AlN

摘要： 以AlN/环氧树脂复合材料为研究对象,使用ANSYS建立代表性体积元模型,对AlN颗粒填充环氧树脂的导热性能进行模拟分析,研究了AlN/环氧树脂导热性能随AlN添加量的变化规律,通过实验验证了可靠性。根据模型预报的最优化配方,制成具有良好导热性能和绝缘性能的AlN/环氧树脂复合材料。结果表明:随AlN含量增加,AlN/环氧树脂复合材料的导热系数逐渐提高。此外,AlN表面使用TC-114钛酸酯偶联剂改性后,不仅提高了环氧树脂和AlN界面之间的结合能力,而且可以进一步提升AlN/环氧树脂复合材料的导热系数。

摘要： 微电子技术的飞速发展对芯片基板和封装材料性能的要求越来越高。AlN陶瓷因其高热导率、高强度、线膨胀系数与硅接近、介电常数小、耐高温和耐腐蚀性能优异而被用作芯片基板和封装材料。主要从烧结技术和烧结助剂对AlN陶瓷性能影响方面综述了AlN陶瓷的研究进展,并指出了AlN陶瓷在制备及应用过程中存在的问题,展望了AlN陶瓷的发展趋势。

摘要： 为满足节能减排及可持续发展需要,钢材轻量化成为钢铁材料的重要发展方向。高锰高铝钢作为典型的低密度高强钢,已成为汽车用钢的重要组成部分。目前部分高锰高铝钢已进行量化生产,但钢的洁净度、夹杂物控制等仍不稳定,严重影响连铸工艺和材料性能。本文归纳和分析了高铝高锰钢脱氧对夹杂物的影响、夹杂物种类、演变过程以及AlN夹杂物形成机理,建议在AlN析出热力学基础数据方面加强研究。

摘要： 为了分析铝合金燃烧过程中存在的不同金属相间对氧气的竞争反应特性,采用热重-差示扫描量热(TG-DSC)对镁铝二元合金的氧化性能进行分析;采用X射线衍射仪(XRD)对反应前后样品的相组成进行检测;采用扫描电子显微镜(SEM)对反应物及产物的形貌进行观测;采用自制的燃烧反应装置对镁铝合金粉在空气中的燃烧过程进行了研究。结果表明,Mg-Al合金在空气中反应时,镁与氧气的反应优先于铝与氧气的反应;在10°C/min的升温速率下,镁与氧气的优先反应不能阻碍Al的氧化,二者的氧化产物会继续反应生成MgAl_(2)O_(4),该反应在温度高于800°C时变得更加明显;当镁铝合金发生燃烧时能观测到粒子的微爆现象,Mg与氧气的优先反应使得铝与N_(2)反应生成AlN;释能途径不同,使得铝的燃烧放热出现巨大的差别,当铝转化为AlN,其反应放热大大减少(约为12 kJ/g),只有其被氧化成Al_(2)O_(3)时放出热量的40%。

摘要： 该文基于掺钪AlN薄膜制备了高次谐波体声波谐振器(HBAR),研究了钪(Sc)掺杂浓度对AlN压电薄膜材料特性及器件性能的影响。研究表明,当掺入Sc的摩尔分数从0增加到25%时,压电应力系数e_(33)增加、刚度C^(D)_(33)下降,导致Al_(1-x)Sc_(x) N压电薄膜的机电耦合系数k^(2)_(t)从5.6%提升至15.8%,从而使HBAR器件的有效机电耦合系数(k^(2)_(eff))提升了3倍。同时,当Sc掺杂摩尔分数达25%时,Al_(1-x)Sc_(x) N(x为Sc掺杂摩尔分数)压电薄膜的声速下降13%,声学损耗提高,导致HBAR器件的谐振频率和品质因数降低。

