功率半导体

摘要： 为应对气候变化,2020年9月,中国宣布了“2030碳达峰”和“2060碳中和”的愿景。身处半导体赛道的行业巨头们,早就按捺不住内心的渴望,开始向“碳中和”市场进军。以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体(第三代半导体)成为市场聚焦的新赛道。

摘要： 近期有一家名为芯微电子的功率半导体芯片制造企业递交了创业板上市招股书。长期以来在大家的印象里,芯片行业属于“高精尖”行业,从业者大多数为硕士或博士学历。但在芯微电子的招股书中提到,在册员工中本科仅有16人,且本科已经是该公司在册员工中的最高学历。那么芯微电子真的就靠这16个本科生“搞”芯片吗?

摘要： 近期,苹果“爆料大神”郭明錤透露,苹果可能年某个时候推出下一款氮化镓充电器,最高支持30W快充,同时采用新的外观设计。与三星、小米、OPPO等厂商积极发力氮化镓快充产品相比,苹果在充电功率方面一直较为“保守”。去年10月,伴随新款MacBook Pro的发布,苹果推出了140W USB-C电源适配器,这是苹果首款采用氮化镓材料的充电器,售价729元。如今,苹果有望持续加码氮化镓充电器,氮化镓功率半导体市场有望迎来高歌猛进式发展。

摘要： 基于氮化镓(GaN)的产品可以取得更高的能效,帮助工程师设计出更紧凑的电源,适合各种消费、工业和汽车应用意法半导体Power GaN系列第一款产品现已投产;很快还将推出其他的不同封装和规格的产品服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出了一个新系列——氮化镓(GaN)功率半导体。

摘要： 全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。SiCrystal是一家总部位于德国纽伦堡的SiC(碳化硅)晶圆制造商,通过25年的发展,目前已将业务范围扩大到全世界,并拥有200多名员工。虽然公司规模不是很大,但是其关键技术现已作为SiC功率半导体广泛应用于世界各地的电动汽车中,该公司已经成为SiC晶圆市场的先进企业之一。

摘要： 近日,深交所正式受理了黄山芯微电子股份有限公司(简称“芯微电子”)的创业板上市申请。资料显示,芯微电子是一家专注功率半导体芯片、器件及材料研发、生产和销售的高新技术企业,产品以晶闸管为主,同时涵盖MOSFET、整流二极管和肖特基二极管及上游材料(抛光片、外延片、铜金属化陶瓷片)。公司产品广泛应用于工业控制、消费电子、电力传输等领域。

摘要： 据外媒报道,全球半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics)推出针对电动汽车和集中式(域和区域)电子架构优化的新型汽车微控制器(MCU),可降低电动汽车成本、提高续航里程,并提高充电速度。在当前的电动汽车中,基于SiC(碳化硅)的高效功率模块可实现最大的续航里程和更快的充电速度。电动汽车需要专用的高速信号处理器来控制先进的SiC功率半导体。意法半导体的Stellar E MCU专为下一代软件定义电动汽车设计,在芯片上集成了高速控制回路处理。

摘要： 近日,IGBT领域接连迎来好消息,闻泰科技、士兰微先后发布公告,各自宣布了在功率半导体领域的重大进展。闻泰科技公告称,公司的全资子公司Nexperia B.V.(下文称:安世半导体)于2021年设立了中国研究院,专注高压功率器件、模拟IC等新产品研发方向。目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor,以下简称"IGBT")系列产品已流片成功,取得阶段性重大进展,各项参数均达到设计要求。

摘要： 在双碳和国产化政策趋势推动下,随着下游新能源、电动汽车、工控等领域蓬勃发展,国产IGBT、FRED功率半导体器件的需求愈加旺盛。据宏微科技2月25日发布的业绩快报,受益于变频器、定制化、光伏、电动汽车产品的大批量导入,公司产品销售额大幅度增长;2021年实现营收5.23亿元、归母净利润6382.88万元,分别较上年同期增长57.76%、139.62%。对此,北京特亿阳光新能源总裁祁海珅告诉《证券日报》记者:“功率半导体在电控工控、光伏逆变器、风电变流器和PCS储能等领域已经成为非常重要的器件,市场空间达百亿级甚至千亿级,潜力很大。目前的供需矛盾比较大,业内普遍比较缺货,高压功率半导体更为缺货,预计今年下半年会缓和一些。”

