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厚膜电阻及其制法、厚膜电阻用玻璃组合物及厚膜电阻膏

摘要

本发明涉及不含铅、温度特性(TCR)优良的厚膜电阻。其为在玻璃中分散有导电性材料的厚膜电阻,玻璃中含有贵金属元素。贵金属元素例如为Ag或者Pd。玻璃中所含有的贵金属元素的含量为小于等于10质量%。为了在玻璃中导入贵金属,将贵金属作为添加物来添加,控制烧成厚膜电阻时的烘焙时间、冷却速度。或者在厚膜电阻膏中使用预先溶入贵金属元素的玻璃组合物。

著录项

  • 公开/公告号CN1825504A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-08-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TDK株式会社;

    申请/专利号CN200610008343.8

  • 发明设计人 五十岚克彦;田中博文;

    申请日2006-02-17

  • 分类号H01C7/00(20060101);H01B1/14(20060101);C03C3/00(20060101);H01C17/06(20060101);

  • 代理机构11243 北京银龙知识产权代理有限公司;

  • 代理人钟晶

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 17:33:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-03-10

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2006-10-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-08-30

    公开

    公开

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