硅化物

摘要： 采用原位技术制备了体积分数5％的TiB增强钛基复合材料(Ti-6Al-5Zr-0.8Si).通过光学显微镜(OM)、透射电镜(TEM)和室温拉伸等实验手段研究了不同变形量(n=1.71,2.12,2.53)热加工后复合材料的组织和力学性能.结果表明:随着变形量的增加,沿轧制方向的小角度TiB晶须密度快速增加,TiB纤维长径比逐渐降低.相比于铸态的复合材料,热加工后(n=2.53)纤维的分布密度值(θ接近于0)提高了约6.4倍,长径比降低了约59％;复合材料的原始β晶粒和α板条块尺寸随着变形量的增加而减小.热加工后(n=2.53)的β晶粒尺寸约为铸态晶粒尺寸的1/5.室温拉伸试验数据表明,相比于铸态复合材料,热加工后的复合材料(n=2.53)的屈服强度提高了约16％.时效热处理后复合材料内部析出了两种形态的硅化物沉淀,在两种增强体的强化作用下,复合材料的屈服强度比铸态提高了约21％.

摘要： 难熔金属合金具有熔点高、高温强度高和加工性能良好等优点,被广泛用于航空航天、核工业等领域,但其高温抗氧化性能较差,涂覆高温抗氧化涂层是解决难熔金属合金热/氧防护问题的有效方式.概述钼、铌、钽、钨、铼等五种难熔金属合金国内外常用合金牌号及其主要性能,总结这五种难熔金属合金的高温抗氧化涂层常用体系、制备方法及其高温抗氧化性能,并提出多组元成分设计、复合梯度结构设计以及制备方法组合优化将是涂层研发的发展方向,有望逐步满足难熔金属合金各类热端部件的高温防护需求.

摘要： 硅,有晶态和无定形两种形式,常被用于半导体材料和配制合金。高纯的单晶硅是重要的半导体材料;纯二氧化硅则可以拉制出高透明度的玻璃纤维;硅化物金属陶瓷耐高温,富韧性,可以切割,是宇宙航行的重要材料……总之,硅及其化合物性能优异,对于人类文明的发展有着重要的贡献。

摘要： 专利号:201721915620.3专利类型:实用新型提供了一种针对酸再生系统进料管线管径变小,机组处理能力下降等问题,采取增加碱溶液储罐利用停机时间对进料管线进行相应碱洗,从而清除进料管线的硅化物及其他杂质,保证进料管线的通量,从而提高机组处理能力的去除酸再生系统进料管线结晶的循环系统。

摘要： 铌及其合金具有熔点高、密度适中、易焊接、高温强度和可加工性能良好等特点,被认为是理想的应用在1200～1500°C高温结构热端部件的候选材料,但其较弱的抗氧化性能是工程化应用的瓶颈.综述了铌及其合金的高温氧化特点和热防护方法,指出涂层方法是铌及其合金走向工程化应用的关键.介绍了近年来应用于铌及其合金表面的抗氧化涂层体系,其中硅化物涂层热防护体系因其表面能形成分布均匀、组织稳定且热扩散速率低的硅酸盐玻璃而抗氧化性能优异.总结了硅化物涂层的主要制备方法和组织特点,并对所得涂层的抗氧化性能进行了分析对比,指出抗氧化硅化物涂层的制备技术复合化是未来发展的方向.抑制硅化物涂层与铌及其合金基体的反应互扩散,进一步提高抗氧化硅化物涂层的使用温度,增加涂层的隔热性能、降低涂层的热发射率是未来亟待解决的问题.

摘要： 第一次系统研究了一种在水热条件下制备三维石墨烯/MoS2 (3D-G/MoS2)组装体的新方法,突破了冷冻干燥得到气凝胶的传统方法,创新性地引入正硅酸乙酯,通过硅化物填充实现3D-G/MoS2气凝胶的制备,建立了最佳的稳定制备工艺.该方法不需要添加化学交联剂,简单、可控性高.经X射线衍射、红外光谱、扫描电镜、透射电镜、热重分析和拉曼光谱检测分析表明,制备的3D-G/MoS2样品具有密度低、孔隙率高、机械强度高和稳定性高的特点.与其他方法相比,此制备工艺具有较好的稳定性和重复性,可为构筑其他金属硫化物与石墨烯组装体复合物及其应用研究提供借鉴.

