厚膜电阻

摘要： 厚膜电阻的阻值与膜层厚度密切相关。文中研究了低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic,LTCC)厚膜电阻尺寸对印制电阻膜厚和阻值的影响。结果显示,用同一印刷网版、同一方阻标称值浆料印制电阻时,不同尺寸的电阻得到不同的膜厚和实际方阻值。电阻尺寸越小,所印制电阻越厚,电阻方阻越小;电阻尺寸越大,电阻方阻越大,但方阻增大趋势减慢。对电阻尺寸影响印制膜层厚度的原因进行了分析,电阻的端头电极和网版乳胶层对不同尺寸电阻的印制膜厚有不同的影响。对于不同尺寸的厚膜电阻,其干膜厚度与方阻的乘积为具有较小标准偏差的常数。

摘要： 在AlN基板上,使用IKTS电阻浆料制作了4种方阻的厚膜电阻,确定了AlN基板用电阻的阻值与设计方数的关系,推算出了不同方数下的电阻设计比例.测试了电阻的温度系数,测量结果均小于150×10-6/°C.使用激光调值机对4种方阻的电阻进行调值,经150°C、1000h高温存储,阻值变化率＜1.5％.

摘要： 通过厚膜集成电路中厚膜电阻设计与制造技术研究,摸索出厚膜电阻端头效应、印刷方向、加厚膜层等因素对阻值影响规律,并开发出一套厚膜电阻设计软件,从而提高厚膜集成电路设计效率和厚膜电阻制造阻值一致性。

摘要： 随着电子信息技术和移动通信技术的发展,厚膜电阻的应用越来越广泛.然而,如何准确测量厚膜电阻的阻抗和驻波比频率特性成为了一个难点.建立和分析微带线终端加载厚膜电阻的电路模型,使电阻在电路中匹配,再对应地建立终端短路的电路,最后联合求解出厚膜电阻的阻抗和驻波比频率特性.实测表明,这种测量方法是可行、准确的,对射频厚膜电阻的制造工艺和质量检测有着重要意义.%With the development of electronic information technology and mobile communication technology, thick film resistors have been more and more widely applied. However, how to accurately measure the impedance and standing wave ratio( SWR) of the thick film resistors has become a difficult problem. A matched terminated circuit model and a corresponding short circuit model are established and analysed,with which the impedance and SWR frequency characteristics of TFR are jointly resolved. The measurement results show that the method is feasible and accurate,which has important sense for the manufacturing process and quality detection of RF thick film resistors.

摘要： 针对目前汽车燃油腐蚀造成的汽车油位传感器采集油位信号不准的问题,以及汽车燃油泵及其油位传感器被燃油腐蚀而引发的车辆抛锚事故.本文基于厚膜电阻设计了一种即可不受燃油腐蚀影响而能够准确采集油位信号,又能够对燃油腐蚀程度进行故障预警的油位传感器.

摘要： 本文对厚膜电阻浆料领域的专利状况和重点申请人进行了梳理,对厚膜电阻浆料的研究趋势进行了深入探讨.

摘要： 目的厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见。方法通过恒温氧化实验研究了TiB_2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700°C下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析了未掺杂及TiB_2掺杂两种厚膜电阻的相组成和显微组织。结果两种厚膜电阻的氧化动力学曲线均符合类抛物线模型,即(Δw)n=kt。在400°C下,两种厚膜电阻的指数n均为4,掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K1为1955.8 g4/(m8·h),而未掺杂TiB_2电阻膜的氧化速率常数K2为4694.9 g4/(m8·h),这是由于掺杂TiB_2厚膜电阻的致密度较高,使得厚膜电阻的抗氧化性能得以提高。高于500°C时,两种厚膜电阻的指数n均为2,掺杂TiB_2厚膜电阻的氧化速率常数大于未掺杂厚膜电阻。这是由于TiB_2氧化致使膜层内部出现间隙,膜层内部氧化严重(氧化产物主要为TiO_2、B_2O_3、Fe_2O_3以及(Fe_(0.6)Cr_(0.4))_2O_3),厚膜电阻抗氧化性能降低。结论不锈钢厚膜电阻中掺杂TiB_2可在400°C下提高膜层的抗氧化性能,而在500°C以上的高温环境下却有损于膜层的抗氧化性能。

摘要： 从某型国产涡轴发动机压力传感器基本组成和工作原理出发，针对故障现象和特点，开展故障原因分析，得出了相应的结论，并提出了改进的合理建议，有利于提高发动机的可靠性。

摘要： RCP系列厚膜电阻采用0505、0603和251291、形尺寸，用于高功率表面贴装射频应用。这些器件具有非常高的导热率，使用主动温度控制的情况下功率等级可达22W。

