低温烧结

摘要： 以Na_(2)CO_(3)、K_(2)CO_(3)、Li_(2)CO_(3)、Nb_(2)O_(5)和GeO_(2)为原料,通过常规固相反应法制取掺杂0.5wt%GeO_(2)的(K_(0.5-x/2)Na_(0.5-x/2)Li_(x))NbO_(3)(KNLN)(x=0.05、0.055、0.06、0.065、0.07、0.075、0.08、0.085)无铅压电陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、阻抗谱(IS)和扫描电子显微镜(SEM)研究烧结助剂GeO_(2)对(K_(0.5-x/2)Na_(0.5-x/2)Li_(x))NbO_(3)陶瓷致密度、相组成、显微结构和电性能的影响。结果表明:GeO_(2)的加入有效地降低烧结温度,烧结发生在920~1025°C的较宽温度范围内;除x=0.085外,所有陶瓷均能良好烧结并具有纯钙钛矿结构;当LiNbO_(3)的含量小于0.07时,随着LiNbO_(3)含量的增加,居里温度T_(C)逐渐升高,正交-四方相的转变温度T_(O-T)逐渐降低;当LiNbO_(3)的含量等于0.07时,正交-四方相的转变温度T_(O-T)降至室温,压电性能较好。

摘要： 为解决成本低廉的铜基导电油墨在空气中、低温烧结时极易氧化而限制其在柔性电子器件领域广泛应用的问题,探究烧结工艺对其导电性的影响。以微米级片状铜粉溶入混合有机溶剂制备导电油墨,以毛笔直书的方法制备导电图案,并在空气中对导电图案进行操作简便的红外烧结,同时对其表面进行多次喷涂抗坏血酸(Vc)的水溶液并进行热压处理,结果发现,随Vc水溶液喷涂次数增加和红外烧结时间延长,导电图案的电阻率呈下降趋势,经45 min的烧结后从3.7×10^(2)Ω·cm下降到1.2×10^(-5)Ω·cm,XRD分析证实导电图案喷涂去离子前后均为纯铜峰。对Vc水溶液作用机理研究证实,在烧结温度约50°C及pH值<4.0的酸性环境下,图案电阻率逐渐降低且保持良好稳定性,证实Vc提供了良好的还原性环境。通过SEM观察发现,烧结过程中Vc水溶液喷涂及热压处理的协同作用可以使铜片的连结更加致密,这有助于其导电性及粘附性的进一步提高。在室温、空气中,对低温烧结制备的片状铜基导电油墨图案进行多次喷涂Vc水溶液烧结及热压协同处理,能够有效降低其电阻率同时大幅提高其烧结组织的致密性,实现其在柔性电子器件等领域的广泛应用。

摘要： 为降低氧化铝陶瓷的烧结温度,分别采用固相法和水热法制备了CaMgSi_(2)O_(6)和CaTiO_(3),并将其按比例进行复合,作为氧化铝陶瓷烧结添加剂。采用X射线衍射仪对添加剂物相组成进行研究,采用扫描电子显微镜(SEM)对氧化铝陶瓷微观结构及烧结性能进行研究,采用维氏硬度计、液压式材料万能试验机,对氧化铝陶瓷材料力学性能进行研究。结果表明:2种方法制备的添加剂中都含有一定量的杂质。水热法制备的添加剂对氧化铝陶瓷烧结性能的影响比固相法制备的添加剂显著,在其他条件相同的条件下,采用固相法制备的添加剂,氧化铝陶瓷在1350°C烧结6 h后其致密度随添加剂使用量的增加呈先增加后减小的趋势;而采用水热法制备的添加剂,其致密度则随添加剂使用量的增加而增加。低温烧结氧化铝陶瓷的硬度和抗弯强度,随添加剂添加量的增加,均表现出先减小后增加的趋势。当添加剂添加量为10%时,硬度最小;当添加剂使用量为12%时,抗弯强度最小。

