无压烧结

摘要： 以α-Si_(3)N_(4)粉末为原料,Y_(2)O_(3)和MgAl_(2)O_(4)体系为烧结助剂,采用无压烧结方式,研究了烧结温度、保温时间、烧结助剂含量以及各组分配比对氮化硅致密化及力学性能的影响。结果表明:以Y_(2)O_(3)和MgAl_(2)O_(4)为烧结助剂体系,氮化硅陶瓷在烧结温度为1600°C,保温时间为4 h,烧结助剂含量为12.5%(质量分数),Y_(2)O_(3)和MgAl_(2)O_(4)质量比为1∶1时,综合性能最好;氮化硅陶瓷显气孔率为0.21%,相对密度为98.10%,抗弯强度为598 MPa,维氏硬度为15.55 GPa。

摘要： 以0.8B_(4)C-0.2SiC复合材料为基础,以TiC、酚醛树脂、聚醚酰亚胺和聚乙烯醇缩丁醛为添加剂,采用无压烧结技术制备B_(4)C-SiC-TiC复合陶瓷材料。通过测试TiC掺入量分别为3wt%、6wt%、9wt%、12wt%和15wt%时,在2150°C下无压烧结制备出的样品的微观结构和力学性能,研究TiC掺入量对复合材料烧结过程及性能的影响。结果表明,向B_(4)C-SiC复合陶瓷材料中掺入一定量的TiC,有利于复合材料的致密化烧结,同时可以提高复合材料的力学性能。TiC掺入量为9wt%时,样品气孔率最低,TiC掺入量为12wt%时,样品烧结程度最高;TiC掺入量为12wt%时,样品相对密度、弯曲强度和断裂韧性达到最大值,分别为94.5%、239MPa和4.91MPa·m^(1/2)。

摘要： 以部分碳化钛为增强相投入到碳化硅基体材料中,并投入微量炭黑和碳化硼为烧结活化剂,利用无压固相烧结技术制造了碳化硅基陶瓷复合材料。评测了其力学性能,凭借扫描电镜(SEM)观测了试样的断口形貌与表观形貌,并探讨了其氧化行为。结果表明:在碳化硅中投加部分碳化钛,对复合材料的力学性能有非常大地益处,于9 wt%时达到顶峰,弯曲强度497 MPa,相对密度98.9%,断裂韧性4.79 MPa·m^(1/2)。复合材料的显微组织构造紧致密实,TiC颗粒在SiC材料中的离散作用而激发的钉扎效果和裂纹偏移转向为其主要的增韧原理。在设定的氧化条件下(1200°C保温2 h),试样表面形成了一层较为致密并可以弱化氧化进程的氧化膜层。

摘要： 采用SiC微米级及亚微米级细粉作为基质制备直接结合的新型SiC耐火材料,分别研究不同粒径的细粉配比对2 100°C无压烧结后试样的体积密度、显气孔率和线性收缩等性能的影响。试验结果表明:在2 100°C烧结后,随着微米级及亚微米级SiC细粉量的增加,线性收缩率也在增加;基质部分为单纯亚微米级SiC细粉时,试样烧结活性要优于基质为微米级SiC细粉试样,以及基质为微米级-亚微米级SiC混合细粉试样。

摘要： 本文实验以高纯度氧化铝、氮化铝为原料,用氧化镁和氧化钇作为烧结助剂,干压成型后在氮气气氛下无压烧结制备氮氧化铝陶瓷。实验发现无压烧结长时间保温可以降低气孔数量,氮化铝与氧化铝含量分别为20?mol%,80?mol%时在1?880?°C烧成的样片致密度较好。

摘要： 本研究采用无压烧结法制备了不同La_(2)O_(3)掺杂量的粗颗粒WC-12Co硬质合金,研究了La_(2)O_(3)掺杂量对WC-12Co硬质合金密度、气孔率、断口形貌、硬度、相组成、摩擦因数等参数的影响。研究结果表明:随着La_(2)O_(3)掺杂量的增加,粘结相Co含量的相对降低导致WC-12Co硬质合金的密度逐渐降低,气孔率升高;La_(2)O_(3)掺杂量低于2.5%时,WC-12Co硬质合金的硬度和耐磨性有所提高,但La_(2)O_(3)掺杂量超过7.5%后,WC-12Co硬质合金的硬度和耐磨性下降;微量La_(2)O_(3)掺杂有利于烧结体颗粒尺寸的降低,随着La_(2)O_(3)掺杂量进一步增加,烧结体颗粒明显增大;因此,La_(2)O_(3)掺杂量低于2.5%有助于提高粗颗粒WC-12Co硬质合金的硬度和耐磨性,大于2.5%时将导致WC-12Co硬质合金性能下降。

