SiC

摘要： 基于fluent软件,采用VOF和DPM模型对在搅拌作用下SiC颗粒增强铝基复合材料中铝熔体的流场分布和SiC颗粒在流场内部的空间分布过程进行数值模拟,分析搅拌过程中流场速度和叶片浸入深度对SiC颗粒在铝熔体中分散的影响.结果表明,容器中流场的最大速度分布在桨片叶端,随着搅拌桨转速增加,流场中径向方向和轴向方向的速度均不断增大,随着叶片浸入深度的增加,靠近容器底部和侧壁的流场速度逐渐增大,较大的流场速度有利于SiC颗粒在铝熔体中的分散;当叶片浸入深度一定时,自由液面的漩涡高度和深度随搅拌桨转速的加快而增加,当漩涡底部到达搅拌桨上端时,SiC颗粒开始进入流场内部扩散,在流场内上、下涡流的带动下实现均匀分散.

摘要： 针对SiC纤维增强SiC陶瓷基复合材料(SiC;/SiC)存在加工质量差、材料去除困难等问题,开展金刚石砂轮超声辅助螺旋磨削SiC;/SiC陶瓷基复合材料试验,研究其出口质量、孔壁形貌及孔壁表面粗糙度。结果表明:与传统制孔相比,超声辅助螺旋磨削制孔出口处材料无大面积崩边;砂轮磨削速度方向与纤维方向的夹角θ的周期性变化导致孔壁表面形貌呈现规律性变化。当θ在0°/180°时,纤维与基体多发生脱黏现象;当θ在45°时,纤维多发生剪切断裂;当θ在90°时,纤维多发生挤压断裂;当θ在135°时,纤维既发生剪切断裂又发生挤压断裂;孔壁表面粗糙度Sa在θ为90°时最低,在θ为135°时最高。在一定范围内,表面粗糙度Sa随着超声振幅的增大而降低,最大降幅为38.7%;随着进给速度的增大而升高,最大增幅为39.3%。

摘要： 采用前驱体浸渍热解(PIP)工艺制备了ZrC-SiC、ZrB_(2)-ZrC-SiC和HfB_(2)-HfC-SiC复相陶瓷基复合材料,复合材料中的超高温陶瓷相均呈现出亚微米/纳米均匀弥散分布的特征,对比研究了上述材料在大气等离子和高温电弧风洞考核环境中的超高温烧蚀行为。研究结果表明,超高温复相陶瓷基复合材料相比传统的未改性SiC基复合材料,烧蚀后复合材料表面原位生成了固液两相致密氧化膜,两相协同作用实现了抗冲蚀和抗氧化的效果,对液相SiO_(2)的流失起到了阻碍作用,提升了材料的超高温烧蚀性能。在此基础上,提出了设计超高温复相陶瓷基复合材料应考虑的因素。上述研究结果对陶瓷基复合材料在超高温有限寿命领域的应用具有一定的指导意义。

摘要： 研究了一种通过室温球磨和低温球磨相结合制备SiC/Mg非均匀镁基纳米复合材料的方法。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等手段对非均匀复合材料的微观结构进行分析,通过准静态压缩测试了SiC/Mg非均匀镁基纳米复合材料的性能,并对其强化机制和增韧机制进行了初步分析。研究结果表明,延长低温球磨时间可以减小软相的尺寸,同时细化硬相中的晶粒尺寸,从而达到提升复合材料强度和失效应变的效果。因此,通过调整球磨工艺可以优化SiC/Mg非均匀镁基纳米复合材料的微观结构和力学性能。

