机译:完全硅化的栅极和高K电介质叠层的接口配置和费米级钉扎
机译:高K电介质上完全硅化(FUSI)NiSi栅极中费米能级固定的化学计量关系
机译:高功函数金属栅极和高k阻挡氧化物在电荷陷阱型闪存器件上的关键集成
机译:高k电介质上的替代铝金属栅极,以实现低功函和费米级无钉扎
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:180nm金属栅极,高k电介质,无注入III-V mOsFET,跨导超过425μs/μm