摘要： 以碳化硼微粉和碳化硅微粉为主要原料,分别添加1%、1.5%、2%、2.5%、3%(w)的炭黑,经液压成型后置于生产用大型真空烧结炉内9个不同的位置,在2210°C(设定温度)保温60 min制备碳化硼陶瓷,然后检测不同位置烧结后试样的体积密度、相对密度、抗折强度和维氏硬度,并计算体积密度标准差。结果表明:1)随着炭黑加入量的增多,试样的相对密度、抗折强度和维氏硬度呈先增大后减小的变化趋势,体积密度标准差基本上呈先减小后增大的变化趋势,拐点均在添加2.5%(w)炭黑处;拐点处试样的相对密度、抗折强度、维氏硬度分别为98%、417.8 MPa、28.9 GPa。2)按最优配方生产的碳化硼陶瓷多曲整板的体积密度、相对密度、抗折强度、维氏硬度分别为2.59~2.61 g·cm^(-3)、≥97.5%、≥400 MPa、≥28 GPa。用热压罐复合工艺复合成的人体防弹插板按NIJ 0101.06 Ⅳ级防护标准进行测试,其背面凹陷深度最大为42.4 mm,满足防护标准要求。

摘要： 针对ZrB2陶瓷粉末在球磨时易掺入ZrO2,影响ZrB2陶瓷烧结致密化的问题,添加B4C作为烧结助剂,采用无压烧结法制备ZrB2陶瓷材料,研究B4C含量(w(B4C),下同)对材料微观形貌、硬度与抗弯强度的影响.结果表明,B4C通过与晶粒表面的ZrO2发生反应,抑制ZrB2晶粒粗化,减小晶粒尺寸,从而提高烧结致密度.随B4C含量增加,ZrB2陶瓷的晶粒尺寸和相对密度逐渐增大,抗弯强度和硬度先升高后降低.当w(B4C)为7％时,ZrB2晶粒细小,材料的抗弯强度和硬度(HV)达到最大,分别为242 MPa和12.65 GPa.w(B4C)增加至9％时,出现晶粒异常长大,材料力学性能下降.

摘要： 文中采用化学还原法制备出一种可以用于低温烧结的纳米银膏,通过对低温无压烧结纳米银焊点的组织结构、力学性能和失效模式进行了分析,系统地讨论了无压烧结焊点中烧结银组织的渐进性组织演变规律,获得了互连焊点尺寸对烧结银连接性能和可靠性的影响.在烧结温度250°C,保温时间1 h的条件下,焊点面积小于等于3 mm×3 mm时,无压烧结焊点强度可以达到70 MPa以上.随着尺寸的增加,焊点抗剪强度逐渐降低,但焊点尺寸为10 mm×10 mm时仍然保持20 MPa以上的抗剪强度.断面形貌表征结果显示,焊点面积越大,烧结银层塑性变形程度越低.所有尺寸焊点的断面形貌从中心到边缘处均存在渐进性的组织演变,边缘处均呈现剧烈的塑性变形.

摘要： 本文针对硬地层钻头寿命短、钻进效率低等问题,研制了一种新型超高胎体偏心齿钻头.该钻头通过条状或类条状设计提高了单齿工作压力;偏心布齿设计改善了钻进过程中钻头的切削齿受力状态,不但提高了钻头的强度,而且使得排浆更加通畅;扭面后支撑结构保证了钻头具有最高可至30 mm的超高胎体工作层.在钻头的制造工艺上,将无压烧结、热压烧结与二次镶焊3种工艺进行了有机结合,钻头金刚石热损伤小、钻头胎体强度高,保径优势明显,为深部硬地层高效长寿命钻进提供了技术支撑.