摘要： This research aims to prepare high quality powder of Ti-6.5Al-1.4Si-2Zr-0.5Mo-2Sn,which lays foundation for the following preparation of powder high temperature titanium alloy component. Ti-6.5Al-1.4Si-2Zr-0.5Mo-2Sn alloy ingots were prepared by vacuum arc remelting (VAR).The chemical compositions of ingots were examined.The loss of alloy elements,uniformity of composi-tion,phase composition and microstructure of titanium alloy ingots were analyzed.Then powders were prepared by plasma rotating electrode process (PREP)with different rotating speeds.Alloy powders were sieved into different particle sizes.The relationship between rotating speed and physical and chemical properties of powder was studied.X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscope (SEM)and metallurgical microscope(OM)were used to investigate the phase composition,morpholo-gy and microstructure of the powder.The results show that the composition distribution of titanium alloy ingot prepared by VAR is uniform and the content of alloy elements meets the requirements of national standard,through a unique pressing electrode.Microstructure of the ingot is lamellar struc-ture with small amounts of silicide particles disperse in the matrix.The size distribution of the pow-ders made by PREP method exhibits the normal distribution.The sphericity of the powder is excel-lent,and no hollow ball and satellite ball exists.With the increase of rotating speed,the proportion of small particles increases dramatically,the proportion of large particles decreases greatly.The phase composition of powder is mainly α′phase,and it is mainly composed of peritectic and small amount of dendrite structures.Compared with the alloy ingot,the elements of the powders have a slight loss, the content of O is less than 0.1%,which is beneficial to obtain high-performance powder titanium alloy.%旨在制备高品质Ti-6.5Al-1.4Si-2Zr-0.5Mo-2Sn粉末,为后续粉末高温钛合金构件的制备奠定基础.首先采用真空自耗电弧熔炼(VAR)技术制备Ti-6.5Al-1.4Si-2Zr-0.5Mo-2Sn合金铸锭,对铸锭进行化学成分检测,并分析其合金元素损耗、成分均匀性以及显微组织和物相组成.利用制得棒料,采用等离子旋转电极雾化法(PREP),选取不同转速制备得到钛合金粉末,将粉末筛分成不同粒度范围.研究了棒料转速与粉末理化性能间的关系.采用X射线衍射分析仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、金相显微镜(OM)分别分析了粉末的物相组成、形貌和微观组织.研究表明:通过独特的压制电极设计,可制得成分均匀、元素损耗小的钛合金铸锭,且各合金元素含量满足国标的要求.铸锭微观组织为层片状结构,基体中存在少量大小不均的Ti5 Si3硅化物相.PREP法制得的钛合金粉末呈正态分布,且球形度好,无空心球和卫星球.随着转速增加,小颗粒粉末占比增加,大颗粒粉末占比大幅度降低.粉末颗粒以胞状组织为主,存在少量的枝晶.合金粉末主要由α′马氏体相组成.相比合金铸锭,粉末中各合金元素略有损耗,O元素质量分数小于0.1%,有利于制得高性能的粉末钛合金.

摘要： 采用真空电子束和电弧炉熔炼制备Nb–Ti–Al基合金,采用料浆熔烧法在合金表面制备Si–Cr–W涂层。在1250°C下对涂层进行氧化测试,通过扫描电镜、能谱分析方法分析涂层测试前后的微观形貌变化以及成分分布。分析结果显示,涂层由Nb、Ti、Cr、W等金属硅化物组成,依靠金属硅化物的氧化分解形成SiO_2和复合金属氧化物来实现对合金的高温氧化防护。在氧化测试100 h以后,涂层外层因氧化而疏松,但内层未被氧化依然致密,说明该涂层具有良好的高温抗氧化能力。

摘要： 研究了Ti-38644合金中的硅化物的溶解和析出行为及其对室温拉伸性能的影响,并利用扫描电镜和透射电镜对显微组织、析出相及拉伸断口进行了观察和分析.结果表明:合金中的杂质Si导致(TiZr)6Si3硅化物的形成.在700～950°C之间固溶1h后,合金中的硅化物随固溶温度升高逐渐溶解,而950°C固溶样品中未观察到硅化物.由于硅化物溶解和β晶粒长大,800～950°C之间固溶后的合金强度随固溶温度增加而降低.合金经1100°C固溶1h,再经750～900°C时效1h后,硅化物在晶界处析出,而在700°C和950°C时效1h的样品中未见硅化物的析出.800～950°C之间时效后的合金强度基本不变,晶界硅化物对合金拉伸强度影响不大,但显著降低合金塑性,断裂模式为脆性断裂.