摘要： 据日经报道,东芝子公司将在4月开始的新财年增加资本支出,以在需求旺盛的情况下扩大其主要生产基地的功率半导体器件的产能。据悉,东芝电子元件及存储装置株式会社已为2022财年(4月份起)指定投资1000亿日元(约合人民币53.04亿元),比2021财年(690亿日元支出)高出约45%。

摘要： 根据多年对新型功率半导体模块焊接工艺的研究，进一步探析了“真空+气体保护”焊接工艺及提高焊接质量的方法。

摘要： 功率半导体作为半导体行业的一个重要分支，大量应用于消费类电子、工业控制和国防装备，是节能减排的关键技术和基础技术。本文结合我国功率半导体市场需求，概要介绍了功率半导体发展的技术趋势以及面临的挑战和发展前景。同时根据我国功率半导体技术的发展现状，对未来我国功率半导体领域的发展方向和重点发展技术做了展望与建议。

摘要： 本文概述了各种功率半导体器件与功率集成电路的现状与最新发展动向,从新结构、新材料等方面展望了功率半导体技术的发展趋势,指出功率半导体技术正朝着高温、高频、低功耗、高功率容量以及智能化、系统化方向发展.

摘要： 该文介绍了功率半导体器件的发展过程及发展现状，并对其发展趋势作了预测。

摘要： 本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD所需的硬件条件。

摘要： 本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD所需的硬件条件。

摘要： 本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD所需的硬件条件。

摘要： 本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD所需的硬件条件。

摘要： 介绍了车辆电源管理系统的功能要求和结构框架,重点讨论了如何在车辆电源管理系统中运用现场总线CAN技术构建配电管理网络,对双冗余CAN总线的设计和实现机制进行了探索,系统实现了对车辆环境中分散用电设备的集中监控管理.

摘要： 介绍了车辆电源管理系统的功能要求和结构框架,重点讨论了如何在车辆电源管理系统中运用现场总线CAN技术构建配电管理网络,对双冗余CAN总线的设计和实现机制进行了探索,系统实现了对车辆环境中分散用电设备的集中监控管理.

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其中，具备：具有开口部的箱体；收容在箱体内的半导体元件；第一导体板，其收容在箱体内，并配置于半导体元件的一面侧；第二导体板，其收容在箱体内，并配置于半导体元件的另一面侧；正极汇流条，其用于与第一导体板电连接并供给直流电力；负极汇流条，其用于与第二导体板电连接并供给直流电力；第一树脂件，其用于闭塞箱体的开口部；第二树脂件，其用于密封半导体元件、第一导体板及所述第二导体板，并由与第一树脂件不同的材料构成。

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其中，具备：具有开口部的箱体；收容在箱体内的半导体元件；第一导体板，其收容在箱体内，并配置于半导体元件的一面侧；第二导体板，其收容在箱体内，并配置于半导体元件的另一面侧；正极汇流条，其用于与第一导体板电连接并供给直流电力；负极汇流条，其用于与第二导体板电连接并供给直流电力；第一树脂件，其用于闭塞箱体的开口部；第二树脂件，其用于密封半导体元件、第一导体板及所述第二导体板，并由与第一树脂件不同的材料构成。

摘要： 本发明提供一种功率半导体模块（1），包括：导电底板（2）；导电顶板，与底板（2）平行布置并与底板（2）隔开；至少一个功率半导体设备（3），布置在底板（2）上在底板（2）与顶板之间形成的空间中；以及至少一个压引脚（5、7），布置在底板（2）与顶板之间形成的空间中，以在半导体设备（3）与顶板之间提供接触，其中，金属保护板（11）设置在顶板的朝向底板（2）的内面，其中，保护板（11）的材料具有的熔融温度高于顶板的熔融温度。本发明还提供功率半导体模块组件，包括多个如上所述的功率半导体模块（1），其中，功率半导体模块（1）彼此并排布置，在相邻的功率半导体模块（1）之间具有电连接。

摘要： 本发明名称为“母座、功率半导体模块以及具有多个功率半导体模块的半导体模块组装件”。本发明提供具有支脚(8)的第一母座(6)，由此提供支脚(8)的基底(12)以接触功率半导体器件(3)的接触元件(4a、4b)，特别是在包含基板(2)和至少一个功率半导体器件(3)的功率半导体模块(1)中，该功率半导体模块在基板(2)上设置并与至少一个另外的母座(6、7)接触，由此提供绝缘部件(13)以与支脚(8)的外表面(14)电隔离。

