机译:改进氩辅助外延法在6H-SiC(0001)衬底上生长的外延石墨烯的形貌和结构
机译:研究在4°和8°离轴衬底上生长的氮掺杂4H-SiC外延层的深能级
机译:研究在4°和8°离轴衬底上生长的氮掺杂4H-SiC外延层中的深能级
机译:3C-SIC层的微观结构表征,CVD在4H-SiC基材上外延生长
机译:氢封端的硅(111)和外延生长的石墨烯基板上功能有机物的表征和纳米图案化。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:SiC衬底上生长的外延石墨烯的多维表征,Landau能级和态密度