摘要： 基于芬顿反应的磁流变化学复合抛光加工原理,对单晶SiC基片进行磁流变化学复合抛光试验,研究工艺参数对其抛光效果的影响。结果表明:随着金刚石磨粒粒径的增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度先减小后增大;随着磨粒质量分数的增大,材料去除率增大,而表面粗糙度先减小后增大;当羰基铁粉质量分数增大时,材料去除率增大,而表面粗糙度呈先减小后增大的趋势;随着氧化剂质量分数增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度呈现先减小后增大的趋势;加工间隙对材料去除率的影响较大,加工间隙为1.0 mm时,加工表面质量较好;随着工件转速和抛光盘转速增大,材料去除率均先增大后减小,表面粗糙度均先减小后增大。获得的优化的工艺参数为:磨粒粒径,1.0μm;磨粒质量分数,5%;羰基铁粉质量分数,25%;过氧化氢质量分数,5%;加工间隙,1.0 mm;工件转速,500 r/min;抛光盘转速,20 r/min。采用优化的工艺参数对表面粗糙度约为40.00 nm的单晶SiC进行加工,获得表面粗糙度为0.10 nm以下的光滑表面。

摘要： SiC器件作为宽禁带半导体器件代表,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、高电压、高频率和高抗辐照等优越的物理和电气特性,在卫星电源系统中具有巨大的应用潜力。介绍了卫星电源系统发展的现状与趋势,论述了当前国际宇航研究机构对SiC功率器件在卫星电推进系统中应用的研究,并提出SiC器件在卫星中应用的单粒子需求趋势。分析认为SiC功率器件今后的研究重点在于单粒子失效机理的研究、辐照加固工艺完善以及器件改进。

摘要： 针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,但SiC器件在高压工作条件下易发生重离子单粒子效应;GaN材料有较好的抗低能重离子辐照特性,但对快重离子辐照,易发生辐照损伤,影响GaN器件性能;Ga_(2)O_(3)材料快重离子辐照下易发生结构损伤,影响Ga_(2)O_(3)器件性能。同时着重阐述了SiC器件重离子辐照响应特性与失效机理,以及GaN器件电学性能退化与材料结构损伤之间关系。

摘要： 以炭纤维无纬布/网胎针刺整体毡为增强体,先采用化学气相渗透法(chemical vapor infiltration,CVI)沉积热解炭制备C/C多孔体,之后使用CVI沉积SiC和压力熔渗Cu制备C/C-SiC-Cu复合材料。研究C/C多孔体密度和SiC含量(体积分数Φ,下同)对C/C-SiC-Cu复合材料弯曲性能的影响。结果表明,随着C/C多孔体密度和SiC含量增加,热解炭和SiC在炭纤维周围形成具有较高结合强度的界面,二者的增强作用得以充分发挥,C/C-SiC-Cu复合材料的抗弯强度显著增加。弯曲断裂时,热解炭和SiC基体对炭纤维的拔出有抑制作用,C/C-SiC-Cu复合材料的载荷−位移曲线呈起伏台阶式下降,表现出明显的假塑性断裂特征。

摘要： 笔者主要研究了表面改性对注浆成形SiC料浆固相含量、流变性和成形坯体密度与结构的影响,并进行机理分析。结果表明:表面改性对注浆成形SiC料浆的固相含量和粘度及成形坯体密度与结构均有较大影响,并制备出粘度较低、流动性较好、固相含量为73 vol%的注浆成形料浆,成形坯体密度达到2.698 g/cm^(3),且SEM显示坯体结构均匀。研究表明:改性剂与分散剂的良好作用能大大地改善粉体的分散性,从而提高料浆成形性能。

摘要： 通过辐照核能材料SiC,表征激光加速质子束连续宽能谱、短脉冲和高瞬态流强的特点。将SiC样品放置在距离靶体4 cm处,连续进行300发满足指数能谱分布的能量为1~4.5 MeV的激光加速宽能谱连续质子束辐照。表面和截面拉曼光谱显示辐照后的SiC散射峰强度减小,且拉曼光谱截面测量的整体趋势可以与SRIM模拟的能谱加权后的深度能损分布对应,从而通过实验对能量连续分布的激光加速质子束进行表征。此外,实验结果显示,激光加速质子束的短脉冲特性可在SiC表面产生相当高的瞬时束流密度。这种快速的宽能谱辐照为模拟反应堆中子辐照提供了可能性。