摘要： 利用TEM实验技术系统观察了BT25y高温钛合金硅化物在不同固溶温度处理后及不同温度热暴露过程中的析出行为,结合Calphad相图技术研究了该合金硅化物的析出机制.在990、940和860°C固溶处理后的试样中均观察到大颗粒的(Ti,Zr)5Si3结构硅化物,在940°C固溶处理后的试样中还观察到大颗粒的(Ti,Zr)6Si3结构的硅化物.在990°C,1h、AC和940°C,1hAC固溶处理后,在经700°C热暴露的试样中在初生等轴α相和条状α相中都有大量的细小弥散颗粒的(Ti,Zr)6Si3硅化物的析出,在热暴露温度下随着热暴露时间的延长,(Ti,Zr)6Si3硅化物的析出有一个成核长大的过程.微电子衍射分析表明,小颗粒的(Ti,Zr)6Si3硅化物和基体初生α相之间满足[1230]S2//[0111]α、(2111)S2//(1010)α晶体学取向关系.

摘要： 研究Ti-600合金d140mm镦制饼材固溶时效(STA)处理以及600°C热暴露100h后毛坯热暴露与试样热暴露试样的室温拉伸性能,结合显微组织等的分析,探讨析出的硅化物对合金热稳定性能的影响.结果表明:600°C热暴露100h后,毛坯热暴露试样的强度较STA的稍有提高,伸长率减少20.4％.试样热暴露试样的抗拉强度降低1％左右,伸长率降低49％左右.在600°C热暴露100h的过程中,合金内析出杆状不均匀分布的S2型硅化物,可使合金高温长时暴露后塑性明显下降.

摘要： 研究Ti-600合金dl40mm镦制饼材固溶时效(STA)处理以及600°C热暴露100h后毛坯热暴露与试样热暴露试样的室温拉伸性能,结合显微组织等的分析,探讨析出的硅化物对合金热稳定性能的影响.结果表明:经600°C热暴露100h后,毛坯热暴露试样的强度较STA的稍有提高,伸长率减少20.4％.试样热暴露试样的抗拉强度降低1％左右,伸长率降低49％左右.在600°C热暴露100h的过程中,合金内析出杆状不均匀分布的S2型硅化物,可使合金高温长时暴露后的塑性明显下降.

摘要： 主要阐述了1000MW超超临界直流锅炉机组在启动调试运行期间硅化物的来源与危害，以及从各个方面介绍了洗硅的有效方法和措施，通过这些方法和措施可使蒸汽硅尽早达标，保证机组安全稳定运行．旨在为火电厂基建试运期间快速洗硅提供借鉴。

摘要： 随着越来越严格的环境法规实施，各国不仅对油品中含硫/氮化合物严格控制，而且也对芳烃含量的要求越来越低。如欧洲车用柴油标准的芳烃含量已由2000年的11％降至1％。本文介绍了作者在过渡金属硅化物催化新材料选控制备及芳烃加氢性能的最新结果，以及过渡金属磷化物上萘催化加氢的研究。

摘要： 采用OM、SEM、TEM等手段对材料显微组织进行观察分析,研究时效处理和热暴露处理对α2相和硅化物析出状况的影响.结果表明:时效处理使两相区同溶合金组织中贫溶质的β相分解出二次次生α相,未有硅化物出现的痕迹.两相区固溶合金在600和800°C热暴露100 h,组织中均有S2型硅化物析出,且热暴露温度越高,硅化物粒子越大;经600°C热暴露50 h后,只在初生αp和β相上,有少量硅化物沉淀析出:当热暴露时间延长至100 h时,大量的硅化物粒子沿残余β相析出.

