LTCC

摘要： 低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-Fired Ceramics,LTCC)封装能将不同种类的芯片等元器件组装集成于同一封装体内以实现系统的某些功能,是实现系统小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。总结了LTCC基板所采用的封装方式,阐述了LTCC基板的金属外壳封装、针栅阵列(Pin Grid Array,PGA)封装、焊球阵列(Ball Grid Array,BGA)封装、穿墙无引脚封装、四面引脚扁平(Quad Flat Package,QFP)封装、无引脚片式载体(Leadless Chip Carrier,LCC)封装和三维多芯片模块(Three-Dimensional Multichip Module,3D-MCM)封装技术的特点及研究现状。分析了LTCC基板不同类型封装中影响封装气密性和可靠性的一些关键技术因素,并对LTCC封装技术的发展趋势进行了展望。

摘要： 以常规的微带天线为基础,开展基于人工磁导体(AMC)的天线单元研究,通过人工材料的使用提升天线辐射效率,改善天线带宽。依次研究加载人工磁导体的天线单元设计、尺寸分析、误差分析、网格地分析等,最终根据仿真结果完成一款2×2子阵的LTCC基板加工。对2×2子阵的测试结果表明加载人工磁导体结构有效展宽天线带宽并提升增益,证明加载AMC结构的天线具有高效率辐射特性。

摘要： 针对LTCC基板方阻浆料和金属浆料的后烧特性与共烧特性均存在差异的现象,本文通过后烧实验,不仅证明了电阻值的变化会随着后烧峰值温度、保温时间和浆料的差异而变化,而且验证了电阻值不变情况下的金属浆料的烧结完成温度,并对此温度下烧成的基板进行了金丝键合拉力测试以及膜层附着力测试。指出可以利用不同的后烧曲线进行后烧电阻值的微调,也可以利用金属浆料与方阻浆料的后烧温度差实现外观问题基板的修补而不引起电阻的变化。

摘要： 厚膜电阻的阻值与膜层厚度密切相关。文中研究了低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic,LTCC)厚膜电阻尺寸对印制电阻膜厚和阻值的影响。结果显示,用同一印刷网版、同一方阻标称值浆料印制电阻时,不同尺寸的电阻得到不同的膜厚和实际方阻值。电阻尺寸越小,所印制电阻越厚,电阻方阻越小;电阻尺寸越大,电阻方阻越大,但方阻增大趋势减慢。对电阻尺寸影响印制膜层厚度的原因进行了分析,电阻的端头电极和网版乳胶层对不同尺寸电阻的印制膜厚有不同的影响。对于不同尺寸的厚膜电阻,其干膜厚度与方阻的乘积为具有较小标准偏差的常数。

摘要： 为了实现小型化、结构对称、差分效果好的LC差分滤波器,以低温共烧陶瓷(LTCC)技术为基础,以截止频率2.4 GHz为目标,设计出了一款低通差分滤波器。先通过ADS给出一个单端的LC滤波电路,再采用垂直螺旋式电感和垂直直插式电容相耦合的模型,在HFSS中仿真实现,最后利用差分电路原理将其转换成了差分结构的LC滤波器,设计并实现了截止频率为2.4 GHz,具有在通带内对共模信号的抑制超过-15 dB共模抑制特性的差分滤波器。该滤波器的结构简单,易于加工,整体尺寸为3.74 mm×1.28 mm×0.8 mm,而且仿真结果与理论值相符合。

摘要： 介绍片式电容、片式电感在电子元器件中的特性和作用。便携式通信工具需要片式电容、电感器向低压大容量、超小超薄超轻的方向发展。为了适应线路高度集成化的要求,多功能复合型片式电容(LTCC)正成为技术研究热点。

摘要： 分别用国产材料和进口材料按照LTCC工艺流程加工一种高频带通滤波器,进行相应的测试和研究,验证国产LTCC生瓷片和导体浆料的性能。分析LTCC材料性能,测试对比高频带通滤波器电性能指标。研究结果表明,国产LTCC材料性能和高频带通滤波器电性能指标与进口的相当,且满足基本要求。