摘要： 随着电力电子器件向着更高功率密度、更小体积和更高集成度等方向发展,特别是第三代半导体SiC和GaN功率芯片的应用,研究满足高功率密度、高工作电压、耐高温的功率器件封装用互连材料成为近年来的重要课题,开发低温连接、高温服役的高可靠性无铅互连材料具有重要意义。低温烧结铜基浆料具有价格低廉、导电导热性能好、抗电迁移等优点,是新型功率器件封装互连中理想的连接材料之一。通过结合纳米银和纳米铜浆料的优点能够获得连接稳定、烧结和服役性能可靠的铜基接头。概述了包括纳米铜银混合浆料、纳米铜银合金浆料以及银包铜复合浆料等铜基浆料的常见制备技术,阐释了各种浆料的烧结机理和接头性能,并对高性能铜基浆料的应用前景进行了展望。

摘要： 考察了复合添加剂0.4%CuO-0.5%TiO_(2)-0.1%Nb_(2)O_(5)(均为质量分数,下同)掺杂Al_(2)O_(3)陶瓷材料的显微结构和微波介电性能。结果表明,添加量为1%(质量分数)的0.4%CuO-0.5%TiO_(2)-0.1%Nb_(2)O_(5)复合添加剂可以有效地降低Al_(2)O_(3)陶瓷的烧结温度;1150°C时烧结的样品显微结构均匀且相对密度可以达到96%;随着烧结温度升高材料密度也随之增大,但是出现了晶粒异常长大以及杂相物质聚集现象;这种低温烧结的Al_(2)O_(3)陶瓷材料具有较高的Q×f值(Q为品质因数,f为谐振频率),在1150°C下烧结样品的最大Q×f值为64632 GHz,讨论了低温下Al_(2)O_(3)陶瓷材料致密化的原因,及其异常的晶粒长大行为和微波介电性能的变化趋势。

摘要： 将CuO、B_(2)O_(3)和Li_(2)O共掺,低温烧结制备了BaTiO_(3)陶瓷,探讨了随着烧结温度的提高,BaTiO_(3)陶瓷样品密度、物相组成和显微结构的变化。结果表明:CuO、B_(2)O_(3)和Li_(2)O共掺可有效降低BaTiO_(3)陶瓷的烧结温度;在950°C保温2 h可获得密度为5.75 g/cm^(3)(相对密度为95.6%)的四方相的BaTiO_(3)陶瓷,但更高的烧结温度会使样品密度下降,当烧结温度为1100°C时样品密度仅为5.23 g/cm^(3)(相对密度为86.9%);所得BaTiO_(3)陶瓷的显微结构随着烧结温度的升高出现明显变化,晶粒迅速长大。0.7%CuO-1.5%B_(2)O_(3)-0.3%Li_(2)O(BCL)(0.7%、1.5%、0.3%为质量分数)共掺时产生的低共熔相和固溶反应是降低烧结温度的主要原因。

摘要： 采用合成NaA型沸石为主要原料,田菁粉为造孔剂,通过模压法在低温下烧结得到一种多孔陶瓷膜,探讨了烧结温度和造孔剂含量对多孔陶瓷膜孔隙率、孔径、弯曲强度和氮气渗透量的影响。结果表明:提高造孔剂含量可增大陶瓷膜的孔隙率,使其具有较好的气体渗透性;温度对多孔陶瓷膜的性能影响较大,温度太低不能满足强度需求,温度达到900°C时转变为三斜霞石结构,形成致密膜结构,孔隙率降低,氮气渗透量急剧下降;在最优烧结温度800°C和造孔剂含量5%条件下制备的陶瓷膜,弯曲强度最高值为14.57 MPa,孔隙率为30.99%,平均孔径为12.91 nm,在0.25 MPa压力下氮气渗透量为312 m^(3)·m^(-2)·h^(-1)。所制备的陶瓷膜具有运用于超滤领域的潜在可能性。

