczynski
;
P. Pristawko
;
E. Zanetti
;
M. Saggio
;
V. Raineri
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
ohmic contacts;
p-type SiC;
p-type GaN;
27.
Transmission-electron-microscopy observations on the growth of epitaxial graphene on 3C-SiC(110) and 3C-SiC(100) virtual substrates
机译:
透射电子显微镜观察3C-SiC(110)和3C-SiC(100)虚拟衬底上外延石墨烯的生长
作者:
Hiroyuki Handa
;
Shun Ito
;
Hirokazu Fukidome
;
Maki Suemitsu
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
graphene;
epitaxial graphene;
3C-SiC;
XTEM;
28.
Graphene nano-biosensors for detection of cancer risk
机译:
石墨烯纳米生物传感器用于检测癌症风险
作者:
Owen J. Guy
;
Gregory Burwell
;
Zari Tehrani
;
Ambroise Castaing
;
Kelly-Ann Walker
;
S.H. Doak
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
graphene;
epitaxial;
SiC;
biosensor;
29.
The influence of gate material, SiO_2 fabrication method and gate edge effect on interface trap density in 3C-SiC MOS capacitors
机译:
栅极材料,SiO_2的制备方法和栅极边缘效应对3C-SiC MOS电容器界面陷阱密度的影响
作者:
T.Gutt
;
T. Malachowski
;
H.M. Przewlocki
;
O. Engstroem
;
M. Bakowski
;
R. Esteve
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
3C-SiC;
interface traps;
C-V;
mechanical stress;
30.
Dose influence on physical and electrical properties of nitrogen implantation in 3C-SiC on Si
机译:
剂量对硅上3C-SiC中氮注入的物理和电学性质的影响
作者:
Xi Song
;
Jerome Biscarrat
;
Anne-Elisabeth Bazin
;
Jean-Francois Michaud
;
Frederic Cayrel
;
Marcin Zielinski
;
Thierry Chassagne
;
Marc Portail
;
Emmanuel Collard
;
Daniel Alquier
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
3C-SiC;
nitrogen implantation;
dose;
ohmic contact;
doping activation rate;
scanning spreading resistance microscopy;
31.
Si~+ Implantation and Activation in GaN Comparison of GaN on Sapphire and GaN on Silicon
机译:
氮化镓中的Si〜+注入和活化蓝宝石上的GaN和硅上的GaN的比较
作者:
Anne-Elisabeth Bazin
;
Frederic Cayrel
;
Mohamed Lamhamdi
;
Arnaud Yvon
;
Jean-Christophe Houdbert
;
Emmanuel Collard
;
Daniel Alquier
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
gallium nitride;
silicon implantation;
specific contact resistance;
32.
Ti thickness influence for Ti/Ni ohmic contacts on n-type 3C-SiC
机译:
Ti厚度对n型3C-SiC上的Ti / Ni欧姆接触的影响
作者:
J. Biscarrat
;
X. Song
;
J.F. Michaud
;
F. Cayrel
;
M. Portail
;
M. Zielinski
;
T. Chassagne
;
E. Collard
;
D. Alquier
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
ohmic contact;
cubic silicon carbide;
kirkendall effect;
conductive AFM;
specific contact resistance;
transfer length method;
33.
Barrier inhomogeneities of a medium size Mo/4H-SiC Schottky diode
机译:
中型Mo / 4H-SiC肖特基二极管的势垒不均匀性
作者:
Muhammad Yousuf Zaman
;
Denis Perrone
;
Sergio Ferrero
;
Luciano Scaltrito
;
Marco Naretto
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
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2011年
关键词:
schottky diode;
low barrier patch;
richardson constant;
electrical characterization;
34.
Comprehensive Analysis of Process Variability on AlGaN/GaN HEMTs through TCAD Simulations
机译:
通过TCAD仿真全面分析AlGaN / GaN HEMT的工艺变异性
作者:
Cristina Miccoli
;
Valeria Cinnera Martino
;
Salvatore Rinaudo
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
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2011年
关键词:
AIGaN/GaN HEMT;
process variability;
process compact model;
TCAD simulation;
35.
Elaboration of monocrystalline Si thin film on 3C-SiC(100)/Si epilayers by Low Pressure Chemical Vapor Deposition
机译:
低压化学气相沉积法在3C-SiC(100)/ Si外延层上形成单晶硅薄膜
作者:
Sai Jiao
;
Marc Portail
;
Jean-Francois Michaud
;
Marcin Zielinski
;
Thierry Chassagne
;
Daniel Alquier
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
monocrystalline;
silicon;
cubic-silicon carbide;
LPCVD;
XRD;
SEM;
36.