摘要： 采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解方法制备了SiC纳米棒。透射电镜图表明SiC纳米棒中包含有独特的层状结构，电子能谱表明SiC纳米棒中的C：Si组分比接近1：1。用X射线衍射和喇曼光谱表征了SiC纳米棒的结构和成分，层状结构为6H—SiC和3C-SiC交替形成带来的。利用光致发光谱在该层状结构中观察到强的紫外发射，认为强而锐的紫外发射峰是来源于厚度比较均一的6H-SiC层。

摘要： 采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解方法制备了SiC纳米棒。透射电镜图表明SiC纳米棒中包含有独特的层状结构，电子能谱表明SiC纳米棒中的C：Si组分比接近1：1。用X射线衍射和喇曼光谱表征了SiC纳米棒的结构和成分，层状结构为6H—SiC和3C-SiC交替形成带来的。利用光致发光谱在该层状结构中观察到强的紫外发射，认为强而锐的紫外发射峰是来源于厚度比较均一的6H-SiC层。

摘要： 采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解方法制备了SiC纳米棒。透射电镜图表明SiC纳米棒中包含有独特的层状结构，电子能谱表明SiC纳米棒中的C：Si组分比接近1：1。用X射线衍射和喇曼光谱表征了SiC纳米棒的结构和成分，层状结构为6H—SiC和3C-SiC交替形成带来的。利用光致发光谱在该层状结构中观察到强的紫外发射，认为强而锐的紫外发射峰是来源于厚度比较均一的6H-SiC层。

摘要： 采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解方法制备了SiC纳米棒。透射电镜图表明SiC纳米棒中包含有独特的层状结构，电子能谱表明SiC纳米棒中的C：Si组分比接近1：1。用X射线衍射和喇曼光谱表征了SiC纳米棒的结构和成分，层状结构为6H—SiC和3C-SiC交替形成带来的。利用光致发光谱在该层状结构中观察到强的紫外发射，认为强而锐的紫外发射峰是来源于厚度比较均一的6H-SiC层。

摘要： 介绍了SiC和Si3N4负载的Ni基催化剂在甲烷部分氧化方面的研究进展．研究表明，具有高导热、抗氧化和热稳定性能的SiC和Si3N4是甲烷部分氧化制合成气反应催化剂的理想载体．Ni/Sic在甲烷部分氧化反应中稳定性好．活性高、抗积炭性能强;而直接以具有优良机械强度和分级孔结构的生物形态SiC颗粒为催化剂载体，可以有效降低催化剂的传质阻力，通过Al2O3对其表面改性还可以有效地抑制活性组分的流失，提高催化剂的活性．以具有碱性表面的Si3N4为载体，进一步降低了催化剂的积炭量，提高了催化剂的稳定性。

摘要： 介绍了SiC和Si3N4负载的Ni基催化剂在甲烷部分氧化方面的研究进展．研究表明，具有高导热、抗氧化和热稳定性能的SiC和Si3N4是甲烷部分氧化制合成气反应催化剂的理想载体．Ni/Sic在甲烷部分氧化反应中稳定性好．活性高、抗积炭性能强;而直接以具有优良机械强度和分级孔结构的生物形态SiC颗粒为催化剂载体，可以有效降低催化剂的传质阻力，通过Al2O3对其表面改性还可以有效地抑制活性组分的流失，提高催化剂的活性．以具有碱性表面的Si3N4为载体，进一步降低了催化剂的积炭量，提高了催化剂的稳定性。