摘要： NAK80是一种预硬塑胶模具钢,对应国产牌号1Ni3MnCuMoAl,因其是预硬状态交货,不再需热处理,加之良好的抛光性和雕饰性,在塑胶方向得到广泛应用。而钢的纯净度直接决定了该钢的抛光性,研究发现NAK80模具钢中夹杂物主要以AlN为主,若钢中含有微量的Ti,TiN会优先析出,AlN数量会大大减少。因该钢的AlN在固液两相区析出,电渣重熔对去除AlN夹杂物效果微乎其微,随着熔速的增快,AlN尺寸反而有长大的趋势,而在真空自耗重熔情况下,AlN会发生分解,AlN夹杂物也随之减少。本文主要研究分析NAK80钢中AlN夹杂物的形态、尺寸及形成方式,以及在经过电渣及真空自耗二次重熔后夹杂物的变化,和一些过程参数对AlN夹杂物的影响。

摘要： 采用35 t电弧炉-AOD脱碳-LF精炼-模铸工艺制备了17-7PH沉淀硬化不锈钢自耗电极,并通过气体保护电渣炉重熔得到了2 t重的电渣锭。利用ASPEX扫描电镜分析了电渣重熔前后17-7PH钢中夹杂物数量、尺寸、成分的变化规律,并采用SEM-EDS进一步观察夹杂物的形貌及组成。研究结果发现,电渣重熔后,O含量由6.6×10^(-6)降至5.7×10^(-6),N含量由200×10^(-6)降至180×10^(-6)。重熔前后夹杂物的类型没有变化,重熔后总的夹杂物数量大幅减少,特别是大颗粒夹杂物的数量明显减少、尺寸减小。电渣锭中总的夹杂物以AlN夹杂物为主,其尺寸较大、数量最多。为了提高17-7PH钢电渣锭的洁净度,应尽可能减少自耗电极中的N含量,以减少电渣重熔过程AlN夹杂物的生成量。

摘要： 通过实验及热力学分析得出,轧制10B21钢结疤形成主要原因为钢中平均N含量为127×10^(-6),导致铸坯角部冷却过程中在奥氏体晶界析出细小的BN和AlN夹杂,增加了铸坯的裂纹敏感性,形成铸坯裂纹。通过提高铁水比≥920 kg/t、转炉终点C-T-P(碳-温度-磷)命中率≥85%、出钢口圆流出钢以及LF加热次数≤3次,时间≤25 min等措施可将钢中的氮含量稳定控制在≤50×10^(-6),有效避免10B21钢轧后盘条结疤,提高成材率,降低成本。

摘要： 采用磁控溅射掩膜沉积技术,在n型Si衬底上制备了底栅型SnO/AlN压电门控二维复合薄膜场效应晶体管,利用XRD、SEM和EDX分析设备,对复合薄膜的晶体结构、形貌和成分进行了分析研究。实验发现,溅射沉积工艺可制备出表面光滑,质量较好的SnO和AlN单晶薄膜。利用AlN薄膜的压电特性,可将施加在AlN薄膜上的外应力转化为门控电压,并作用在SnO/AlN复合膜的SnO沟道上,使器件IDS电流随外部应力变化而改变。测试发现,器件对外应力表现出了较好的响应特性,并具有较高的响应灵敏度,灵敏度约为1.564 ×103 μA/N∙cm2,响应时间约为0.9 s。本文提出的新型底栅型SnO/AlN压电门控二维复合薄膜场效应晶体管,有望应用在柔性电子器件和可穿戴电子产品等领域。

摘要： 通过热力学和动力学计算相结合的方法,系统地分析了高磁感取向硅钢中AlN在均热过程中的析出机制.计算结果表明,在高磁感取向硅钢的均热温度下,AlN处在α+γ两相区,同时具备热力学析出条件.在均匀形核、晶界形核和位错形核3种机制下,AlN的临界形核尺寸处在同一数量级且随温度降低而减小.相同温度下,AlN晶界形核的临界形核功最小,相对形核率最大,即较易发生晶界形核.AlN在α相和γ相中均匀形核、晶界形核和位错形核的最快析出温度分别为1203 K、1303 K、1243 K和1 213 K、1 305 K、1 233 K.AlN在均热温度下以晶界形核为主.