摘要： 笔者通过向95氧化铝陶瓷中添加不同量的纳米SiO_(2),采用干压成形工艺制备样品,探究了不同烧结温度和纳米SiO_(2)添加量对95氧化铝陶瓷烧结性能和力学性能的影响,并通过扫描电镜对氧化铝陶瓷的断面形貌进行了观察。实验结果表明:当纳米SiO_(2)添加量为2%,烧结温度为1600°C时,样品的晶粒尺寸均一,体积密度最高为3.70g/cm^(3),抗弯强度和断裂韧性分别达到最大值342.89MPa和5.34MPa·m^(1/2)。相比未添加纳米SiO_(2)样品的抗弯强度和断裂韧性分别提高了34.28%和4.5%。

摘要： 通过液相化学还原法制备Ag-Cu固溶体纳米颗粒,采用低温热压烧结工艺制备“三明治”结构的互连接头.采用X射线衍射仪对所制备的Ag-Cu固溶体纳米颗粒及烧结体进行物相表征;采用能谱仪对所制备的Ag-Cu固溶体纳米颗粒的元素进行表征;采用纳米粒度仪对Ag-Cu固溶体纳米颗粒粒径进行表征;通过扫描电子显微镜对互连接头的烧结组织和剪切断面形貌进行观察,分析颗粒烧结情况和互连接头断裂模式.结果表明,通过液相化学还原的方法实现了室温下铜在银中的超饱和固溶,其中Ag原子分数为62.29%,Cu原子分数为37.71%,远超常温下常规块体材料的固溶度.所制备的纳米颗粒在250°C以内保持相对稳定的固溶体相,260°C时发生相分离.当烧结温度为300°C、烧结压力20 MPa时,所获得的互连接头具有优异的力学性能,平均抗剪强度达到105 MPa,且烧结组织呈现完整的脉络状,剪切断面全部为韧窝状,属于韧性断裂.

摘要： 采用传统固相烧结工艺,在875°C低温保温3 h条件下制备了0%~0.75%(摩尔分数)SnO_(2)掺杂ZnBiMnNbO基压敏陶瓷。采用高精度分析天平、XRD、SEM、EDS及高精度源表等研究了SnO_(2)含量变化对所制备材料显微结构及电学特性的影响。结果表明:在所研究范围内,SnO_(2)含量升高增大了材料的相对密度,并促进含铌Bi_(2)Sn_(2)O_(7)焦绿石新相的形成。因此,材料的平均晶粒直径由4.38μm减小至4.04μm,压敏电压由727 V/mm升高到1024.37 V/mm,非线性系数由32.37提升至52.64,漏电流密度由13.5μA/cm^(2)降低至1.55μA/cm^(2)。研究结果可为低成本、高非线性、高压压敏陶瓷的研制提供借鉴。

摘要： 烧结厂推行应用低温烧结技术,解决熔融型烧结方法带来的诸多问题,取得了显著的成效,烧结矿多项技术经济指标达到国内一流水平.

摘要： 以Si粉体作为起始原料,以Zr02-Y203-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和热导率的影响规律.实验发现,氧化锆的引入可以明显降低烧结温度,在1800°C.实现氮化硅陶瓷的无压烧结.材料的密度可以达到99％以上,热导率达到72w/m·K.

摘要： 系统研究了MgO-CaO-Al2O3-SiO2体系玻璃中碱土金属氧化物的相对含量对流变/析晶及其低温烧结行为的影响.结果表明:随R值(R=MgO/MgO+CaO)从0到1变化,低温区粘度(1012～109Pa·s)逐渐降低,动力学脆性指数逐渐增大;流变性质在该体系玻璃粉末的粘滞流动烧结过程中(750°C保温0.5h)起着关键作用,当R=1时因其较低的粘度值而具有最大的致密度.在此基础上进一步研究了MgO-Al2O3-SiO2玻璃(即R=1)在700°C的保温时间对其烧结行为的影响,NaMg3AlSi3O10F2晶相优先析出,随时间延长NaAlSiO4晶相开始出现,并伴随着NaMg3AlSi3O10F2晶相的消耗,这引起烧结微晶玻璃中剩余玻璃相的网络联接程度逐渐降低,因此导致微晶玻璃先收缩再膨胀,密度先增大再降低.