摘要： 介绍了SiC和Si3N4负载的Ni基催化剂在甲烷部分氧化方面的研究进展．研究表明，具有高导热、抗氧化和热稳定性能的SiC和Si3N4是甲烷部分氧化制合成气反应催化剂的理想载体．Ni/Sic在甲烷部分氧化反应中稳定性好．活性高、抗积炭性能强;而直接以具有优良机械强度和分级孔结构的生物形态SiC颗粒为催化剂载体，可以有效降低催化剂的传质阻力，通过Al2O3对其表面改性还可以有效地抑制活性组分的流失，提高催化剂的活性．以具有碱性表面的Si3N4为载体，进一步降低了催化剂的积炭量，提高了催化剂的稳定性。

摘要： 介绍了SiC和Si3N4负载的Ni基催化剂在甲烷部分氧化方面的研究进展．研究表明，具有高导热、抗氧化和热稳定性能的SiC和Si3N4是甲烷部分氧化制合成气反应催化剂的理想载体．Ni/Sic在甲烷部分氧化反应中稳定性好．活性高、抗积炭性能强;而直接以具有优良机械强度和分级孔结构的生物形态SiC颗粒为催化剂载体，可以有效降低催化剂的传质阻力，通过Al2O3对其表面改性还可以有效地抑制活性组分的流失，提高催化剂的活性．以具有碱性表面的Si3N4为载体，进一步降低了催化剂的积炭量，提高了催化剂的稳定性。

摘要： 介绍了用硅钼蓝-示差光度法快速测定Al2O3-SiC-C砖中SiC含量的新方法。试样用氢氟酸-硝酸-硫酸处理，使游离硅和二氧化硅(包括以硅酸盐形式存在的硅)生成挥发性的四氟化硅逸出，残渣加混合溶剂在1050°C的高温炉中熔融分解后，先用沸水溶取试样，再加酸酸化制得母液，加钼酸铵、草酸-硫酸混合酸和硫酸亚铁铵溶液显色，以矾土BHO419标样配制成的具有合适浓度的标液系列，示差光度法测定试液和标液的吸光度，通过采用绘制标准曲线求出或通过标样紧密内插法计算出试液中的SiO2量，最后换算出试样中的SiC量。由于对称样量、游离硅及二氧化硅(包括以硅酸盐形式存在的硅)的挥散、酸化加酸量等测定条件进行了试验优化，方法准确度高，使用结果令人满意。

摘要： 介绍了用硅钼蓝-示差光度法快速测定Al2O3-SiC-C砖中SiC含量的新方法。试样用氢氟酸-硝酸-硫酸处理，使游离硅和二氧化硅(包括以硅酸盐形式存在的硅)生成挥发性的四氟化硅逸出，残渣加混合溶剂在1050°C的高温炉中熔融分解后，先用沸水溶取试样，再加酸酸化制得母液，加钼酸铵、草酸-硫酸混合酸和硫酸亚铁铵溶液显色，以矾土BHO419标样配制成的具有合适浓度的标液系列，示差光度法测定试液和标液的吸光度，通过采用绘制标准曲线求出或通过标样紧密内插法计算出试液中的SiO2量，最后换算出试样中的SiC量。由于对称样量、游离硅及二氧化硅(包括以硅酸盐形式存在的硅)的挥散、酸化加酸量等测定条件进行了试验优化，方法准确度高，使用结果令人满意。

摘要： SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。

摘要： 本发明涉及SiC单晶生长用坩埚和使用了该SiC单晶生长用坩埚的SiC单晶的制造方法及SiC单晶制造装置。本发明的SiC单晶生长用坩埚具备容纳SiC原料的原料容纳部和支承在所述原料容纳部的上方配置的晶种的晶种支承部，所述原料容纳部具有内面朝向下方逐渐变细的缩窄部。

