CMOS电路

摘要： 未来一段时间半导体市场整体是逐渐增长的,尤其是以5G、Al等深度学习芯片以及大数据和云计算等应用推动集成电路芯片需求的不断增长,摩尔定律的发展可以看作是栅极沟道尺寸不断缩小的过程,其CMOS电路制备工艺中快速热退火RTP技术的热预算和温度控制的局限性不能满足其制作需求,而更加精确的温度控制与更高热预算特性的激光退火技术必将在CMOS先进器件中具有广阔的前景.

摘要： 未来一段时间半导体市场整体是逐渐增长的,尤其是以5G、Al等深度学习芯片以及大数据和云计算等应用推动集成电路芯片需求的不断增长,摩尔定律的发展可以看作是栅极沟道尺寸不断缩小的过程,其CMOS电路制备工艺中快速热退火RTP技术的热预算和温度控制的局限性不能满足其制作需求,而更加精确的温度控制与更高热预算特性的激光退火技术必将在CMOS先进器件中具有广阔的前景。

摘要： 本文基于电流型CMOS电路的特点,结合三变量函数分类方法以及和图转化方法,提出能够实现C48,C58,C68,C78类三变量函数的新型算法.基于该新算法,任意的三变量函数都能通过单个电流型CMOS电路单元实现.设计实例表明:所设计的电路都具有正确的逻辑功能和良好的瞬态特性.

摘要： 本文在分析了电流型CMOS电路的物理结构特点后,定义了适用于电流型CMOS电路设计的运算及电路结构.针对二变量三值电流型CMOS电路,引入了函数基本项及其和图.然后通过和图分解,将多值逻辑函数分解为适合电流型CMOS电路实现的子函数,从而得到对应电路.举例说明了分解过程和具体二变量三值电流型CMOS电路的设计过程.设计结果表明了该算法的有效性和可操作性.

摘要： By studying the SHA-3 algorithm and Look-Up-Table (LUT) method,a high speed and low hardware cost circuit scheme has been proposed.Firstly,the state machine is used to implement the round operation,which is the core replacement function of SHA-3 algorithm.The data exchange and data storage of each round operation are processed by LUT method.Then,the hardware module parallel processing and storage unit sharing techniques are used to improve operation frequency and to reduce the hardware cost.Finally,the SHA-3 algorithm is designed using SMIC 65 nm CMOS process.DC synthesis shows that the area of circuit is 65 833 μm2.The maximum operating frequency is 150 MHz and power consumption is 2.5 mW at 1.2 V.%通过对SHA-3算法和查找表(Look-Up-Table,LUT)方法的研究,提出一种高速低硬件开销SHA-3算法设计方案.首先,该方案利用状态机实现SHA-3算法核心置换函数的轮运算,并结合LUT方法处理每轮运算的数据交换和数据存储;然后,采用硬件模块并行处理和存储单元共用的方式,提高SHA-3算法的速度、降低硬件开销.最后,在SMIC 65 nm CMOS工艺下设计SHA-3算法,DC综合后电路面积为65 833 μm2,在1.2V电压下最高工作频率可达到150 MHz,功耗为2.5 mW.

摘要： 随着集成电路技术的不断发展,功耗带来的挑战也日益突出,因此各种节能方法被不断地提出.基于以上所提及的功耗问题,提出一种绝热式渐次充电技术,它能够有效地降低CMOS电路中的能量损耗,达到节能的目的,同时还能降低电路中信号传播时延.这种绝热式渐次充电驱动器是由若干电容、直流电源和相关MOSFET组成的,在这种电路中,渐次式电压的产生几乎不消耗能量.为了凸显该技术的优势,将这种方法与传统的变化电压降低功耗的方法进行比较,经过最终的仿真对比发现该技术比传统的变化电压节能方法在能耗上大幅度降低,与此同时电路中信号传播时延也相应地得以降低.%With the development of integrated circuit technology,the challenge brought by power dissipation has become more prominent,and many power-efficient methods have been proposed. Since the situation exists,an adiabatic stepwise charg-ing technique is put forward in this paper,which can effectively reduce power dissipation in CMOS circuit to achieve the goal of energy conservation and can also reduce time delay of signal propagation in circuit. This adiabatic stepwise charging driver is composed of some capacitors,DC power supply and related MOSFET. The stepwise voltage hardly consumes energy in this cir-cuit. In order to highlight the advantages of the technology,this method is compared with the traditional one. The simulation re-sults show this technology can reduce energy dissipation more than the traditional methods,and decrease the time delay of sig-nal propagation in circuit.