摘要： SiC是一种难烧结陶瓷材料,制备工艺复杂限制了SiC在许多领域的应用.本文分别利用常规无压烧结和反应无压烧结两种工艺制备SiC陶瓷,并且对制备出的SiC陶瓷的相、微观结构及力学性能进行测试表征.实验结果显示,SiC无压烧结过后没有新相产生,其密度为98.74％,维氏硬度为29.57 Gpa,抗弯强度为291.34MPa,断裂韧性为3.33MPa/m1/2;反应烧结SiC陶瓷表面的气孔很少,且晶粒细小均匀,晶粒之间的结合较紧密,其密度为99.36％,维氏硬度为22Gpa,抗弯强度为376.49MPa,断裂韧性为3.43MPa/m1/2.

摘要： 一定粒径SiC颗粒为骨料,亚微米级SiC超细粉为基质,以B4C为助剂,2 000°C以上无压烧结制备SiC耐火材料.研究了助剂B4C引入量(其加入质量分数为基质SiC粉的0、1％、2％、3％、4％)、亚微米级SiC加入量(其质量分数分别为20％、30％、40％、50％、60％)、烧结温度(1 950、2000、2050、2100、2150°C)对试样性能的影响.结果表明:当B4C引入亚微米级SiC的3％(w)时烧结效果最好;随亚微米级SiC量增加,烧结线收缩增加,力学性能增加;试样的最佳烧结温度为2050～2100°C.

摘要： MgAlON透明陶瓷是一种组分、性能介于γ-A1ON和MgAl2O4之间的新材料,可用作红外窗口、整流罩及白光LED灯罩等.作者以MgAlON粉体为原料,成型后置于碳管炉中,经1830～1930°C无压烧结,制得了MgAlON透明陶瓷,并分析了其微观结构与光学性能.结果表明,受烧结温度的影响,陶瓷中出现了几种典型气孔:晶界气孔、晶内气孔及晶界大孔隙.严格控制烧结温度,1870°C烧结20 h的MgAlON透明陶瓷具有结构致密、光学性能优异,红外波段最高透过率达80％.

摘要： SiC陶瓷具有耐高温、抗热震、耐腐蚀、抗冲刷、耐磨、重量轻及良好的热传导性能等优点,然而其高共价键性使其在没有烧结助剂的情况下难于烧结.Lee研究表明以三元碳化物Al4SiC4为添加剂在真空热压条件下促进了SiC的烧结,但是实验条件苛刻.本文探索了Al4SiC4作为烧结助剂对β-SiC无压烧结的影响,探讨了Al4SiC4的最优添加量及最佳烧结温度.

摘要： 本文通过正交试验研究了冷等静压成形工艺对无压烧结金刚石锯片刀头性能的影响,得出了最佳的成形工艺条件.使用该工艺生产的金刚石锯片,在试切试验中使用性能良好.

摘要： 碳化硅具有耐磨性好、耐高温、耐化学腐蚀等特性，目前已广泛应用到众多领域。本文以宁夏机械研究院无压碳化硅陶瓷生产实际情况为基础，介绍了目前碳化硅生产的工艺流程和无压烧结碳化硅的主要应用范围。

摘要： 采用机械合金化和无压烧结相结合的方法制备Bi85Sb15-xSnx (x=0,1,2,3)合金，利用XRD和SEM对材料的物相组成和微观结构进行了表征。在77~300 K的温度范围内，利用四引线法测量样品的电导率，利用直流微分法测量样品的热电势率，利用稳态法测量样品的热导率，并计算出材料的功率因子和ZT值随温度的变化关系。结果表明：利用Sn元素部分替代Bi85Sb15合金中的Sb元素后，Bi-Sb合金在低温下由n型导电机制转变为p型导电机制，通过计算得到的掺入Sn元素的合金的最大功率因子为1.67×10-3W/mK2，最小热导率为1.8 W/mK，最高的ZT值为0.15 (300 K)。

摘要： 以Li2CO3、ZrO2、Er2O3、(NH4)2HPO4为初始原料,采用传统的固相法合成了LiZr2(PO4)3基NASICON型锂离子电池固态电解质材料Li1+xErxZr2-x(PO4)3(x=0～0.2).通过无压烧结和放电等离子烧结法(SPS)烧结得到致密的电解质片,采用无压烧结过程中在样品中加入少许的PVA使得样品烧结致密.利用XRD、SEM、EIS分别测得样品的结构、形貌以及电性能.结果表明:通过SPS烧结的样品致密度可以达到92.6％.使用SPS烧结后的样品Li1.15Er0.15Zr1.85(PO4)3在常温下的晶粒和总电导率分别为2.2×10-4和8.8×10-6 S·cm-1.样品的激活能为0.36 eV.

