SiC衬底上近自由态石墨烯制备及表征的研究进展

摘要

石墨烯材料自问世以来,一直处于学界研究的焦点,在微电子器件领域,通过Si C衬底制备的近自由态石墨烯具有较大的应用潜力。本文介绍了Si C热解法制备石墨烯的优势与劣势,说明了近自由态石墨烯制备的原因。综合阐述了目前制备近自由态石墨烯的常用方法,并对比了各种制备方法的特点。最后,概述了近自由态石墨烯的常用表征手段。