摘要： 研究了Ti600高温钛合金在固溶处理过程中,不同冷却速率对其组织形貌的影响,观察了α片层宽度与晶间α随冷却速度的变化规律,测试了不同状态及条件下棒材的高温蠕变性能,同时测定了Ti600合金中硅化物的溶解温度,研究了硅化物溶解对合金晶粒尺寸的影响规律.结果表明,在所研究的温度范围内,随着温度的升高,合金的蠕变变形分别受扩散、位错滑移、α/β界面及原始β晶界滑动等不同机制的影响,合金中的硅化物S2相及α2等第二相粒子对蠕变过程起着非常重要的作用.在固溶处理过程中,随着冷却速率的增加,α片层宽度减小,硅化物对合金晶粒长大具有明显的抑制作用.当合金在硅化物溶解温度以下进行固溶处理时,其晶粒尺寸的增加比较缓慢,而当固溶温度一旦超过硅化物溶解温度,其晶粒尺寸则迅速增大.

摘要： 石墨烯自发现以来,以其优异的机械及光电特性,在将其与半导体材料结合应用于光电器件领域引起了广泛的研究热潮.氮化镓作为当前研究热门的第三代半导体材料,其直接带隙及宽禁带等特点使得其具备优异的蓝光特性.因此,将石墨烯与氮化镓材料生长的结合已经受到越来越多的关注.利用石墨烯的二维结构层间易剥离特性,在其上生长的氮化镓发光二极管可以采用机械转移的方法转移至其他衬底,比如:金属、玻璃或塑料等,从而实现氮化镓发光二极管柔性显示.本课题着力点在于以Si02/Si为衬底，在其上直接生长大面积多层石墨烯，将其应用于氮化镓材料的生长与剥离，为氮化镓与石墨烯复合结构的应用进行初步探索。文章主体实验内容分为两部分，第一部分为在Si02/Si上以石墨粉为碳源，镍催化生长石墨烯。具体方案为，以Si02/Si为衬底，通过离子溅射镀100nm镍膜。将石墨粉溶于酒精后以旋涂法均匀涂覆在镍膜上，在氩气氛围中退火后去除多余碳粉，刻蚀镍，最终在Si02/Si上获得了多层完整石墨烯薄膜。

摘要： 石墨烯自发现以来,以其优异的机械及光电特性,在将其与半导体材料结合应用于光电器件领域引起了广泛的研究热潮.氮化镓作为当前研究热门的第三代半导体材料,其直接带隙及宽禁带等特点使得其具备优异的蓝光特性.因此,将石墨烯与氮化镓材料生长的结合已经受到越来越多的关注.利用石墨烯的二维结构层间易剥离特性,在其上生长的氮化镓发光二极管可以采用机械转移的方法转移至其他衬底,比如:金属、玻璃或塑料等,从而实现氮化镓发光二极管柔性显示.本课题着力点在于以Si02/Si为衬底，在其上直接生长大面积多层石墨烯，将其应用于氮化镓材料的生长与剥离，为氮化镓与石墨烯复合结构的应用进行初步探索。文章主体实验内容分为两部分，第一部分为在Si02/Si上以石墨粉为碳源，镍催化生长石墨烯。具体方案为，以Si02/Si为衬底，通过离子溅射镀100nm镍膜。将石墨粉溶于酒精后以旋涂法均匀涂覆在镍膜上，在氩气氛围中退火后去除多余碳粉，刻蚀镍，最终在Si02/Si上获得了多层完整石墨烯薄膜。

摘要： 提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。

摘要： 本发明提供一种金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法，通过分别采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗处理，以去除所述第二相金属硅化物表面未反应的第一相金属硅化物以及未反应的金属，并采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗处理并干燥，以去除第一次后清洗工艺在所述第二相金属硅化物表面形成的球形形貌缺陷，使所述第二相金属硅化物表面形貌平整，均匀性良好，进而在接触孔刻蚀时不会出现刻蚀空洞或刻蚀不到位的情况，从而减少甚至避免了接触孔桥接或接触孔堵塞断路等缺陷，大大提高了产品良率。

摘要： 根据本发明的实施例的三氯硅烷的制备方法包括：向反应部供给表面改性的金属硅化物和冶金级硅的步骤；向所述反应部供给四氯硅烷和氢的步骤；以及，将在所述反应部内，在所述金属硅化物的存在下，由冶金级硅、四氯化硅烷和氢之间的反应生成的生成物，供给到分离部，分离三氯硅烷成分的步骤。利用根据本发明实施例的三氯硅烷的制备方法进行四氯硅烷氢氯化反应时，能够提高三氯硅烷的收率。