摘要： 采用固相烧结法制备Zn0.15Nb0.3Ti0.55-x(Co1/3Nb2/3)xO2(x=0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.4,0.45,0.55)陶瓷,研究了(Co1/3 Nb2/3)4+取代Ti4+对陶瓷的物相、微观形貌和微波介电性能的影响.实验结果表明,当(Co1/3 Nb2/3)4+取代量x≤0.05时,Zn0.15Nb0.3Ti0.55-x(Co1/3Nb2/3)xO2陶瓷表现出纯的金红石Zn0.15Nb0.3Ti0.55O2相;当(Co1/3Nb2/3)4+取代量x>0.15时,有第二相ZnTiNb2 O8和ZnNb2 O6生成.陶瓷的Q×f值随x的增大而提高,介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τf)则随ZnTiNb2 O8和ZnNb2 O6的增多而逐渐降低.当x=0.4时,Zn0.15 Nb0.3 Ti0.55-x(Co1/3 Nb2/3)xO2陶瓷在1075°C下烧结获得最佳的微波介电性能:εr=35.44,Q×f=25862 GHz(f=5.8 GHz),τf=5.2×10-6/°C.

摘要： 采用传统固相反应法制备Li2 ZnTi3 O8-B2 O3低温共烧陶瓷(LTCC),研究了TiO2的添加对Li2 ZnTi3 O8-B2 O3微波LTCC的烧结性能及介电特性的影响.结果表明:B2 O3作为低熔点氧化物助烧剂,可有效降低Li2 ZnTi3 O8微波LTCC的烧结温度,并且保持较好的介电性能.同时,TiO2的加入可调整Li2 ZnTi3 O8-B2 O3微波LTCC的频率温度系数 τf.添加1.5 wt％TiO2的Li2ZnTi3O8-B2O3微波介质陶瓷900°C烧结时,具有良好的介电性能:εr=25.9,Q×f=46487 GHz,τf=-0.35×10-6/°C.

摘要： 通过在银导体上逐次化学镀镍钯金来实现在LTCC纯银基板上的键合、钎焊等功能,避免了传统LTCC基板常用的多次贵金属套印,有效降低了生产成本.通过对样品进行试验验证,膜层键合强度和可焊性等都满足使用要求,可广泛应用于表面贴装和裸片邦定的微波产品工艺.

摘要： LTCC/金属复合基板是一种高导热和高密度布线基板。本文采用过渡层结构实现了LTCC与金属基片的结合。研究了LTCC/金属复合基板制作过程中金属基片的选取、过渡层的配制、LTCC生瓷带的选择、复合基板的烧结和空腔制作等技术。通过研制过渡层材料，选用CuMoCu为金属基片，制作出了性能较好的LTCC/金属复合基板。

摘要： LTCC/金属复合基板是一种高导热和高密度布线基板。本文采用过渡层结构实现了LTCC与金属基片的结合。研究了LTCC/金属复合基板制作过程中金属基片的选取、过渡层的配制、LTCC生瓷带的选择、复合基板的烧结和空腔制作等技术。通过研制过渡层材料，选用CuMoCu为金属基片，制作出了性能较好的LTCC/金属复合基板。

摘要： LTCC/金属复合基板是一种高导热和高密度布线基板。本文采用过渡层结构实现了LTCC与金属基片的结合。研究了LTCC/金属复合基板制作过程中金属基片的选取、过渡层的配制、LTCC生瓷带的选择、复合基板的烧结和空腔制作等技术。通过研制过渡层材料，选用CuMoCu为金属基片，制作出了性能较好的LTCC/金属复合基板。

摘要： LTCC/金属复合基板是一种高导热和高密度布线基板。本文采用过渡层结构实现了LTCC与金属基片的结合。研究了LTCC/金属复合基板制作过程中金属基片的选取、过渡层的配制、LTCC生瓷带的选择、复合基板的烧结和空腔制作等技术。通过研制过渡层材料，选用CuMoCu为金属基片，制作出了性能较好的LTCC/金属复合基板。

摘要： LTCC/金属复合基板是一种高导热和高密度布线基板。本文采用过渡层结构实现了LTCC与金属基片的结合。研究了LTCC/金属复合基板制作过程中金属基片的选取、过渡层的配制、LTCC生瓷带的选择、复合基板的烧结和空腔制作等技术。通过研制过渡层材料，选用CuMoCu为金属基片，制作出了性能较好的LTCC/金属复合基板。

摘要： 垂直互连是实现3D封装的关键技术，主要通过叠压对位来实现，但容易发生错位现象，引起垂直互连失效。本文对LTCC基板垂直互连失效进行了分析，提出了两种失效模式，即通孔与通孔搭接错位失效和通孔与导体搭接错位失效。针对失效模式，提出了容差布线设计方法，并通过增加光学对位系统对叠片工作台进行了改进，获得了良好的对位效果。统计结果证明，多层陶瓷基板的连通性、成品率和可靠性均得到加强。