摘要： 一种功率半导体装置，包括：至少一个功率半导体元件(6)；夹紧装置，包括第一夹紧元件(1)及第二夹紧元件(2)，所述功率半导体元件(6)布置在所述第一夹紧元件(1)与所述第二夹紧元件(2)之间；以及至少一个弹簧元件(4)，布置在所述第一夹紧元件(1)与所述功率半导体元件(6)之间，其中所述至少一个弹簧元件(4)具有用来支撑相邻元件的至少一个相应支撑表面的至少一个支撑表面。当所述弹簧元件压缩运动时，所述至少一个弹簧元件的所述至少一个支撑表面相对于所述至少一个相应支撑表面横向固定地布置。

摘要： 一种功率半导体器件，具有平面整流元件、基电极、第一焊料层、引线电极、第二焊料层以及第一密封部和第二密封部。基电极经由形成在整流元件的第一表面上的第一焊料层电连接到整流元件。引线电极经由形成在整流元件的第二表面上的第二焊料层电连接到整流元件。第一密封部由第一树脂形成并设置在凹部中，该凹部由整流元件的第一表面以及第一焊料层形成，或由整流元件的第二表面以及第二焊料层形成。第二密封部由第二树脂形成，并且第二密封部与第一密封部分开形成，以便覆盖第一密封部的外表面。

摘要： 本发明提供一种功率半导体模块（1），包括：导电底板（2）；导电顶板，与底板（2）平行布置并与底板（2）隔开；至少一个功率半导体设备（3），布置在底板（2）上在底板（2）与顶板之间形成的空间中；以及至少一个压引脚（5、7），布置在底板（2）与顶板之间形成的空间中，以在半导体设备（3）与顶板之间提供接触，其中，金属保护板（11）设置在顶板的朝向底板（2）的内面，其中，保护板（11）的材料具有的熔融温度高于顶板的熔融温度。本发明还提供功率半导体模块组件，包括多个如上所述的功率半导体模块（1），其中，功率半导体模块（1）彼此并排布置，在相邻的功率半导体模块（1）之间具有电连接。

摘要： 公开了竖向功率半导体器件、半导体晶片或裸管芯布置、载体和制造竖向功率半导体器件的方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括具有第一主表面(104)和与第一主表面(104)相对的第二主表面(106)的半导体本体(102)。半导体本体(102)的在第一主表面(104)和第二主表面(106)之间的厚度(d)在从40μm至200μm的范围内。有源器件元件(108)在半导体本体(102)中被形成在第一主表面(104)处。边缘终止元件(110)至少部分地围绕在第一主表面(104)处的有源器件元件(108)。扩散区(112)从第二主表面(106)延伸到半导体本体(102)中。扩散区(112)的掺杂浓度轮廓(c)在从1μm到5μm的范围内的竖向距离(Δy)上从在第二主表面(106)处的峰值浓度Ns减小到浓度Ns/e，e是欧拉数。

摘要： 本发明名称为“母座、功率半导体模块以及具有多个功率半导体模块的半导体模块组装件”。本发明提供具有支脚(8)的第一母座(6)，由此提供支脚(8)的基底(12)以接触功率半导体器件(3)的接触元件(4a、4b)，特别是在包含基板(2)和至少一个功率半导体器件(3)的功率半导体模块(1)中，该功率半导体模块在基板(2)上设置并与至少一个另外的母座(6、7)接触，由此提供绝缘部件(13)以与支脚(8)的外表面(14)电隔离。

摘要： 一种功率半导体装置，包括：至少一个功率半导体元件(6)；夹紧装置，包括第一夹紧元件(1)及第二夹紧元件(2)，所述功率半导体元件(6)布置在所述第一夹紧元件(1)与所述第二夹紧元件(2)之间；以及至少一个弹簧元件(4)，布置在所述第一夹紧元件(1)与所述功率半导体元件(6)之间，其中所述至少一个弹簧元件(4)具有用来支撑相邻元件的至少一个相应支撑表面的至少一个支撑表面。当所述弹簧元件压缩运动时，所述至少一个弹簧元件的所述至少一个支撑表面相对于所述至少一个相应支撑表面横向固定地布置。