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【2h】

Low-temperature poly-Si nanowire junctionless devices with gate-all-around TiN/Al2O3 stack structure using an implant-free technique

机译：采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件

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Chun-Jung Su; Tzu-I Tsai; Horng-Chih Lin; Tiao-Yuan Huang; Tien-Sheng Chao;
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年度 2012
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