烧结助剂

摘要： 压电陶瓷材料因具有优异的机电转换特性而被广泛应用,主要分为铅基压电陶瓷和无铅基压电陶瓷。然而,铅基压电陶瓷因含有高浓度的重金属铅而对环境损害极大,目前世界各国均已立法限制其应用。因此,环境友好型的无铅压电陶瓷成为学者的研究重点。其中,铌酸钾钠(KNN)基陶瓷因含有较大的压电系数、较高的居里温度,且通过适当的成分设计和晶体相位调整,在多晶型相界处可获得最佳电学性能,有的甚至可与锆钛酸铅(PZT)相媲美,从而备受人们的青睐。但对于在多晶型相界处可获得最佳电学性能的物理机理并未明确,同时多晶型相界不易调控以及KNN基陶瓷自身K、Na元素易挥发,对其电学性能产生了严重影响。本文以离子取代、添加新组元和添加烧结助剂为切入点,论述KNN基陶瓷的掺杂机理和烧结特性,讨论A位掺杂、B位掺杂以及A、B位共掺对KNN陶瓷晶体结构的影响,重点论述三方相-正交相(R-O)、正交相-四方相(O-T)或三方相-四方相(R-T)共存与高压电性的物理机制,总结KNN基无铅压电陶瓷的发展。其中,在离子取代基础上添加新组元化合物,更加有利于构建多相共存的微观相结构;同时,开发的烧结助剂可有效地解决KNN基陶瓷烧结性能较差的问题。综上可知,KNN基无铅压电陶瓷在取代PZT基压电陶瓷材料方面具有极大潜力。

摘要： 以黄土、粉煤灰为基础骨料,纳米级TiO_(2)为烧结助剂,羧甲基纤维素(CMC)为粘结剂,通过挤压成型法和固态粒子烧结法制备陶瓷膜支撑体,对支撑体的纯水通量、耐酸碱腐蚀性能、抗折强度、显气孔率、晶相组成及表面形貌等进行表征,并探究纳米级TiO_(2)添加量对陶瓷膜支撑体性能的影响。结果表明,纳米级TiO_(2)的添加可促进支撑体的烧结与致密,在烧结温度为1050°C,纳米级TiO_(2)的添加量为5%时,支撑体抗折强度为2.874 MPa、纯水通量为2667.94 L/(m^(2)·h·MPa)、显气孔率为53.473%、酸碱腐蚀率为5.196%与0.354%。纳米级TiO_(2)作为烧结助剂可生产出性能优良的陶瓷膜支撑体。

摘要： 在一些先进陶瓷的制备生产中,MgO是一种常见的添加剂,它的作用是什么,在烧结过程中,它会带给陶瓷哪些变化?下面我们通过几个案例了解一下。MgO对氧化铝陶瓷的影响1.MgO对氧化铝陶瓷烧结温度及致密化的影响首先氧化镁作为常见的烧结助剂,是能够有效的降低氧化铝陶瓷的烧结温度的。

摘要： 以低钠氧化铝、煅烧氧化铝、堇青石、莫来石和镁铝尖晶石为主要原料,选择TiO2GCaOGMgOGSiO2体系烧结助剂为添加剂,在1500~1600°C下烧结制备氧化铝-堇青石-莫来石复相陶瓷.探讨了配方组成和烧结温度对氧化铝基复相陶瓷力学性能和抗碱腐蚀性能的影响.实验结果表明:在1600°C下烧结的2号陶瓷样品的综合性能最好,其洛氏硬度为92.6HRA,体积密度为3.92g/cm3,吸水率为0.09%,气孔率为0.34%.在1600°C下烧结的2号样品的抗碱腐蚀性能最佳,该陶瓷样品在经过两次抗碱腐蚀后其洛氏硬度为68.8HRA.

摘要： 以光敏丙烯酸树脂与分散剂SP-710为液相,以d_(50)=2.38μm的Al_(2)O_(3)粉和添加剂TiO_(2)粉为固相,制备了固含量为78%(w)的Al_(2)O_(3)陶瓷浆料。采用数字光固化成型技术(DLP)打印Al_(2)O_(3)陶瓷素坯,经1450、1500、1550、1600°C保温4 h烧后,分析TiO_(2)加入量(质量分数分别为0、1%、2%、3%、5%)对Al_(2)O_(3)陶瓷试样性能的影响。结果表明:TiO_(2)的加入可促进Al_(2)O_(3)陶瓷的烧结,显著提高致密性,降低烧结温度,并确定TiO_(2)最优掺量为3%(w),烧结温度最优为1600°C,此时试样在x轴、y轴、z轴的收缩率分别为15.7%、15.8%与23.8%,显气孔率为2.41%,体积密度为3.74 g·cm^(-3),三点弯曲强度为251.1 MPa,与未添加TiO_(2)的Al_(2)O_(3)陶瓷对比,体积密度提高了0.56 g·cm^(-3),显气孔率由20.19%降低为2.41%,三点弯曲强度增大为原来的2.5倍。因此,加入适量TiO_(2),可以有效提高DLP打印陶瓷体的致密度与强度,使打印试样的性能接近压制成型的试样,有望使打印工艺应用于耐火材料领域。

