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在具有极小尺寸的结构中实现硅化物、锗化物或锗硅化物形成的工艺和放大工艺窗口的方法

摘要

提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中,提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物,其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。

著录项

  • 公开/公告号CN103348458B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN201280007822.1

  • 申请日2012-02-02

  • 分类号H01L21/44(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静;杨晓光

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:34:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-17

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/44 登记生效日:20171030 变更前: 变更后: 申请日:20120202

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-02-03

    授权

    授权

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/44 申请日:20120202

    实质审查的生效

  • 2013-10-09

    公开

    公开

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