SiC基近自由态石墨烯制备及成核机理研究

目录

声明

摘要

1．1引言

1．2研究背景

1．2．1石墨烯的发现

1．2．2石墨烯的结构形态

1．2．3石墨烯的性质

1．2．4石墨烯的制备方法

1．3石墨烯的应用

1．3．1石墨烯电子器件

1．3．2石墨烯光学器件

1．3．3石墨烯太阳能电池

1．3．4石墨烯量子效应器件

1．3．5石墨烯储能器件

1．4 SiC衬底上石墨烯的生长机理

1．5研究现状

1．6选题依据和研究内容

参考文献

第二章SiC衬底上石墨烯的生长流程与表征方法

2．1 SiC衬底上石墨烯的生长流程

2．1．1 SiC衬底的预处理

2．1．2石墨烯的生长

2．2 SiC衬底外延石墨烯的表征方法

2．2．1原子力显微镜

2．2．2开尔文探针力显微镜

2．2．3拉曼光谱

2．2．4扫描电子显微镜

2．2．5低能电子衍射

2．2．6 x射线光电子能谱

2．2．7透射电子显微镜

2．3本章小结

参考文献

第三章新型高温化学气相沉积炉中石墨烯生长参数的探索

3．1石墨烯的生长参数探索

3．1．1氢刻蚀最佳温度的探索

3．1．2石墨烯生长参数的探索

3．2石墨烯的实验表征结果

3．3衬底缺陷对石墨烯生长的影响

3．4本章小结

参考文献

第四章SiC衬底近自由态石墨烯制备及成核机理研究

4．1 SiC衬底上的石墨烯缓冲层

4．2 SIC衬底近自由态石墨烯成核机理及制备研究

4．2．1实验流程

4．2．2结果与讨论

4．3本章小结

参考文献

第五章主要结论、创新点及有待进一步开展的工作

5．2主要创新点

5．3有待进一步开展的工作

攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况

致谢