摘要： 本发明提供用于在极小结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的技术。在一个方面中，提供一种用于在具有极小尺寸的三维硅、锗或硅锗结构中形成硅化物、锗化物或锗硅化物的方法。该方法包括以下步骤。将至少一种元素注入到该结构中。将至少一种金属沉积到该结构上。该结构被退火以在硅、锗或硅锗内散布金属以形成硅化物、锗化物或锗硅化物，其中注入的元素用于防止硅化物、锗化物或锗硅化物的形态劣化。注入的元素可以包括碳、氟和硅中的至少一种。

摘要： 本发明涉及一种温和溶剂热反应制备硅化物的方法及制得的硅化物和应用，该方法以不含有氧元素的有机溶剂为反应介质，以过渡金属氯化物为金属源，以氟硅酸钠为硅源，通过在温和条件下发生反应，得到具有不同金属组分的硅化物；该温和溶剂热反应法克服了直接用过渡金属粉末、单质硅粉末高温固相反应合成相应的硅化物时存在的非常严重的杂质中间相问题，进而能得到预期摩尔比的硅化物，制备的硅化物用作锌离子电池正极材料时，比容量高于500mAh/g，电压平台高，且具有良好的循环性能。该法可从易得到的过渡金属氯化物和氟硅酸钠出发，通过重复性高、过程简单、耗时少的工艺制备获得，适于工业化生产。

摘要： 本发明公开了一种小尺寸硅化物纳米线的制备方法及小尺寸硅化物纳米线，该方法包含：步骤1，在衬底上涂覆嵌段共聚物，经第一次退火处理，制备原始图案；步骤2，采用金属盐溶液浸泡，使金属盐被吸附至极性嵌段上；步骤3，通入氧等离子体将金属盐还原成金属，并除去有机物，使金属原位沉积形成硬掩膜；步骤4，通入CHF

摘要： 本文中描述用于使用物理气相沉积(PVD)工艺和退火工艺中的一种或物理气相沉积工艺和退火工艺的组合形成低电阻率的金属硅化物互连的方法。在一个实施方式中，一种形成多个导线互连的方法包含使溅射气体流入处理腔室的处理空间中，向设置在所述处理空间中的靶施加功率，在靠近所述靶的溅射表面的区域中形成等离子体，和在基板的表面上沉积金属和硅层。本文中，所述第一靶包括金属硅合金，并且所述第一靶的溅射表面相对于基板的表面成在约10°与约50°之间的角度。

摘要： 本发明提供一种金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法，通过分别采用第一清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第一次后清洗处理，以去除所述第二相金属硅化物表面未反应的第一相金属硅化物以及未反应的金属，并采用第二清洗液对所述第二相金属硅化物表面进行第二次后清洗处理并干燥，以去除第一次后清洗工艺在所述第二相金属硅化物表面形成的球形形貌缺陷，使所述第二相金属硅化物表面形貌平整，均匀性良好，进而在接触孔刻蚀时不会出现刻蚀空洞或刻蚀不到位的情况，从而减少甚至避免了接触孔桥接或接触孔堵塞断路等缺陷，大大提高了产品良率。

摘要： 根据本发明的实施例的三氯硅烷的制备方法包括：向反应部供给表面改性的金属硅化物和冶金级硅的步骤；向所述反应部供给四氯硅烷和氢的步骤；以及，将在所述反应部内，在所述金属硅化物的存在下，由冶金级硅、四氯化硅烷和氢之间的反应生成的生成物，供给到分离部，分离三氯硅烷成分的步骤。利用根据本发明实施例的三氯硅烷的制备方法进行四氯硅烷氢氯化反应时，能够提高三氯硅烷的收率。

摘要： 本发明通常涉及一种半导体器件的制造方法，具体来说，涉及一种控制自对准多晶硅化物加工过程中镍基硅化物横向侵入的制造方法。包括提供半导体衬底及镍或镍基材质；在衬底上堆叠栅极及在栅极两侧堆叠绝缘防护侧墙；在半导体衬底上形成源极区和漏极区；在绝缘防护侧墙外堆叠牺牲层侧墙；在半导体器件外侧积淀镍或镍基物质；一次性高温退火处理，采用湿法蚀刻工艺去除多余的镍或镍基物质，同时去除牺牲层侧墙同镍或镍基物质的反应产物。通过改变牺牲层侧墙的厚度来调节镍或镍基材质的消耗，以实现不同的期望。