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烧结温度

烧结温度的相关文献在1983年到2022年内共计1706篇,主要集中在化学工业、电工技术、冶金工业 等领域,其中期刊论文1218篇、会议论文245篇、专利文献171238篇;相关期刊442种,包括材料导报、功能材料、机械工程材料等; 相关会议177种,包括第十八届全国高技术陶瓷学术年会、江苏省硅酸盐学会第八次代表大会暨江苏省硅酸盐学会五十周年纪念大会、第六届郑州国际超硬材料及制品研讨会暨庆祝中国人造金刚石诞生50周年大会等;烧结温度的相关文献由4718位作者贡献,包括方亮、方维双、唐莹等。

烧结温度—发文量

期刊论文>

论文:1218 占比:0.71%

会议论文>

论文:245 占比:0.14%

专利文献>

论文:171238 占比:99.15%

总计:172701篇

烧结温度—发文趋势图

烧结温度

-研究学者

  • 方亮
  • 方维双
  • 唐莹
  • 李玲霞
  • 同帜
  • 丘泰
  • 周焕福
  • 王丹
  • 黄新友
  • 周洪庆
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利文献

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作者

    • 付鹏程; 肖国庆; 丁冬海; 方宇飞; 种小川; 朱现峰
    • 摘要: 以高压电瓷废料为原料,通过气流超细粉碎、圆盘造粒,经1180~1260°C烧结制备油气开采水力压裂用陶粒支撑剂。通过X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对不同烧结温度陶粒支撑剂试样的物相组成和微观形貌进行分析,通过石油天然气行业标准中的方法测试试样的密度、破碎率及酸溶解度,研究烧结温度对试样微观结构和性能的影响。结果表明,支撑剂主要物相为莫来石和刚玉,随着烧结温度的升高,针状莫来石晶粒逐渐长大,并互相交错堆叠形成网格状结构,液相均匀分散并包裹于晶粒,使试样致密化程度提高。但烧结温度过高会导致试样内二次莫来石化程度变高,部分莫来石晶粒异常长大,使支撑剂整体表现出高的空隙率,影响试样强度。试样在1220°C表现出最高视密度和最低破碎率,在69 MPa闭合压力下其破碎率仅为6.1%、视密度为2.74 g/cm^(3),符合SY/T5108-2014中关于低密度陶粒支撑剂的标准要求。
    • 摘要: 在一些先进陶瓷的制备生产中,MgO是一种常见的添加剂,它的作用是什么,在烧结过程中,它会带给陶瓷哪些变化?下面我们通过几个案例了解一下。MgO对氧化铝陶瓷的影响1.MgO对氧化铝陶瓷烧结温度及致密化的影响首先氧化镁作为常见的烧结助剂,是能够有效的降低氧化铝陶瓷的烧结温度的。
    • 周振扬; 王建军
    • 摘要: 近年来,我国加大了环保力度,国务院印发《关于加强长江经济带工业绿色发展的指导意见》提出一批关键共性绿色制造技术实现产业化应用,绿色制造产业产值达5万亿元。综合利用长江航道疏浚物及建筑固废是大势所趋,也积极响应总书记提出的“共抓大保护、不搞大开发”。该文以机制砂泥饼和长江航道清淤淤泥为原料,在4种不同质量混合比(2:1、1:1、1:2、1:3),及不同烧结温度、时间条件下烧制陶粒,测定陶粒的筒压强度、堆积密度、吸水率,并对不同配比的陶粒进行XRD物相分析。研究结果表明:淤泥含量的增加有助于提高物相特征峰的峰值,提升陶粒结构性能。随着淤泥的添加比例增加,陶粒吸水率上升、堆积密度减少;随着烧结温度增加,陶粒堆积密度升高,吸水率和筒压强度降低;陶粒吸水率和筒压强度与烧结时间成正比。在配料比2:1、烧结温度1150°C、烧结时间15 min的条件下,可以制备性能最优的轻质陶粒。
    • 聂敏; 刘剑; 王颖欣
    • 摘要: 采用普通陶瓷工艺制备了组分为Bi_(1.3)Ca_(1.45)Y_(0.25)Zr_(0.55)V_(0.4)Fe_(4.05)O_(12)的高Bi含量石榴石铁氧体材料,研究了烧结温度对物相、显微结构、烧结性能及电磁性能的影响。结果表明,材料烧结后的物相主要为Bi_(2.88)Fe_(5)O_(12),晶粒大小约为1~2μm,但当烧结温度高于1090°C后,有第二相BiFeO_(3)和Bi_(2)O_(3)相生成,随着烧结温度的升高,微观形貌、介电常数和居里温度基本没有变化,但温烧结度过高则饱和磁化强度降低,铁磁共振线宽显著增大。烧结温度为1060°C所制备的样品综合性能最佳:ΔH=46 Oe,达到最低,4πM_(s)=1287 G,ε_(r)=23.4,T_(C)=153°C。
    • 王旭东; 周扬; 袁怡