摘要： 结合电路老化检测原理与温度补偿方法(Temperature Compensation Method,TCM),提出了一种具有抗温度漂移特性的老化传感器电路方案.该方案首先根据晶体管的温度补偿,设计温度不敏感的TCM延迟单元;然后结合被测组合电路的老化冗余时间,利用TCM延迟单元级联方式实现参考老化延迟电路;最后将老化延迟检测电路的输出和参考延迟电路的输出进行时序比较,判断电路是否处于老化状态.在SIMC 65nm CMOS工艺下仿真验证,结果表明所设计的老化传感器功能正常,在-40~120°C之间稳定性达到98%.

摘要： 为了提高CM OS电路的能耗转化效率,设计了基于嵌入式系统的低能耗CM OS电路.根据CM OS电路中硬件电路的动态能耗和静态能耗产生的条件,嵌入式系统分别采用点对点休眠和硬件层参数管理的方式进行控制,大幅度降低了CM OS电路的平均能耗.仿真实验结果表明,该电路可以提高静态能耗的转化效率,在动态能耗的处理中具有良好的动态收敛性.%In order to improve the energy consumption and conversion efficiency of CM OS circuits ,this paper designed a CMOS circuit with low energy consumption based on embedded system .Embedded system adopted the method of point to point sleep and hardware layer parameter management respectively to control energy consumption on condition for dynamic energy consumption and static energy consumption of hardware circuits in CMOS circuits ,it could substantially decrease the average energy consumption of CM OS circuit .Simulation results show that this circuit can improve the conversion efficiency of static energy consumption ,and has good dynamic convergence in the process of dynamic energy consumption .

摘要： 设计了一种单片集成温湿度传感器的制造工艺，将CMOS信号处理电路和温湿度传感器集成在同一芯片上.采用聚酰亚胺作为感应环境湿度的敏感材料，并对温湿度传感器的敏感电容进行对比测试分析。对聚酰亚胺厚度为1.7μm和2.4μm的两种湿度传感器，将环境温度保持在25°C，使相对湿度从35％上升至90％，测试灵敏度分别为0.8fF/％RH和1.5fH/%RH，提高了将近1倍。另外，如果开启多晶硅加热电路，可显著改善湿度传感器的迟滞特性.

摘要： 设计了一种单片集成温湿度传感器的制造工艺，将CMOS信号处理电路和温湿度传感器集成在同一芯片上.采用聚酰亚胺作为感应环境湿度的敏感材料，并对温湿度传感器的敏感电容进行对比测试分析。对聚酰亚胺厚度为1.7μm和2.4μm的两种湿度传感器，将环境温度保持在25°C，使相对湿度从35％上升至90％，测试灵敏度分别为0.8fF/％RH和1.5fH/%RH，提高了将近1倍。另外，如果开启多晶硅加热电路，可显著改善湿度传感器的迟滞特性.

摘要： 设计了一种单片集成温湿度传感器的制造工艺，将CMOS信号处理电路和温湿度传感器集成在同一芯片上.采用聚酰亚胺作为感应环境湿度的敏感材料，并对温湿度传感器的敏感电容进行对比测试分析。对聚酰亚胺厚度为1.7μm和2.4μm的两种湿度传感器，将环境温度保持在25°C，使相对湿度从35％上升至90％，测试灵敏度分别为0.8fF/％RH和1.5fH/%RH，提高了将近1倍。另外，如果开启多晶硅加热电路，可显著改善湿度传感器的迟滞特性.