摘要： 本发明涉及一种利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面原位合成Ti3SiC2界面相的制备方法，先利用化学气相沉积法在SiC纤维表面制备一定厚度的热解碳以改变SiC纤维表面的化学组成；然后将其掩埋于含有Si和Ti元素的熔盐体系中；之后对其进行热处理，利用SiC纤维内部的SiC纳米晶粒与纤维表面的PyC以及熔盐环境中的Si和Ti反应合成出Ti3SiC2界面相。本发明首创采用CVD结合熔盐法，利用SiC纳米晶粒在SiC纤维表面通过原位合成的方式制备Ti3SiC2界面相，所得界面相与SiC纤维和后续基体可以实现较强的结合能力，而且该Ti3SiC2界面相具有与SiC纤维增强陶瓷基复合材料常用PyC和氮化硼界面相不同的增韧机制，相比之下其还具备更好的抗氧化性。

摘要： SiC衬底(1)具有偏角θ(°)。在SiC衬底(1)之上形成有膜厚Tm(μm)的SiC外延层(2)。在SiC外延层(2)的表面形成有三角缺陷(3)。将三角缺陷(3)中的向着衬底偏角方向的长度大于或等于Tm/Tanθ×0.9的三角缺陷的密度设为A，向着衬底偏角方向的长度比Tm/Tanθ×0.9短的三角缺陷的密度设为B，满足B/A≤0.5。

摘要： 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC籽晶、SiC晶锭、SiC晶片和具有外延膜的SiC晶片的新颖技术。本发明是一种用于SiC晶锭生长的SiC籽晶的制造方法，其具有：热处理步骤(S1)，在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理。这样，通过在包含Si元素和C元素的气氛下对SiC单晶体(10)进行热处理，可以制造高品质的SiC籽晶(11)。

摘要： 本发明所要解决的技术问题是提供一种与具有能够降低电阻的位错转变层的SiC衬底和SiC半导体相关的新技术。本发明是一种SiC衬底和一种SiC半导体装置，其包括掺杂浓度为1×1015cm‑3以上的位错转变层(12)。通过包括这样的掺杂浓度的位错转变层(12)，可以抑制基底面位错扩展而产生高电阻的层叠缺陷，可以降低制造SiC半导体装置时的电阻。

摘要： SiC单晶，在基本平行于其c‑平面的面内包括，具有特定方向伯格斯矢量(A)的边缘位错不均匀地分布于其中的区域(A)，和具有特定方向伯格斯矢量(B)不均匀分布于其中的区域(B)。所述区域(A)位于相对于晶面部分的方向，而所述的区域(B)位于相对于所述晶面部分的方向。SiC是通过沿着基本平行于所述c‑平面的方向切割由所述SiC单晶所得的SiC晶片而制备的，且从所述SiC晶片上切割所述SiC基板使得所述SiC基板主要包含所述区域(A)和所述区域(B)中的一个。使用所述SiC基板制备SiC器件。

摘要： 本发明属于材料制备领域，具体涉及一种SiCf/SiC复合材料的SiC纳米线增韧PyC/SiC复合界面及其制备方法。本发明的技术方案如下：SiCf/SiC复合材料的SiC纳米线增韧PyC/SiC复合界面，通过化学气相渗透工艺在SiC纤维预制体表面依次沉积PyC界面层、SiC纳米线和SiC界面层，形成陶瓷纤维与基体间的复合界面。本发明提供的SiCf/SiC复合材料的SiC纳米线增韧PyC/SiC复合界面及其制备方法，能够提升陶瓷复材的韧性及抗氧化性能且同时改善界面脆性。

摘要： 本发明所要解决的技术问题是提供一种能够实现高品质的SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭的新颖技术。本发明是一种SiC衬底(11)的制造方法，其具有对SiC原衬底(10)进行热处理的热处理步骤(S1)，热处理步骤(S1)包括下述(a)、(b)、(c)步骤中的两个以上的步骤：(a)去除SiC原衬底(10)的应变层(101)的应变层去除步骤(S11)；(b)去除SiC原衬底(10)上的宏观台阶聚束(MSB)的聚束去除步骤(S12)；(c)在SiC原衬底(10)上形成减少了基底面位错(BPD)的生长层(105)的基底面位错减少步骤(S13)。

摘要： 本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800°C以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外，本发明是一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800°C以上进行加热。