摘要： 厚膜电阻是混合集成电路中最重要元件之一，在设计厚膜电阻时，不仅要考虑几何图形的尺寸，而且还要考滤厚膜电阻的材料、烧结工艺和印制膜厚等因素。设计人员在设计厚膜电阻图形时，必须知道厚膜电阻材料的方阻，但是，材料厂家提供的资料，只能作为参考，不能直接应用。为满足设计人员的需要，设计不同宽度和不同长度的标准图形，在一定工艺条件下印烧后测其电阻并制成电阻表，设计人员利用这种电阻表辅助设计。这种方法往往也需要根据实际的印烧结果反复调整设计参数，才能满足的设计要求。本文通过建立基于一定工艺的电阻与方数的关系数据库，且编制相应的应用程序，通过程序调用已建立的数据库，再按一定的计算方法计算出设计所需的电阻方数。通过这种方式和计算机辅助方法，可很好地解决厚膜电阻的设计问题。

摘要： 随着汽车工业的发展，汽车传感器技术也在飞速的发展新型厚膜电阻筒式燃油传感器是与发动机燃油系统配套的传感器，该燃油表传感器的测量机构采用厚膜电阻方式、铍青铜导电片，是属于技术比较先进和可靠的传感器。本文介绍了测量机构采用厚膜电阻方式和铍青铜导电片的新型筒式燃油传感器的结构、特点及工作原理。

摘要： 本文对具有金属导电性能的BaPbO3的合成进行了阐述。文章确定了合成最低电阻率的摩尔配比，以方阻和电阻温度系数为特征参数对BaPbO3厚膜电阻性能进行了分析，通过掺银的方法改善厚膜电阻电阻温度系数负值偏大的状况。

摘要： 本文通过厚膜电阻器例行可靠性实验中噪声测量和分析,与常规测量参数的对比,探讨了噪声用于厚膜电阻器例行可靠性实验表征的可行性.

摘要： 本文重点研究了MCM-C基板中厚膜电阻寿命的分布及退化规律,试验结果表明厚膜电阻的寿命分布服从威布尔分布.

摘要： 研究了导电相和玻璃相对共烧厚膜电阻表面状况和稳定性的影响。结果表明：当厚膜电阻中玻璃相软化点接近或低于基板中玻璃相的软化点时，共烧厚膜电阻与基板保持良好的工艺匹配；当厚膜电阻的热膨胀系数接近基板的热膨胀系数时，电阻具有较好的常温、高温等稳定性。Ｘ射线衍射分析表明，厚膜电阻与基板之间的不良反应降低电阻的稳定性。

摘要： 本文研究了厚膜PTC电阻的电性能随烧结工艺的变化规律,确定了在不同的烧结制度下的最佳烧结峰值温度，比较了两种烧结工艺条件下烧结的厚膜PTC电阻性能的差异。结果表明：厚膜PTC电阻对烧结温度敏感,随着烧结峰值温度上升,方阻Rs下降,电阻温度系数TCR上升，烧结工艺条件决定了厚膜PTC电阻的电性能。

摘要： 本文研究了厚膜PTC电阻的电性能随烧结工艺的变化规律,确定了在不同的烧结制度下的最佳烧结峰值温度，比较了两种烧结工艺条件下烧结的厚膜PTC电阻性能的差异。结果表明：厚膜PTC电阻对烧结温度敏感,随着烧结峰值温度上升,方阻Rs下降,电阻温度系数TCR上升，烧结工艺条件决定了厚膜PTC电阻的电性能。

摘要： 本文研究了厚膜PTC电阻的电性能随烧结工艺的变化规律,确定了在不同的烧结制度下的最佳烧结峰值温度，比较了两种烧结工艺条件下烧结的厚膜PTC电阻性能的差异。结果表明：厚膜PTC电阻对烧结温度敏感,随着烧结峰值温度上升,方阻Rs下降,电阻温度系数TCR上升，烧结工艺条件决定了厚膜PTC电阻的电性能。

摘要： 本文从技术实现的角度出发,介绍了采用MCM-C/D技术实现微波毫米波模块微小型化的途径,并阐述了国内外的发展动态.

摘要： 一种具有金红石型晶体结构的氧化钌粉末，其中，根据通过X射线衍射法测定的(110)面的峰值所算出的晶粒直径D1为25nm以上且80nm以下，根据比表面积所算出的比表面积直径D2为25nm以上且114nm以下，并且，所述晶粒直径D1(nm)与所述比表面积直径D2(nm)之比满足下式(1)。0.70≤D1/D2≤1.00···(1)。

摘要： 一种具有金红石型晶体结构的氧化钌粉末，其中，根据通过X射线衍射法测定的(110)面的峰值所算出的晶粒直径D1为25nm以上且80nm以下，根据比表面积所算出的比表面积直径D2为25nm以上且114nm以下，并且，所述晶粒直径D1(nm)与所述比表面积直径D2(nm)之比满足下式(1)。0.70≤D1/D2≤1.00···(1)。