摘要： 设计了一种单片集成温湿度传感器的制造工艺，将CMOS信号处理电路和温湿度传感器集成在同一芯片上.采用聚酰亚胺作为感应环境湿度的敏感材料，并对温湿度传感器的敏感电容进行对比测试分析。对聚酰亚胺厚度为1.7μm和2.4μm的两种湿度传感器，将环境温度保持在25°C，使相对湿度从35％上升至90％，测试灵敏度分别为0.8fF/％RH和1.5fH/%RH，提高了将近1倍。另外，如果开启多晶硅加热电路，可显著改善湿度传感器的迟滞特性.

摘要： 设计了一种单片集成温湿度传感器的制造工艺，将CMOS信号处理电路和温湿度传感器集成在同一芯片上.采用聚酰亚胺作为感应环境湿度的敏感材料，并对温湿度传感器的敏感电容进行对比测试分析。对聚酰亚胺厚度为1.7μm和2.4μm的两种湿度传感器，将环境温度保持在25°C，使相对湿度从35％上升至90％，测试灵敏度分别为0.8fF/％RH和1.5fH/%RH，提高了将近1倍。另外，如果开启多晶硅加热电路，可显著改善湿度传感器的迟滞特性.

摘要： SOC芯片设计在集成电路设计中占据重要位置，低功耗设计是SoC设计过程中的重要环节。本文首先全面分析了CMOS电路的功耗组成和功耗估计的相关理论，随后从各个设计层次详细分析了SOC芯片低功耗设计的理论及其实现方法。

摘要： SOC芯片设计在集成电路设计中占据重要位置，低功耗设计是SoC设计过程中的重要环节。本文首先全面分析了CMOS电路的功耗组成和功耗估计的相关理论，随后从各个设计层次详细分析了SOC芯片低功耗设计的理论及其实现方法。

摘要： SOC芯片设计在集成电路设计中占据重要位置，低功耗设计是SoC设计过程中的重要环节。本文首先全面分析了CMOS电路的功耗组成和功耗估计的相关理论，随后从各个设计层次详细分析了SOC芯片低功耗设计的理论及其实现方法。

摘要： SOC芯片设计在集成电路设计中占据重要位置，低功耗设计是SoC设计过程中的重要环节。本文首先全面分析了CMOS电路的功耗组成和功耗估计的相关理论，随后从各个设计层次详细分析了SOC芯片低功耗设计的理论及其实现方法。

摘要： 本工作从实验测量、模拟计算、理论分析几方面研究半导体器件的在不同脉冲宽度下的辐射损伤规律.对三种半导体器件进行了不同脉冲宽度下的瞬时辐射损伤实验测量,实验测量结果表明,辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低;建立了2 μm CMOS 反相器的模型,对其辐射效应进行了模拟计算,得到了闩锁阈值与脉冲宽度的关系曲线;从瞬时辐射损伤机制入手,对辐射损伤的脉冲宽度效应进行了物理分析和模拟计算,给出了不同损伤机理下辐射损伤与脉冲宽度的关系;结合实验测量结果、模拟计算结果及物理分析,初步得出了半导体器件瞬时辐射损伤的脉冲宽度效应数学表征.

摘要： 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。

摘要： 一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器，包括第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在一个曝光周期内开启关闭两次；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；第一存储节点，与第一传输晶体管的输出端耦接；第二存储节点，与第二传输晶体管的输出端耦接。上述方案能够减少CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，提高CMOS图像传感器的动态范围。

摘要： 本发明的各实施方式提供了一种CMOS延迟电路以及抑制CMOS延迟电路温漂的方法。通过在任意两个相邻且串联的CMOS反相器之间加入延迟单元，可以有效地将CMOS延迟电路的温漂控制在理想范围之内，从而满足实际电路设计中可能存在的对温漂的高精度要求。