摘要： 采用第一性原理计算的方法研究了氧在铅锌矿AlN(10-10)和(11-20)面的吸附结构与电子性质.发现氧原子吸附要比分子吸附在能量上更为稳定,而且O2在靠近表面的过程中能都自动分解,因此发生分子吸附的可能性很小。由于氧原子半径小,N—O和A1-O键都比较强,氧原子在表面的扩散很难发生。这可能是造成A1N薄膜中氧杂质含量较高的重要因素之一。通过电子结构分析表明,氧吸附使得带隙中原来的表面态消失而引入与氧相关的表面态.

摘要： 采用第一性原理计算的方法研究了氧在铅锌矿AlN(10-10)和(11-20)面的吸附结构与电子性质.发现氧原子吸附要比分子吸附在能量上更为稳定,而且O2在靠近表面的过程中能都自动分解,因此发生分子吸附的可能性很小。由于氧原子半径小,N—O和A1-O键都比较强,氧原子在表面的扩散很难发生。这可能是造成A1N薄膜中氧杂质含量较高的重要因素之一。通过电子结构分析表明,氧吸附使得带隙中原来的表面态消失而引入与氧相关的表面态.

摘要： 采用第一性原理计算的方法研究了氧在铅锌矿AlN(10-10)和(11-20)面的吸附结构与电子性质.发现氧原子吸附要比分子吸附在能量上更为稳定,而且O2在靠近表面的过程中能都自动分解,因此发生分子吸附的可能性很小。由于氧原子半径小,N—O和A1-O键都比较强,氧原子在表面的扩散很难发生。这可能是造成A1N薄膜中氧杂质含量较高的重要因素之一。通过电子结构分析表明,氧吸附使得带隙中原来的表面态消失而引入与氧相关的表面态.

摘要： 采用第一性原理计算的方法研究了氧在铅锌矿AlN(10-10)和(11-20)面的吸附结构与电子性质.发现氧原子吸附要比分子吸附在能量上更为稳定,而且O2在靠近表面的过程中能都自动分解,因此发生分子吸附的可能性很小。由于氧原子半径小,N—O和A1-O键都比较强,氧原子在表面的扩散很难发生。这可能是造成A1N薄膜中氧杂质含量较高的重要因素之一。通过电子结构分析表明,氧吸附使得带隙中原来的表面态消失而引入与氧相关的表面态.

摘要： AlN主要作为Hi-B钢生产的抑制剂来抑制初次晶粒的长大,促进二次再结晶.本文分析总结了国内外对Hi-B钢中AlN抑制剂固溶析出行为的研究工作,并提出了进一步研究的方向.

摘要： AlN主要作为Hi-B钢生产的抑制剂来抑制初次晶粒的长大,促进二次再结晶.本文分析总结了国内外对Hi-B钢中AlN抑制剂固溶析出行为的研究工作,并提出了进一步研究的方向.

摘要： AlN主要作为Hi-B钢生产的抑制剂来抑制初次晶粒的长大,促进二次再结晶.本文分析总结了国内外对Hi-B钢中AlN抑制剂固溶析出行为的研究工作,并提出了进一步研究的方向.

摘要： AlN主要作为Hi-B钢生产的抑制剂来抑制初次晶粒的长大,促进二次再结晶.本文分析总结了国内外对Hi-B钢中AlN抑制剂固溶析出行为的研究工作,并提出了进一步研究的方向.

摘要： 铝碳材料因具有优良的抗热震性而被广泛用来制作连铸用功能耐火材料。AlN作为一种新型高级耐火材料，具有抗热震性优良、不易被熔渣侵蚀等优点而逐渐受到人们的青睐。本试验采一定量AIN取代铝碳材料中部分石墨，研究AlN对铝碳材料性能的影响。结果表明：加入AlN试样有利于提高材料的高温抗折强度、抗冲刷性和抗热震性；由于AlN氧化时发生反应并有N2放出，为氧化性气体的进入提供了通道，并不利于铝碳材料抗氧化性的提高。

摘要： 铝碳材料因具有优良的抗热震性而被广泛用来制作连铸用功能耐火材料。AlN作为一种新型高级耐火材料，具有抗热震性优良、不易被熔渣侵蚀等优点而逐渐受到人们的青睐。本试验采一定量AIN取代铝碳材料中部分石墨，研究AlN对铝碳材料性能的影响。结果表明：加入AlN试样有利于提高材料的高温抗折强度、抗冲刷性和抗热震性；由于AlN氧化时发生反应并有N2放出，为氧化性气体的进入提供了通道，并不利于铝碳材料抗氧化性的提高。

