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摘要
第一章 绪论
1.1 MOSFET器件的发展及其面临的挑战
1.2 提升纳米尺寸器件性能的解决方案
1.21 栅/栅介质工程
1.22 沟道工程
1.23 源漏工程
1.24 新型MOSFET器件结构
1.3 纳米器件中的量子力学效应和理论研究方法
1.4 双栅MOSFET器件的研究现状及单杂质效应
1.41 双栅MOSFET器件研究现状
1.42 双栅MOSFET器件中的单杂质掺杂效应
1.5 本文安排
第二章 量子力学模拟方法(LCBB_TBS)理论介绍
2.1 小尺寸MOSFET器件理论研究-原则和模拟方法
2.11 纳米MOSFET器件理论研究的关键问题
2.12 电子性质的求解-薛定谔方程
2.13 量子输运模型
2.2 量子力学模拟理论模型介绍
2.21 LCBB(Linear combination of bulk bands)方法介绍
2.22 准费米能级(QFL)模型
2.23 势垒顶部波函数分解(TBS)模型
2.3 本章小结
第三章 不同类型的杂质对双栅MOSFET性质的影响
3.1 无掺杂时双栅MOSFET器件的性质
3.2 N型掺杂对双栅MOSFET器件性质的影响
3.3 P型掺杂对双栅MOSFET器件性质的影响
3.4 P型杂质均匀掺杂对双栅MOSFET器件性质的影响
3.5 本章小结
第四章 掺杂位置不同时对双栅MOSFET性质的影响
4.1 N型杂质在沟道左侧时对双栅MOSFET性质的影响
4.2 P型杂质在沟道左侧时对双栅MOSFET性质的影响
4.3 N型掺杂在沟道右侧时对双栅MOSFET性质的影响
4.4 P型杂质在沟道右侧时对双栅MOSFET性质的影响
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
致谢
参考文献