摘要： 本发明的课题在于提供一种厚膜电阻用组合物、厚膜电阻糊和厚膜电阻，所述厚膜电阻用组合物在电阻形成时使用由脉冲微调的调整手法，使得作为可调整的电阻值变化量的电阻值降低率为较大。所述厚膜电阻用组合物为含有由氧化钌与钌酸铅的混合粉末构成的氧化钌系导电物粉末和玻璃粉的厚膜电阻用组合物，进一步含有16质量％以上33质量％以下的银粉末，使得在将添加了有机载体的厚膜电阻糊进行烧结而形成厚膜电阻时，厚膜电阻中使用由脉冲微调的调整手法可调整的电阻值的降低率大于5％。

摘要： 提供了厚膜电阻用组成物、厚膜电阻用膏体及厚膜电阻。该厚膜电阻用组成物包括不含铅成分的氧化钌粉末以及不含铅成分的玻璃，氧化钌粉末中根据(110)晶面的峰值计算出的微晶径D1为25nm以上80nm以下，比表面积径D2为25nm以上114nm以下，且，微晶径D1(nm)与比表面积径D2(nm)之比满足以下公式(1)，0.70≤D1/D2≤1.00 (1)；玻璃包含SiO2、B2O3以及RO(R是从Ca、Sr以及Ba中选择的1种以上的元素)，在SiO2与B2O3与RO的合计量为100质量份的情况下，SiO2的含有比率为10质量份以上50质量份以下，B2O3的含有比率为8质量份以上30质量份以下，RO的含有比率为40质量份以上65质量份以下。

摘要： 一种厚膜电阻膏，包括：含铜粉和锰粉的导电金属粉末、玻璃粉以及有机媒介物，所述厚膜电阻膏的特征在于，所述玻璃粉主要包含碱土金属。

摘要： 提供一种不含铅成分,而包含氧化钌粉末、玻璃粉末及硅石粉末的厚膜电阻体用组成物。所述玻璃粉末包含SiO2、B2O3及RO(R表示选自Ca、Sr、Ba中的1种以上的碱土类元素)，在所述SiO2、所述B2O3及所述RO的合计含量为100质量份的情况下，所述SiO2的含有率为10质量份以上50质量份以下，所述B2O3的含有率为8质量份以上30质量份以下，所述RO的含有率为40质量份以上65质量份以下，所述硅石粉末是比表面积为60m2/g以上300m2/g以下的非晶质硅石粉末，在所述氧化钌粉末与所述玻璃粉末的合计含量为100质量份的情况下，所述硅石粉末的含有率为1质量份以上12质量份以下。

摘要： 本发明的课题在于提供一种厚膜电阻用组合物、厚膜电阻糊和厚膜电阻，所述厚膜电阻用组合物在电阻形成时使用由脉冲微调的调整手法，使得作为可调整的电阻值变化量的电阻值降低率为较大。所述厚膜电阻用组合物为含有由氧化钌与钌酸铅的混合粉末构成的氧化钌系导电物粉末和玻璃粉的厚膜电阻用组合物，进一步含有16质量％以上33质量％以下的银粉末，使得在将添加了有机载体的厚膜电阻糊进行烧结而形成厚膜电阻时，厚膜电阻中使用由脉冲微调的调整手法可调整的电阻值的降低率大于5％。

摘要： 提供了厚膜电阻用组成物、厚膜电阻用膏体及厚膜电阻。该厚膜电阻用组成物包括不含铅成分的氧化钌粉末以及不含铅成分的玻璃，氧化钌粉末中根据(110)晶面的峰值计算出的微晶径D1为25nm以上80nm以下，比表面积径D2为25nm以上114nm以下，且，微晶径D1(nm)与比表面积径D2(nm)之比满足以下公式(1)，0.70≤D1/D2≤1.00(1)；玻璃包含SiO

摘要： 一种厚膜电阻用玻璃组合物，其特征在于，具有下述成分：选自CaO、SrO、BaO中的一种或两种以上：13摩尔％～45摩尔％；B2O3：0～40摩尔％(但，不含0)；SiO2：17摩尔％～72摩尔％(但，不含72摩尔％)；ZrO2：0～10摩尔％(但，不含0)；选自Ta2O5、Nb2O5中的一种或两种以上：0摩尔％～10摩尔％(但，不含0)。玻璃组合物与导电材料及有机载体混合从而构成厚膜电阻用浆料，通过对其进行例如印刷、烧结，以构成厚膜电阻。实现了无铅化、TCR和STOL优良的高电阻的厚膜电阻。

摘要： 本发明涉及不含铅、温度特性(TCR)优良的厚膜电阻。其为在玻璃中分散有导电性材料的厚膜电阻，玻璃中含有贵金属元素。贵金属元素例如为Ag或者Pd。玻璃中所含有的贵金属元素的含量为小于等于10质量％。为了在玻璃中导入贵金属，将贵金属作为添加物来添加，控制烧成厚膜电阻时的烘焙时间、冷却速度。或者在厚膜电阻膏中使用预先溶入贵金属元素的玻璃组合物。