摘要： 以Y_(2)O_(3)/Al_(2)O_(3)、Al_(2)O_(3)/MgO和Y_(2)O_(3)/Al_(2)O_(3)/MgO等为复合烧结助剂,研究烧结助剂类别及烧结温度(1750、1800、1850°C)对气压烧结Si_(3)N_(4)陶瓷致密化、显微结构以及力学性能的影响。结果表明:以Y_(2)O_(3)/Al_(2)O_(3)为烧结助剂所制备样品的抗折强度、硬度和断裂韧性优于其他两种复合助剂制备试样的;Y_(2)O_(3)/Al_(2)O_(3)复合助剂有利于显微结构中高长径比β-Si_(3)N_(4)晶粒的形成。当烧结温度为1800°C时,以Y_(2)O_(3)/Al_(2)O_(3)为烧结助剂样品的致密度和力学性能最优,此时体积密度为3.24 g·cm^(-3),线收缩率为20.73%,强度、硬度和断裂韧性达到最大值,分别为821.9 MPa、14.25 GPa和7.16 MPa·m^(1/2)。

摘要： sialon陶瓷因其具有优异的高温机械性能而受到了广泛的关注。它主要有α和β两种晶体结构,一般认为,β-sialon为长棒状,具有较高的断裂韧性,而α-sialon为等轴状,具有较高的硬度,但断裂韧性较低。近些年来,很多学者展开了α-sialon陶瓷增韧技术的研究,一方面是通过材料组分设计、选用不同的烧结助剂及调整烧结工艺等,制备出具有长棒状晶粒形貌的高强、高断裂韧性的α-sialon陶瓷,另一方面是通过掺杂第二相制成复合陶瓷来增加其韧性,使其能作为切削工具用于铸铁、镍基等高温合金的有效加工,拓宽了α-sialon陶瓷的应用领域。本文对长棒状α-sialon陶瓷的制备、复合α-sialon陶瓷的制备及其高温抗氧化性能性能及性能影响因素进行了综述。

摘要： 采用溶胶凝胶法制备Gd_(0.2)Ce_(0.8)O_(3-σ)+0.05%(质量分数)SiO_(2)(GDCSi)电解质。在GDCSi体系中加入Fe_(2)O_(3)及MgO可达到降低烧结温度的同时提高晶界电导率,并减小杂质SiO_(2)对氧离子在晶界处传输的阻碍的目的。将MgO和Fe_(2)O_(3)单掺杂或双掺杂在GDCSi体系中并对GDCSi基电解质的微观形貌及电性能进行研究。结果表明,所有样品主要由立方萤石结构相组成;物质的量分数4%MgO单掺杂的GDCSi-M、物质的量分数4%Fe_(2)O_(3)单掺杂的GDCSi-F以及物质的量分数2%MgO-物质的量分数2%Fe_(2)O_(3)共掺杂的GDCSi-MF均可促进GDCSi体系晶粒增长,降低晶粒间孔隙率,提高电解质的相对密度,降低晶粒电阻R;、晶界电阻R;及总电阻R;GDCSi-MF具有最高晶界电导率和总电导率,在400°C时GDCSi-MF的晶界电导率σ;和总电导率σ;分别是GDCSi的10.41和1.82倍。

摘要： 微电子技术的飞速发展对芯片基板和封装材料性能的要求越来越高。AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。

摘要： 为降低氧化铝陶瓷的烧结温度,分别采用固相法和水热法制备了CaMgSi_(2)O_(6)和CaTiO_(3),并将其按比例进行复合,作为氧化铝陶瓷烧结添加剂。采用X射线衍射仪对添加剂物相组成进行研究,采用扫描电子显微镜(SEM)对氧化铝陶瓷微观结构及烧结性能进行研究,采用维氏硬度计、液压式材料万能试验机,对氧化铝陶瓷材料力学性能进行研究。结果表明:2种方法制备的添加剂中都含有一定量的杂质。水热法制备的添加剂对氧化铝陶瓷烧结性能的影响比固相法制备的添加剂显著,在其他条件相同的条件下,采用固相法制备的添加剂,氧化铝陶瓷在1350°C烧结6 h后其致密度随添加剂使用量的增加呈先增加后减小的趋势;而采用水热法制备的添加剂,其致密度则随添加剂使用量的增加而增加。低温烧结氧化铝陶瓷的硬度和抗弯强度,随添加剂添加量的增加,均表现出先减小后增加的趋势。当添加剂添加量为10%时,硬度最小;当添加剂使用量为12%时,抗弯强度最小。

