离子束混合,掺杂硅化物及快速热处理在硅化物自对准工艺中的应用

摘要

文中提出了一种应用于ＣＭＯＳ电路的硅化物工艺。该工艺中硅化物的形成运用了离子束混合技术，掺杂硅化物结合ＲＴＡ推结实现硅化物浅结。并且也研究了与该工艺相关的一些主要问题。特别是：（１）离子束混合及ＲＴＡ对Ｔｉ硅化物的特性及Ｔｉ／ＳｉＯ２间的相互作用的影响；（２）自对准ＴｉＮｘＯｙ／ＴｉＳｉ２形成及相态转变；（３）ＲＴＡ推结时杂质再分布、分凝和结形成的机理；（４）硅化物器件特性及可靠性，结果表明，该工