摘要： 将La2O3-B2O3-ZnO(LBZ)微晶玻璃作为烧结助剂添加到BaO-Nd2O3-TiO2(BNT)微波介质陶瓷中,以实现BNT陶瓷的低温烧结,并对其烧结特性、相组成、微观结构和介电性能进行了系统的研究.结果表明:LBZ玻璃的加入,明显降低了BNT陶瓷的烧结温度,添加质量分数为30％的LBZ玻璃能够在850°C下烧结致密,获得良好的介电性能:εr=14.4,tan6=1.62×10-3.表明这种体系可用作高频应用低温共烧材料.

摘要： 发展汽车尾气废热回收的热电发电技术,对实现中国节能减排目标的实现具有重大意义.汽车尾气的典型温度范围要求热电装置能够在高温下长期工作,导致装置界面互联成为热电技术进步的瓶颈,而近年来出现的新型界面材料纳米银膏有望解决这一难题.本项目拟针对汽车尾气废热回收的高密度热电发电装置的界面互联,选用耐高温、低成本的高ZT值热电材料,开展热电单元与热沉的界面连接技术研究,获得有低接触热阻、低接触电阻、耐高温性能、抗热冲击性能及杜绝银迁移能力的界面互联技术,并保证长期可靠性.

摘要： 针对高钛型钒钛磁铁矿制粒差与难烧结的缺陷,近五年来,采用大配比的生石灰与活性灰、锥形逆流分级强化制粒,改进点火器结构与布局、实施分段点火,提高混合料温度、高负压大风量烧结、布料改进,推行环冷机雾化冷却技术、改进成品转运站漏子结构与整粒筛子等一系列强化技术,烧结取得了重大技术突破,烧结矿强度达到72.5％以上,烧结机利用系数达到1.39t/(m2.h)以上,产量突破1250万t,满足了高炉用科与精料要求;今后通过强化原燃料准备、实施复合造块与烧结料面喷吹和添加剂的低温烧结等技术的研究与应用,钛型钒钛磁铁矿烧结技术还会有较大提升空间.

摘要： 采用传统熔体冷却法制备了K2O-B2O3-Al2O3-SiO2玻璃,探讨了B2O3含量对玻璃热膨胀系数与抗弯强度的影响规律.以优选的玻璃组成作为刚玉砂轮结合剂材料,研究了烧成温度与保温时间对刚玉砂轮强度、孔隙率及显微结构的影响.研究表明,B2O3含量的变化对该体系玻璃的热膨胀系数影响不大,但是能显著改变玻璃的强度值,当B2O3含量为9wt.％时,玻璃的抗弯强度最高可达112MPa.适当提高烧结温度和保温时间有利于提高刚玉砂轮的强度,当烧成温度为1000°C保温时间为4h时,可获得最高强度为101MPa的砂轮试样.SEM分析表明,砂轮断面中磨料颗粒的脱落方式为沿晶断裂,表明结合剂对磨料颗粒具有很好的把持能力.

摘要： 采用传统熔体冷却法制备了K2O-B2O3-Al2O3-SiO2玻璃,探讨了B2O3含量对玻璃热膨胀系数与抗弯强度的影响规律.以优选的玻璃组成作为刚玉砂轮结合剂材料,研究了烧成温度与保温时间对刚玉砂轮强度、孔隙率及显微结构的影响.研究表明,B2O3含量的变化对该体系玻璃的热膨胀系数影响不大,但是能显著改变玻璃的强度值,当B2O3含量为9wt.％时,玻璃的抗弯强度最高可达112MPa.适当提高烧结温度和保温时间有利于提高刚玉砂轮的强度,当烧成温度为1000°C保温时间为4h时,可获得最高强度为101MPa的砂轮试样.SEM分析表明,砂轮断面中磨料颗粒的脱落方式为沿晶断裂,表明结合剂对磨料颗粒具有很好的把持能力.