摘要： 实验以工业氧化铝为主要原料,在CaO-MgO-Al2O3-SiO2体系下,分别采用95瓷和氧化铝含量为98％的陶瓷,并通过调整烧结助剂CaO、MgO的比例发现,氧化铝含量为98％的陶瓷拥有更低的烧成温度以及更低的磨耗,同时采用XRD和SEM分析方法对陶瓷试样的物相组成和显微结构进行了分析.通过合理调整烧结助剂的配比，氧化铝含量为98%的陶瓷相比95瓷拥有更低的烧成温度和更优良的耐磨性，经过对不同的原料的实验我们也得到了相同的结论。表明在烧结过程中，热力学行为起主导作用，氧化铝含量为98%的陶瓷的磨损率最低为0.0132%，在同样测试条件下，比曾经代表最高水平的摩根球还低。作为研磨介质，为固相法制备YAG透明陶瓷和其他高质量的材料奠定了基础，同时也为高铝瓷的低温烧成工业化生产提供了一个有力的参考。

摘要： 针对添加烧结助剂对浸入式水口渣线料抗侵蚀性能的影响进行了研究.在钢厂矩形坯连铸机进行的使用试验结果表明,添加5％(w)的烧结助剂对提升材料抗侵蚀性能有较明显的作用;对使用后水口渣线材料的电镜扫面分析结果表明,试验样在阻止结晶器保护渣侵入材质内部方面的表现明显优于目前在用产品.可见,通过浸入式水口渣线料中添加的烧结助剂在使用过程中的原位烧结,可以有效降低材料的显气孔率,从而提升浸入式水口渣线部位抗保护渣侵入的能力.

摘要： 分别选用Li2O烧结助剂和Y2O3-Al2O3复合烧结助剂作为对比,无压烧结氮化硅陶瓷,研究了Li2O对烧结致密化过程和相变过程的影响.结果表明,以Li2O作为烧结助剂,烧结系统的共晶液相在1200°C产生,颗粒重排可以在较低的温度下进行,且致密化速度较快,氮化硅的α-β相变过程被促进,在1600°C即可得到发育良好的β-Si3N4棒状晶.

摘要： 利用Mo或B4C作为烧结助剂，系统研究了ZrB2-SiC材料的常压烧结和抗氧化性能。本文主要考察了Mo，B4C含量对材料抗氧化性能的影响。研究发现Mo烧结助剂通过形成Mo-Zr-B固溶相提高了材料的烧结致密化，而B4C烧结助剂不仅通过除去粉体表面的氧杂质提高烧结致密化，而且通过降低碳化物残余提高了材料的抗氧化性能。通过研究1500°C氧化30min后残余强度和氧化层结构发现，当B4C含量为4wt%，SiC含量在15wt%时材料表现出最优异的抗氧化性能。

摘要： 应用多种烧结助剂,采用气压烧结工艺制备相应的氮化硅制品,研究各种烧结助剂种类及含量对氮化硅块体致密化程度的影响,通过SEM及力学性能测试,分析烧结助剂种类及含量对制品β相转化比例、气孔率、晶粒形貌、抗弯强度的影响,在烧结助剂总量低于3％的条件下,样品致密度在72-82％之间.

摘要： 研究了无铅压电陶瓷的低温合成技术，通过添加烧结助剂，低温合成了0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3(BNBT)陶瓷粉体;采用固相烧结工艺，制备了BNBT无铅压电陶瓷;研究了不同烧结助剂对BMBT压电陶瓷预烧温度、相结构、压电性能、介电和铁电性能的影响.研究结果表明，采用两种烧结助荆，所发明的3”A’烧结助荆和尿素，能够分别在600°C和500°C的较低温度下合成BNBT陶瓷粉体;对比传统工艺在900°C合成的BNBT陶瓷粉体,降低了陶瓷的预烧温度.采用该低温合成粉体制备的压电陶瓷，具有单一的钙钛矿相结构，并且具有可与传统工艺制备的陶瓷相比拟的电学性能.