    • 摘要: 采用反应烧结工艺,通过改变烧结温度,制备出了一系列不同烧结温度下(1600,1630,1660和1690°C)的SiC多孔陶瓷粉体。通过XRD、SEM、气孔测试、压缩强度测试和油水分离测试等,对SiC多孔陶瓷的物相结构、微观形貌、孔隙率、力学性能等进行了表征。结果表明,随着烧结温度的升高,SiO_(2)的特征衍射峰强度逐渐升高,在1690°C时SiO_(2)的特征衍射峰强度最高;SiC多孔陶瓷的气孔随温度升高呈现出先降低后增加的趋势,在1660°C时气孔率最低为32.1%;SEM分析发现,1600和1630°C下烧结的SiC多孔陶瓷中的小颗粒较多,且SiC多孔陶瓷的颗粒较为分散,随着烧结温度的升高,小颗粒相逐渐减少,SiC多孔陶瓷整体逐渐收缩紧密,晶粒逐渐长大。力学性能分析表明,随着烧结温度的升高,SiC多孔陶瓷的压缩强度先升高后轻微下降,在1660°C时压缩强度达到了最大值25.6 MPa。油水分离测试发现,随着烧结温度的升高,SiC陶瓷的膜通量出现了先降低后有略微升高的趋势,截留率出现了先升高后轻微降低的趋势,在烧结温度为1660°C时,膜通量最低为553.8 L/(m^(2)·h),截留率最高为91.5%。
    • 郑江涛; 卢晶; 王胜佳; 金磊; 王柳
    • 摘要: 研究了低聚物与单体种类、分散剂、光引发剂及陶瓷粉体固含量对光固化打印陶瓷浆体流变性能的影响,分析了不同烧结温度对陶瓷样品理化性能的影响。当控制低聚物与单体质量比例为1:2,并使用2.5wt.%KH-560分散剂、2.5 wt.%TPO光引发剂时,可配制出固含量达50 vol.%的低黏度陶瓷浆料,能够满足打印要求。最高烧结温度为1550°C时,ZTA陶瓷烧结效果最好,相对密度达98.87%。含25vol.%ZrO_(2)的ZTA陶瓷增韧效果最好,最高抗压强度、断裂韧性、维氏硬度分别为(541±20) MPa、(8.78±0.33) MPa·m^(1/2)、(1876±36) HV 1/20。DLP光固化陶瓷打印技术可以实现复杂多孔陶瓷的快速高精度成型,在生物医疗、油水分离等方面有巨大的应用前景。
    • 龚泽洲; 张贺贺; 徐荣琪; 徐慢; 季家友
    • 摘要: 市售的工业级SiC粉体形貌不规整,粒径分布宽,烧结的SiC多孔陶瓷的孔径分布不集中。以市售工业级SiC粉体(500目)为原料,采用高温法对SiC粉体进行预处理,然后采用预处理粉体、未经预处理粉体、微粉重结晶烧结SiC多孔陶瓷。系统研究了原料预处理工艺和烧结温度对多孔SiC陶瓷微观结构、力学性能、开孔孔隙率和孔径分布等性能的影响。结果表明:表面扩散作用使得预处理后的SiC粉体的粒度分布窄、流动性更好。制备的SiC多孔陶瓷的孔径分布比更均匀,强度更高。最佳工艺为:1750°C预处理后的粉体掺入30%10000目微粉经2250°C重结晶烧结。烧结的SiC多孔陶瓷开孔率为33.02%,平均孔径为3.02μm,弯曲强度达到115.08 MPa。
    • 李苗雨; 同帜; 吴魁; 孙若男; 王琳涵
    • 摘要: 探究了不同烧结温度对粉煤灰—黄土基陶瓷膜支撑体性能的影响,并利用SEM、XRD等表征手段,对支撑体纯水通量、抗折强度、酸碱腐蚀率、显气孔率等性能指标进行测试分析。实验结果表明,所测试的性能指标中,除抗折强度外,纯水通量、酸碱腐蚀率、显气孔率均随烧结温度的升高而降低。烧结温度为1050°C、纯水通量为5272.42 L·m^(-2)·h^(-1)·MPa^(-1)、酸腐蚀率3.123%、碱腐蚀率0.093%、抗折强度3.824 MPa、显气孔率为29.681%时,支撑体性能最佳。
    • 戴丽静; 王晶; 史忠祥; 于丽娜
    • 摘要: 为研究溶胶-凝胶法制备工艺对Li_(1.3)Al_(0.3)Ti_(1.7)(PO_(4))_(3)(LATP)固态电解质的影响,利用XRD、SEM、电化学阻抗谱(EIS)和热重(TG)-示差扫描量热(DSC)等方法,分析LATP的物相组成、形貌及导电性能。当合成体系的pH=7.0并添加20%过量的锂盐时,可制备出纯相LATP;前驱体经750°C煅烧后再烧结,有利于LATP的致密化。在800°C下低温烧结制备的LATP具有最佳的电导率,为1.1×10^(-4) S/cm。
    • 李水云; 高岩; 王淼; 吴庆念
    • 摘要: 采用固相反应法制备不同锆含量的锆钛酸钡钙(BCTZ_(x))的粉体,然后通过常压固相烧结制备BCTZ_(x)陶瓷。利用扫描电子显微镜,X衍射分析仪,压电与介电测试仪测量粉体及陶瓷的形貌、相结构及电学性能。结果表明,在研究涉及的不同锆掺量内,体系均为单一的立方相结构,掺杂没有引起结构相的改变;BCTZ_(0.05)陶瓷样品的致密度最大,压电常数最大为194 pC/N;BCTZ_(0.15)陶瓷样品的相对介电常数最大为7367,介电损耗最小为0.012。
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