机译:利用多晶硅/ HfSiON栅极堆叠的CMOS器件的性能改进及其对65 nm及更高工艺的可靠性问题
机译:对先进的互补金属氧化物半导体器件进行多晶硅/ TaN / HfSiON栅堆叠的干法蚀刻
机译:具有SiGe和GE埋入通道的多Si纳米线电荷捕获闪存装置的操作特性
机译:具有SiGe沟道,HfSiON和多晶硅栅极的低功耗器件技术
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
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