摘要： 以廉价的硅藻土和碳黑为起始原料，碳热还原法制备了高气孔率，孔结构均匀的多孔氮化硅陶瓷。考察了烧结助剂种类和含量对多孔氮化硅陶瓷微观组织和力学性能的影响。借助X射线衍射（XRD），扫描电子显微（SEM）和三点弯曲法对多孔氮化硅陶瓷的微观组织和力学性能进行了研究。XRD分析表明在烧结后的试样中，除了少量的α-Si3N4，Sialon相Si5AlON7和晶间相Y2Si3O3N4外，其余的都是β-Si3N4相；SEM分析显示多孔氮化硅陶瓷是由柱状β-Si3N4晶粒和均匀的孔组成。通过改变烧结助剂种类和含量，制备了不同气孔率，力学性能优异的多孔氮化硅陶瓷。

摘要： 以高纯工业MgO粉体为原料，经过不同的温度煅烧处理后，添加混合稀土金属氧化物为烧结助剂，并将粉体压制成型后，采用无压烧结方法制备致密的MgO陶瓷。对试样进行XRD测试和断口SEM观察，分析煅烧温度、烧结助剂添加量和升温速率对MgO陶瓷烧结致密化的影响。结果表明：rn 随着煅烧温度的升高，MgO活性降低，不利于烧结;过快的升温速率使MgO晶体在到达烧结温度以前生长缓慢，气孔排出较慢，不利于致密化;添加一定量的混合稀土金属氧化物作为烧结助剂，可以显著降低MgO陶瓷的烧结温度，在1600°C烧结5 h即可实现MgO陶瓷的致密化，烧结的陶瓷相对密度可达99%，开气孔率小于0．1％。

摘要： 选用Al2O3、Y2O3作为烧结助剂，通过有机模板复制法及多次浸渍涂覆工艺制备出高强度碳化硅泡沫陶瓷材料。rn 系统地研究了原料组成、烧结温度等工艺参数对制得的碳化硅泡沫陶瓷物相组成、宏观结构、微观结构的影响，同时对陶瓷的气孔率、力学性能等进行了测试。结果表明：通过选取不同PPI值的有机泡沫模板，泡沫陶瓷宏观孔径可控;随着涂覆次数的增加，陶瓷体孔径减小、孔棱直径增加;随着烧结温度的提高，孔棱致密度增加，抗压强度显著提高;在1700°C下获得了20PPI值，气孔率为77％，抗压强度达2．48MPa的碳化硅泡沫陶瓷。

摘要： 基于Ni3Al金属间化合物的优异抗氧化性及高温力学性能,本文提出了Ni3Al基金刚石工具的结合剂体系和制备方法,研究了Ni3Al结合剂中添加B和Ni—Cr合金对工具力学性能和微观结构的影响.实验结果表明,在纯Ni3Al中添加0.1％的B可以明显提高金刚石工具的硬度和抗穹强度;而随着Ni—Cr合金含量的增加,金刚石工具的硬度和抗弯强度也随之增加.

摘要： 本发明能够使钇·铝·石榴石烧结体的烧成温度低温化，同时使烧结体的耐蚀性提高，防止透光性降低。在采用烧结法由钇源化合物和铝源化合物制造钇·铝·石榴石烧结体时，将氮化铝作为烧结辅助剂使用。可认为，在烧成过程中，氮化铝与氧化铝反应，生成液相，使烧结温度降低。

摘要： 本发明能够使钇·铝·石榴石烧结体的烧成温度低温化，同时使烧结体的耐蚀性提高，防止透光性降低。在采用烧结法由钇源化合物和铝源化合物制造钇·铝·石榴石烧结体时，将氮化铝作为烧结辅助剂使用。可认为，在烧成过程中，氮化铝与氧化铝反应，生成液相，使烧结温度降低。

摘要： 本发明属于介电材料技术领域，公开了烧结助剂的均匀分散方法，包括将Ba(NO3)2溶液与陶瓷粉体混合，并向混合后的Ba(NO3)2溶液中加入碱性沉淀剂溶液，使其发生沉淀反应，反应生成的Ba盐沉淀物直接附着在陶瓷粉体表面；然后，将陶瓷粉体与Ba盐沉淀物同时进行离心分离，使其与溶液分离，直到所有固体物质集中于离心管的下部；最后对固体物质进行干燥，实现Ba盐沉淀物在陶瓷粉体中的均匀分布。本发明还公开了Ba含量为0.001～0.005mol％的烧结助剂的运用。本发明方法可均匀添加烧结助剂，在起到助烧作用的同时，减小烧结助剂在陶瓷粉体中的残留，有效避免对陶瓷粉体性能产生的不良影响。

