机译:使用非易失性存储器功能的新型双门1T-DRAM单元,用于高性能和高可扩展嵌入式DRAM
机译:高度可扩展的无电容器双栅极量子阱单晶体管DRAM:1T-QW DRAM
机译:垂直门Si / SiGe基于双HBT的无电容器1T DRAM单元,可在低锁存电压下延长保留时间
机译:高度可扩展的低于50nm的垂直双栅沟槽DRAM单元
机译:低功耗,高度可扩展的垂直闪存单元和MOSFET
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:具有高度可扩展的环绕栅极结构的无电容DRam单元