摘要： 本发明涉及CMOS结构和处理CMOS结构的方法以及包括至少CMOS电路的处理器。公开了一种CMOS结构，其中两种类型的FET器件均具有包含高k介质的栅极绝缘体、以及包含金属的栅极。单独调整所述两种类型的器件的阈值。对于一种类型的器件，通过将所述高k介质暴露到氧来设定其阈值。在氧暴露期间，使用应力介质层覆盖另一种类型的器件，所述应力层还会阻止氧穿透到另一种类型的器件的高k栅极介质。还通过将NFET和PFET器件两者的所述栅极的有效功函数调整为接近带边值来进一步提高所述CMOS结构的高性能。

摘要： 公开了一种CMOS晶体管、驱动液晶像素的电路及CMOS传输门，该CMOS传输门包括：NMOS晶体管(300)、PMOS晶体管(310)以及电容器(320)；该NMOS晶体管(300)的源极和该PMOS晶体管(310)的源极耦合作为输入端(351)，该NMOS晶体管(300)的漏极和该PMOS晶体管(310)的漏极耦合作为输出端(362)；该电容器(320)的一端接地，另一端耦合该输出端(362)；该PMOS晶体管(310)的衬底(341)的电压与该输出端的(362)电压相等。该CMOS传输门，可以有效缓解CMOS传输门关断后的漏电问题以使其输出的信号在较长的时间内基本保持不变。

摘要： 本发明涉及一种CMOS光电二极管及集成外围电路的CMOS光电二极管的制造方法，所述CMOS光电二极管包括：衬底，具有第二导电类型；第一阱区，具有第一导电类型，设于所述衬底内；第二阱区，具有第二导电类型，设于所述第一阱区内；红外窗口，形成于所述第二阱区的上表面；第一阱区接触区，具有第一导电类型，设于所述第一阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第一阱区的掺杂浓度；第二阱区接触区，具有第二导电类型，设于所述第二阱区上表面处，且掺杂浓度大于所述第二阱区的掺杂浓度；氧化绝缘结构，包括设于所述第一阱区与第二阱区的交界处、所述第一阱区接触区与第二阱区接触区之间的第一结构。本发明可以增大红外窗口区的宽度，提高光电转换效率。

摘要： 一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器，包括第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在一个曝光周期内开启关闭两次；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；第一存储节点，与第一传输晶体管的输出端耦接；第二存储节点，与第二传输晶体管的输出端耦接。上述方案能够减少CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，提高CMOS图像传感器的动态范围。

摘要： 本实用新型公开了一种CMOS器件保护电路和CMOS电路。该CMOS器件保护电路设置在干扰源电路和CMOS器件输入电路之间，在所述干扰源电路产生大能量的干扰电压时，所述CMOS器件保护电路可对所述CMOS器件输入电路进行保护，从而避免所述CMOS器件输入电路中的CMOS器件受到所述大能量的干扰电压的干扰。其中，所述CMOS器件保护电路包括：能量转化电路，或能量泄放电路，或能量吸收电路，能够以多种形式实现。

摘要： 本实用新型公开一种硅栅NMOS器件、硅栅CMOS器件以及CMOS电路。其中该硅栅NMOS器件包括：衬底；位于衬底中的阱区；该阱区包括有源区以及用于隔离有源区的场区，其中有源区包括源区、漏区、位于源区与漏区之间的沟道区，场区处形成有场氧化层；位于阱区中的P+保护环，P+保护环在衬底上的正投影覆盖有源区和氧化层的交界在衬底上的正投影，且P+保护环分别与源区和漏区间隔开。本实用新型提供的硅栅NMOS器件，通过在阱区内设置P+保护环，避免辐射环境下“鸟嘴区”硅表面反型，解决了因辐照所导致的静态功耗急剧增大甚至失效问题。

摘要： 本实用新型公开一种抗辐射CMOS传输门，其包括两个串联连接的传输门。其中，两个传输门中的PMOS管和NMOS管的衬底分别相连并悬空。本实用新型还公开一种包括上述CMOS传输门的CMOS电路。在本实用新型中，当在辐照条件或者单粒子效应条件下传输门中输入端的电压稍高于电源电压时，电流不会灌入电源或者地中，保证了传输门的正常工作，提高了抗辐射能力，使得传输门及包含该传输门的CMOS电路满足在辐射环境中的使用要求。