摘要： 本发明公开了一种无烧结助剂低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法，涉及压电陶瓷材料领域，能够制得无需添加烧结助剂、烧结温度低、压电常数高、居里温度高的压电陶瓷材料。本发明提供的压电陶瓷材料的化学式为：xBi(Zn1/2Ti1/2)O3–yBiScO3–(1‑x‑y)PbTiO3。本发明采用固相反应法制备三组元粉体，然后经过造粒，压片，排胶，最后烧结等工艺制备陶瓷材料。结果表明在750°C~850°C的烧结温度下制备出具有高居里温度、相对致密度大于93%、高压电常数的压电陶瓷材料。该材料在叠层压电滤波器、叠层压电微位移器、超声电机等方面具有良好的应用，是一种具有发展前景的适用于低温共烧陶瓷技术的压电材料。

摘要： 本发明涉及一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到混合粉体，所述烧结助剂为MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5中的一种；将所得的混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于烧结炉中在1600～1800°C的温度条件下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。该烧结助剂有利于获得更加均匀的显微结构，使得TiN弥散分布在氮化硅基体中，从而进一步提高了材料的力学性能。

摘要： 本发明公开了一种碳化硼基复合陶瓷烧结助剂及烧结工艺，其中烧结助剂的成分及配比为：钛20‑40wt％，硅60‑80wt％。本发明利用真空热压烧结工艺制备碳化硼基复合陶瓷，在烧结温度为1850°C，保温时间为30min，压力为30MPa，烧结助剂添加量为30wt％时，原位反应热压烧结的碳化硼基复合陶瓷的性能较优，显微硬度、弯曲强度、断裂韧性和抗压强度分别为28.4GPa，582MPa，6.3MPa·m1/2和4109MPa。在较低的烧结温度下，获得了致密度高、可线切割加工、力学性能良好的碳化硼基复合陶瓷，具有较高的实用价值。

摘要： 本发明公开了一种高强韧氮化硅陶瓷材料及其烧结助剂和烧结方法，该烧结助剂包含：金属氮化物、稀土金属氧化物和金属氧化物。其中，金属氮化物：稀土金属氧化物：金属氧化物的质量比为3～5：3.5～4.5：1.5～2.5；金属氮化物包含：氮化钒。本发明的陶瓷材料为氮化硅陶瓷，其通过添加上述烧结助剂，细化了氮化硅晶粒，制备得到的氮化硅陶瓷的强度大，韧性好，抗弯折能力强。

摘要： 本发明属于介电材料技术领域，公开了烧结助剂的均匀分散方法，包括将Ba(NO3)2溶液与陶瓷粉体混合，并向混合后的Ba(NO3)2溶液中加入碱性沉淀剂溶液，使其发生沉淀反应，反应生成的Ba盐沉淀物直接附着在陶瓷粉体表面；然后，将陶瓷粉体与Ba盐沉淀物同时进行离心分离，使其与溶液分离，直到所有固体物质集中于离心管的下部；最后对固体物质进行干燥，实现Ba盐沉淀物在陶瓷粉体中的均匀分布。本发明还公开了Ba含量为0.001～0.005mol％的烧结助剂的运用。本发明方法可均匀添加烧结助剂，在起到助烧作用的同时，减小烧结助剂在陶瓷粉体中的残留，有效避免对陶瓷粉体性能产生的不良影响。

摘要： 本公开提供一种聚晶金刚石复合片(PDC)，所述PDC包括基底和聚晶金刚石台，所述聚晶金刚石台包含烧结助剂化合物、解离的非烧结助剂组分、衍生化合物或它们的混合物，并且还包含解离的烧结助剂。本发明还提供一种钻地钻头，所述钻地钻头包括钻头体和呈刀具形式的所述PDC。本公开还提供一种形成PDC的方法，所述方法包括：将基底和金刚石晶粒与烧结助剂化合物的混合物放置在罐中；以及执行HTHP过程以形成PDC，所述PDC包括基底和聚晶金刚石台，所述聚晶金刚石台由所述金刚石晶粒和所述烧结助剂化合物形成，并且包含所述烧结助剂化合物、解离的非烧结助剂组分、衍生化合物或它们的混合物、以及解离的烧结助剂。

摘要： 本发明涉及一种烧结助剂及用于掺杂氧化铈固体电解质的使用方法和烧结体的制备方法，属于陶瓷材料的烧结助剂领域。该烧结助剂是以CaO和MgO为主要成分，CaO和MgO总含量超过99mol%，另外包含少量SrO和Fe