摘要： 采用凝胶注模成型技术和无压烧结工艺,通过调节Al2O3空心球添加量,成功制备出了性能优异的多孔Si3N4陶瓷.在保持固相含量为50％(质量分数)的基础上,研究了Al2O3空心球含量对多孔Si3N4陶瓷材料的孔隙率、物相组成和微观组织结构的影响,分析了力学性能与组织结构之间的关系.结果表明,通过改变Al2O3空心球的含量,制备得到孔隙率介于44.98％～51.02％的多孔Si3N4陶瓷:随着Al2O3空心球含量的增加,多孔Si3N4陶瓷的孔隙率先减小然后稍有增大,而弯曲强度和断裂韧性则先增大后减小,分别存在最大值(125.1±3.6) MPa 和(2.38±0.07) MPa·m1/2.

摘要： 结合溶胶凝胶法和传统无压烧结方法原位合成的磁电PZT/NiFe2O4复相陶瓷，经XRD结果表明在750°C热处理后可以完全转变为PZT相和NiFe2O4相.样品经1 150°C烧结2 h可以得到致密度较高的复相陶瓷，NiFe2O4相晶粒均匀分散在PZT基体中;NiFe204相发育均匀，尺寸分布在2～5岬左右，PZT晶粒也明显生长.复相陶瓷样品可以被充分极化，在4JD kV/cm的测试电场下饱和极化强度是3.6 μC／cm2，剩余极化强度是1.4μC／cm0;同时，磁电性能得到进一步改善。l kHz下具有27 mV，(伽·Oe)的磁电系数.

摘要： 本发明涉及3D打印技术领域，具体涉及一种用于3D打印的无压快速烧结装置及烧结方法。无压快速烧结装置包括炉体、底座、上电极、下电极、上石墨电极、下石墨电极、烧结模具、电流控制系统和烧结控制系统；上石墨电极和所述下石墨电极分别位于烧结模具两端，上石墨电极和下石墨电极分别与上电极和下电极相连，下电极通过底座与炉体隔开；电流控制系统与上电极和下电极连接，用于控制上电极和下电极的电压和电流；烧结控制系统与电流控制系统连接，用于控制设备的启动和烧结工艺参数。本发明有效地解决目前快速烧结设备无法用于3D打印复杂结构件烧结的问题，极大地提高了生产和研发效率，本发明可以获得具有纳米晶陶瓷特殊性能的3D打印产品。

摘要： 一种用于载送将在压烧结工艺中烧结的至少一个产品的压烧结工艺产品载体包括：顶侧；限定在顶侧中，并且被构造为用于在其中接纳产品和用于在产品接纳凹陷部的凹陷底部上载送产品的产品接纳凹陷部；包围产品接纳凹陷部的顶部侧表面；固持凹槽和真空连接，固持凹槽设置在顶部侧表面中并包围产品接纳凹陷部，真空连接与固持凹槽流体连接以允许在固持凹槽中提供真空来用于固持设置在产品接纳凹陷部和固持凹槽上方的材料膜、箔或片；和凹陷气体入口和凹陷气体出口，凹陷气体入口布置在产品接纳凹陷部中来用于将气体引入到产品接纳凹陷部中，凹陷气体出口布置在产品接纳凹陷部中来用于从产品接纳凹陷部提取气体以允许提供从凹陷气体入口到凹陷气体出口的气体流来用于冲洗产品接纳凹陷部。

摘要： 本发明公开了一种阵列式陶瓷预制体烧结单元单体与高通量无压烧结方法，通过对陶瓷颗粒进行表面改性，与合金粉末机械混合，置于石墨模具中预压形成烧结单体。然后再在高通量真空无压烧结炉中进行烧结制得。本发明通过控制陶瓷预制体烧结单元单体内陶瓷颗粒组分、尺度、表面改性方法、合金粉末成分及加入量实现单批次、高通量陶瓷颗粒预制体的制备。所制备的预制体可广泛应用于制备磨辊、板锤、锤头、斗齿、衬板、叶轮、铰刀头等耐磨复合材料所需的耐磨层中，同时具有操作简单，成本低，效率高的优势。