摘要： 采用传统熔体冷却法制备了K2O-B2O3-Al2O3-SiO2玻璃,探讨了B2O3含量对玻璃热膨胀系数与抗弯强度的影响规律.以优选的玻璃组成作为刚玉砂轮结合剂材料,研究了烧成温度与保温时间对刚玉砂轮强度、孔隙率及显微结构的影响.研究表明,B2O3含量的变化对该体系玻璃的热膨胀系数影响不大,但是能显著改变玻璃的强度值,当B2O3含量为9wt.％时,玻璃的抗弯强度最高可达112MPa.适当提高烧结温度和保温时间有利于提高刚玉砂轮的强度,当烧成温度为1000°C保温时间为4h时,可获得最高强度为101MPa的砂轮试样.SEM分析表明,砂轮断面中磨料颗粒的脱落方式为沿晶断裂,表明结合剂对磨料颗粒具有很好的把持能力.

摘要： 采用传统熔体冷却法制备了K2O-B2O3-Al2O3-SiO2玻璃,探讨了B2O3含量对玻璃热膨胀系数与抗弯强度的影响规律.以优选的玻璃组成作为刚玉砂轮结合剂材料,研究了烧成温度与保温时间对刚玉砂轮强度、孔隙率及显微结构的影响.研究表明,B2O3含量的变化对该体系玻璃的热膨胀系数影响不大,但是能显著改变玻璃的强度值,当B2O3含量为9wt.％时,玻璃的抗弯强度最高可达112MPa.适当提高烧结温度和保温时间有利于提高刚玉砂轮的强度,当烧成温度为1000°C保温时间为4h时,可获得最高强度为101MPa的砂轮试样.SEM分析表明,砂轮断面中磨料颗粒的脱落方式为沿晶断裂,表明结合剂对磨料颗粒具有很好的把持能力.

摘要： 本发明公开了一种快速提高烧结矿低温还原粉化指数的烧结矿生产方法，通过烧结配料使烧结矿包含如下百分比的化学成分；烧结配料中使用的熔剂为生石灰与菱镁石、白云石、轻烧白云石等含镁熔剂中的一种或几种混合，且烧结配料中生石灰配比达到6％以上；生石灰活性度在280ml以上，生石灰中氧化钙含量在82％以上，且生石灰中氧化钙含量的波动范围为≤5％；通过增加蒸汽预热、热水预热将混合料的温度提高至露点温度以上；严格烧结终点位置控制在倒数第二或第一个风箱处。采用上述工艺方法可以快速有效的提高烧结矿的低温还原粉化指数，使得烧结矿低温还原粉化指数RDI+3.15快速的达到60％以上，稳定高炉炉况，降低高炉炉况失常带来的安全问题和经济损失。

摘要： 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5-20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880-1000°C下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。

摘要： 本发明涉及一种表面进行抗氧化保护的铜颗粒的形成方法、低温烧结铜膏及使用其的烧结工艺。一种表面经抗氧化保护的铜颗粒的形成方法用以降低铜颗粒的表面氧化，其中，利用有机可焊接保护剂对铜颗粒的表面进行修饰，以对铜颗粒表面进行抗氧化性保护，该有机可焊性保护剂利用间硝基苯磺酸钠而附着于铜颗粒的表面。

摘要： 本发明公开了一种无烧结助剂低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法，涉及压电陶瓷材料领域，能够制得无需添加烧结助剂、烧结温度低、压电常数高、居里温度高的压电陶瓷材料。本发明提供的压电陶瓷材料的化学式为：xBi(Zn1/2Ti1/2)O3–yBiScO3–(1‑x‑y)PbTiO3。本发明采用固相反应法制备三组元粉体，然后经过造粒，压片，排胶，最后烧结等工艺制备陶瓷材料。结果表明在750°C~850°C的烧结温度下制备出具有高居里温度、相对致密度大于93%、高压电常数的压电陶瓷材料。该材料在叠层压电滤波器、叠层压电微位移器、超声电机等方面具有良好的应用，是一种具有发展前景的适用于低温共烧陶瓷技术的压电材料。