摘要： 本发明的目的在于提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。该AlN晶须的制造方法中，在材料收容部(1200)的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从连通部(1220)向反应室(1300)导入Al气体，并且从气体导入口(1320)向反应室(1300)导入氮气，使AlN晶须(100)从配置于反应室(1300)的内部的Al2O3基板(1310)的表面生长。

摘要： 本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括：衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。半导体器件包括：AlN模板和氮化物半导体层；所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上；所述AlN模板为前述AlN模板。方法包括：提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。

摘要： 本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括：衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的。半导体器件包括：AlN模板和氮化物半导体层，所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上，AlN模板为前述AlN模板。方法包括：提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜；所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的。

摘要： 提供大直径跨距AlN晶体、生长AlN晶体的方法以及AlN晶体衬底，该AlN晶体可应用到不同类型的半导体器件，具有良好的结晶度。该AlN晶体生长方法是这样的一种方法，其中通过气相外延在放置在提供在反应腔内的晶体生长器皿(12)内的晶体生长室(24)内部的籽晶衬底(2)上生长AlN晶体(4)，并且其特征在于：在晶体生长期间，将含碳气体提供到晶体生长室(24)的内部。

摘要： 本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，由此能够制造大尺度、高品质的AlN晶体衬底；本发明提供了AlN晶体的生长方法，由此能够生长具有优异结晶度的大尺寸AlN；还提供了由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，包括：相对于异质衬底的直径r，利用升华法在异质衬底上生长厚度为0.4r以上的AlN晶体的步骤；和从距所述异质衬底不少于200μm的AlN晶体区域内形成AlN晶体衬底的步骤。另外，还提供通过升华法在利用该制造方法制造的AlN晶体衬底上生长AlN晶体的AlN晶体生长方法，并提供由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。

摘要： 本发明公开了一种n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管，其中，所述n型AlN欧姆接触结构包括晶圆结构和欧姆接触电极，其中，所述欧姆接触电极设置于所述晶圆结构上，所述晶圆结构包括自下而上依次设置的衬底层、过渡层、沟道层、渐变AlGaN层和n型GaN层，所述渐变AlGaN层中Al组分的含量自下而上逐渐从1变化到0。本发明使用n型掺杂的渐变AlGaN层，降低了欧姆接触电极与AlN之间的势垒高度，从而实现欧姆接触电极与n型AlN之间较低的欧姆接触电阻，有效降低了金属电极与n型AlN的欧姆接触电阻阻值。

摘要： 本发明的目的在于提供实现了抑制金属粒子的混入的AlN晶须的制造方法和制造装置、AlN晶须结构体和AlN晶须以及树脂成型体和其制造方法。该AlN晶须的制造方法中，在材料收容部(1200)的内部对含Al材料进行加热而产生Al气体，从连通部(1220)向反应室(1300)导入Al气体，并且从气体导入口(1320)向反应室(1300)导入氮气，使AlN晶须(100)从配置于反应室(1300)的内部的Al2O3基板(1310)的表面生长。

摘要： 本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括：衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的。半导体器件包括：AlN模板和氮化物半导体层，所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上，AlN模板为前述AlN模板。方法包括：提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜；所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的。

摘要： 本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括：衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。半导体器件包括：AlN模板和氮化物半导体层；所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上；所述AlN模板为前述AlN模板。方法包括：提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。

摘要： 本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，由此能够制造大尺度、高品质的AlN晶体衬底；本发明提供了AlN晶体的生长方法，由此能够生长具有优异结晶度的大尺寸AlN；还提供了由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，包括：相对于异质衬底的直径r，利用升华法在异质衬底上生长厚度为0.4r以上的AlN晶体的步骤；和从距所述异质衬底不少于200μm的AlN晶体区域内形成AlN晶体衬底的步骤。另外，还提供通过升华法在利用该制造方法制造的AlN晶体衬底上生长AlN晶体的AlN晶体生长方法，并提供由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。