摘要： 本发明涉及一种低温无压烧结纳米陶瓷用高烧结活性复合纳米ZrO

摘要： 本发明公开了一种粉末冶金闸片摩擦体组件无压烧结工装及烧结方法，烧结工装包括底板、侧板、背板、顶板、压板、隔板和顶紧螺杆，其中：所述底板、侧板、背板和顶板连接形成工装外壳，工装外壳内部形成烧结腔体；所述隔板用于盛载摩擦体组件、并依次重叠放置于所述烧结腔体内，所述压板放置于最顶层的隔板上；在所述顶板中部设置有螺纹通孔，所述顶紧螺杆从上端旋进顶板的螺纹通孔内，用于紧顶烧结腔体内的压板及重叠放置的隔板。本发明主要采用无压烧结工装使摩擦体组件实现限位烧结，从而摆脱加压烧结，解决摩擦体组件烧结尺寸和性能不稳定等问题，并使摩擦体组件利用无压烧结工装实现连续式烧结炉烧结，从而提高烧结效率，实现大规模生产。

摘要： 本发明公开了一种阵列式陶瓷预制体烧结单元单体与高通量无压烧结方法，通过对陶瓷颗粒进行表面改性，与合金粉末机械混合，置于石墨模具中预压形成烧结单体。然后再在高通量真空无压烧结炉中进行烧结制得。本发明通过控制陶瓷预制体烧结单元单体内陶瓷颗粒组分、尺度、表面改性方法、合金粉末成分及加入量实现单批次、高通量陶瓷颗粒预制体的制备。所制备的预制体可广泛应用于制备磨辊、板锤、锤头、斗齿、衬板、叶轮、铰刀头等耐磨复合材料所需的耐磨层中，同时具有操作简单，成本低，效率高的优势。

摘要： 本发明涉及一种低温无压烧结纳米陶瓷用高烧结活性复合纳米ZrO

摘要： 本发明公开了一种无压烧结工艺制备的陶瓷制品，涉及陶瓷制备技术领域。一种无压烧结工艺制备的陶瓷制品，包括下列重量份的原料：钾长石50‑58份、石英7‑13份、硼砂20‑25份、氧化铝5‑10份、滑石5‑10份、海藻酸钠3‑5份、羟丙基甲基纤维素0.5‑1份、玻璃废渣50‑100份、玻璃纤维30‑50份、贝壳粉3‑8份、二氧化钛5‑10份、二氧化锆5‑10份、白云石10‑15份。本发明的金属搪瓷釉料黏度好、强度高，所得陶瓷制品表面光滑、白色时尚感强、无鳞爆现象。

摘要： 本发明公开了一种高密度无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，属于陶瓷制备技术领域，包括粉料处理，制备混合粉，混合粉改性，压制，真空脱脂，烧结；所述粉料处理，将碳化硅粉末加入到处理剂中，将温度升高后进行搅拌，搅拌10‑20min后使用紫外灯进行紫外照射，紫外照射40‑50min后，停止搅拌和紫外照射，并将温度降低至室温，得到粉料液，然后对粉料液进行抽滤，将滤渣烘干，得到处理后的粉料；本发明的制备方法能够在提高碳化硅陶瓷的断裂韧性，降低碳化硅陶瓷的脆性的同时，提高碳化硅陶瓷的高温强度及抗弯强度、抗氧化性、耐腐蚀性、抗磨损等性能。

摘要： 本发明公开了一种无压烧结碳化硅陶瓷研磨盘的制作方法，具体步骤包括：造粒粉的制备、增韧材料的加入、碳纤维编织体的浸渍处理、研磨盘坯体的预成型、研磨盘坯体的加工、研磨盘坯体的烧结、研磨盘的加工处理。本发明制得的研磨盘韧性好，径向强度高，可靠性好；本发明方法工艺简单、生产成本低、生产效率高，适于产业化制备高性能的碳化硅陶瓷研磨盘。