摘要： 本发明提供了一种用于选择性激光烧结的高层厚低温烧结方法，包括如下步骤：首先在工作缸活塞上铺设层厚为0.01～0.05mm的金属粉末，然后在所述金属粉末上铺设层厚为0.3～2.0mm的高分子粉末，将上述两层粉末预热至设定温度，所述设定温度比高分子粉末的熔点低10～150°C；采用CO

摘要： 本发明提供一种即使在如100°C左右以下的低温也能够烧结的、新颖的低温烧结性铜粒子及使用该低温烧结性铜粒子的烧结体的制造方法。本发明的低温烧结性铜粒子被羧酸类包覆，并且其表面以铜粒子中的氧化亚铜比率(Cu2O/(Cu+Cu2O))为4质量％以下、或氧化亚铜的平均包覆厚度为10nm以下的方式被氧化。在0.01Pa以下的环境下对此低温烧结性铜粒子进行低温烧成。

摘要： 本发明解决如下问题：对于SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结陶瓷材料而言，特别是将其作为原料工业上制造多层陶瓷基板时，存在原料批次间的品质(特别是烧结性)易于产生偏差。本发明中，作为用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)而使用的陶瓷材料使用以下材料：以SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结陶瓷材料作为基本成分，并且相对于该SiO2-BaO-Al2O3系基本成分100重量份，作为副成分含有以Fe2O3换算计为0.044～0.077重量份的铁，和以ZrO2换算计为0.30～0.55重量份的锆。优选的是所述SiO2-BaO-Al2O3系基本成分分别含有47～60重量％的SiO2，20～42重量％的BaO，5～30重量％的Al2O3。

摘要： 通过在每100重量份的由含Ti介电材料组成并在表面部分含有包括Ti和Zn的氧化物的介电颗粒团聚物中混合2.5－20重量份的玻璃组分制得低温可烧结的介电陶瓷组合物。通过在880－1000°C下对这种低温可烧结的介电陶瓷组合物进行烧结生产低温烧结的介电陶瓷。使用这种低温可烧结的介电陶瓷组合物，可以获得具有由Ag、Cu或含有至少其中一种的合金制成的内电极的多层电子元件。

摘要： 一种低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法，包括：S1：配置纳米银溶液；S2：将纳米铟颗粒加入纳米银溶液，获得铟掺杂纳米银浆液，所述铟掺杂纳米银浆液内，铟占总质量比的范围为0.05％‑2.5％；S3：采用混合器对铟掺杂纳米银浆液做均匀混合处理，获得铟掺杂纳米银烧结膏。本发明解决了现有的纳米银膏体烧结后裂纹较多，孔隙率较大，连接强度较低的的技术问题，有效提高银烧结膏热学，电学，力学性能可靠性。

摘要： 本实用新型公开了一种用于低温烧结压电陶瓷材料的烧结设备，包括第一电源、第二电源、支撑机构、第一安装块、第二安装块，第一安装块通过升降机构与第二安装块连接；所述第一安装块、第二安装块的内部分别对应设置有第一烧结盘、第二烧结盘，且第一烧结盘与第二烧结盘构成烧结腔；所述第一烧结盘、第二烧结盘的内壁分别沿弧形嵌入式的对应设置有电性连接的若干个铬镍导电丝，且第一电源与铬镍导电丝电性连接。本实用新型通过设置铬镍导电丝，达到了控制第一电源对铬镍导电丝进行供电，使得第一烧结盘和第二烧结盘的周围产生电场，在电场的影响下降低烧结所需的温度以及烧结所需的时间的效果，具有较好的实用性。