Selective β-SiC/SiO_2 core-shell NW growth on patterned silicon substrate
机译:
图案化硅衬底上的选择性β-SiC/ SiO_2核-壳NW生长
作者:
Giovanni Attolini
;
Francesca Rossi
;
Filippo Fabbri
;
Giancarlo Salviati
;
Matteo Bosi
;
Bernard Enrico Watts
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
patterned;
selective growth;
core-shell nanowlres;
SiC;
37.
Structural characterization of heteroepitaxial 3C-SiC
机译:
异质外延3C-SiC的结构表征
作者:
A. Severino
;
R. Anzalone
;
M. Camarda
;
N. Piluso
;
F. La Via
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
3C-SiC characterization;
microstructure;
heteroepitaxy;
38.
CVD growth of 3C-SiC on 4H-SiC substrate
机译:
在4H-SiC衬底上3C-SiC的CVD生长
作者:
Anne Henry
;
Xun Li
;
Stefano Leone
;
Olof Kordina
;
Erik Janzen
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
CVD;
3C/4H;
layer morphology;
double-position-boundaries;
39.
Low Temperature Photoluminescence Investigation of 3-inch SiC Wafers for Power Device Applications
机译:
用于功率器件的3英寸SiC晶片的低温光致发光研究
作者:
H. Peyre
;
J. Sun
;
J. Guelfucci
;
S. Juillaguet
;
J. Hassan
;
A. Henry
;
S. Contreras
;
P. Brosselard
;
J. Camassel
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
4H-SiC;
Al doping;
hot-wall CVD;
low temperature photoluminescence;
40.
Structural characterization of graphene grown by thermal decomposition of off-axis 4H-SiC (0001)
机译:
通过离轴4H-SiC热分解生长的石墨烯的结构表征(0001)
作者:
Filippo Giannazzo
;
Martin Rambach
;
Wilfried Lerch
;
Corrado Bongiomo
;
Salvatore di Franco
;
Emanuele Rimini
;
Vito Raineri
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
graphene;
silicon carbide;
atomic force microscopy;
transmission electron microscopy;
41.
Seeding layer influence on the low temperature photoluminescence intensity of 3C-SiC grown on 6H-SiC by sublimation epitaxy
机译:
晶种层对升华外延生长在6H-SiC上生长的3C-SiC的低温光致发光强度的影响
作者:
G. Zoulis
;
J. Sun
;
R. Vasiliauskas
;
J. Lorenzzi
;
H. Peyre
;
M. Syvaejaervi
;
G. Ferro
;
S. Juillaguet
;
R. Yakimova
;
J. Camassel
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
3C-SiC;
al doping;
sublimation epitaxy;
low temperature photoluminescence;
42.
Characterization of band diagrams of different metal-SiO_2-SiC(3C) structures
机译:
不同金属-SiO_2-SiC(3C)结构的能带图特征
作者:
Krzysztof Piskorski
;
Henryk M. Przewlocki
;
Romain Esteve
;
Mietek Bakowski
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
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2011年
关键词:
silicon carbide;
flat-band voltage;
effective contact potential difference;
MOS structure;
43.
High Quality 3C-SiC Substrate for MOSFET Fabrication
机译:
用于MOSFET制造的高质量3C-SiC衬底
作者:
H.Nagasawa
;
T.Kawahara
;
K.Yagi
;
N.Hatta
;
H.Uchida
;
M.Kobayashi
;
S. Reshanov
;
R. Esteve
;
A. Schoener
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
3C-SiC;
stacking fault;
leakage current;
blocking voltage;
MOSFET;
p-n diode;
annihilation;
termination;
simulation;
anti-phase boundary;
EBIC;
PEM;
44.
Strain field analysis of 3C-SiC free-standing microstructures by micro-Raman and theoretical modelling
机译:
3C-SiC自立式微结构的应变场分析及拉曼理论建模
作者:
Massimo Camarda
;
Nicold Piluso
;
Ruggero Anzalone
;
Antonino La Magna
;
Francesco La Via
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
stress;
hetero epitaxy;
micro-structures;
45.
Study of 3C-SiC mechanical resonators, filters and mixers
机译:
3C-SiC机械谐振器,滤波器和混频器的研究
作者:
Enrico Mastropaolo
;
Rebecca Cheung
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
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2011年
关键词:
silicon carbide;
MEMS;
resonators;
electro-thermal actuation;
mixing;
frequency stability;
46.
Epitaxial Growth of 3C-SiC onto Silicon Substrate by VLS transport using CVD-grown 3C-SiC Seeding Layer
机译:
使用CVD生长的3C-SiC种子层通过VLS传输在硅衬底上外延生长3C-SiC
作者:
Stephane Berckmans
;
Laurent Auvray
;
Gabriel Ferro
;
Francois Cauwet
;
Veronique Souliere
;
Emmanuel Collard
;
Jean-Baptiste Quoirin
;
Christian Brylinski
会议名称:
《HeteroSiC amp; WASMPE 2011》
|
2011年
关键词:
3C-SiC;
SiGe;
VLS transport;
silicon;
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