摘要： 垂直互连是实现3D封装的关键技术，主要通过叠压对位来实现，但容易发生错位现象，引起垂直互连失效。本文对LTCC基板垂直互连失效进行了分析，提出了两种失效模式，即通孔与通孔搭接错位失效和通孔与导体搭接错位失效。针对失效模式，提出了容差布线设计方法，并通过增加光学对位系统对叠片工作台进行了改进，获得了良好的对位效果。统计结果证明，多层陶瓷基板的连通性、成品率和可靠性均得到加强。

摘要： 垂直互连是实现3D封装的关键技术，主要通过叠压对位来实现，但容易发生错位现象，引起垂直互连失效。本文对LTCC基板垂直互连失效进行了分析，提出了两种失效模式，即通孔与通孔搭接错位失效和通孔与导体搭接错位失效。针对失效模式，提出了容差布线设计方法，并通过增加光学对位系统对叠片工作台进行了改进，获得了良好的对位效果。统计结果证明，多层陶瓷基板的连通性、成品率和可靠性均得到加强。

摘要： 垂直互连是实现3D封装的关键技术，主要通过叠压对位来实现，但容易发生错位现象，引起垂直互连失效。本文对LTCC基板垂直互连失效进行了分析，提出了两种失效模式，即通孔与通孔搭接错位失效和通孔与导体搭接错位失效。针对失效模式，提出了容差布线设计方法，并通过增加光学对位系统对叠片工作台进行了改进，获得了良好的对位效果。统计结果证明，多层陶瓷基板的连通性、成品率和可靠性均得到加强。

摘要： 三维封装是实现电子装备小型化的有效途径，本文介绍的微波多芯片模块(MCM)采用低温共烧陶瓷(LTCC)作为封装基板，基板间的垂直互连采用新型无焊料互连(SFI)结构，这种结构具有可靠性高、维修性好的优点，在系统级封装(SIP)中具有广阔的应用前景。

摘要： 本发明提出了一种多台阶腔体结构的LTCC基板制作方法及LTCC基板，该多台阶腔体结构的LTCC基板制作方法包括：对单层生瓷片实施打孔、填孔、印刷工艺及开腔体制作，得到开腔体后的单层生瓷片；制作腔体结构的顶面保护板；制作嵌件塞，用于实现腔体结构中的底层腔体的保护和支撑；将多个开腔体后的单层生瓷片进行叠片，并将嵌件塞填充入腔体结构中的底层腔体中；按照预设的叠片工艺顺序对开腔体后的单层生瓷片在腔体结构中的上层腔体中进行叠片及工装组合，得到LTCC生瓷堆；将LTCC基板实施层压及共烧工艺，完成多台阶腔体结构的生瓷坯向熟瓷坯的转换，实现多台阶腔体结构的LTCC基板制作。

摘要： 本发明公开了一种LTCC滤波器的制备方法及LTCC滤波器，将中间导体层的露出端头处厚度增加从而达到烧结后的设计标准，端印后LTCC滤波器导通率得到保证。改进后的LTCC滤波器的产品合格率得到大幅度提升，从原来的50%提高到改进之后的97%，从而大幅降低了成本；同时，LTCC滤波器端口电气连通率提高，滤波器的微波性能以及各项指标的一致性得到大幅改善。

摘要： 本发明公开一种LTCC基板侧壁金属化的制备方法及LTCC基板，包括步骤：辅助腔体成型；制备初始模板；初始模板上料；金属化成型；辅助边处理；采用本发明方法不受LTCC基板材料、尺寸形状的限制，可适用于任意成分的LTCC基板的侧壁金属化，且对具有特殊外形结构的LTCC基板同样使用，是一种制备LTCC侧壁金属化的普适方法。

摘要： 本发明提供LTCC生料带材料、LTCC基板、LTCF‑LTCC异质基板及对应的制备方法，以LTCC生料带材料的质量百分比计，包括45～55wt％无机材料成分和45～55wt％有机材料成分；以无机材料的质量百分比计，无机材料包括50～70wt％陶瓷材料和30～50wt％玻璃材料；有机材料包括溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂。本发明中的流延浆料成型效果佳，制备的LTCC生料带与LTCF共烧匹配性好，烧结致密，且LTCC生料带材料的介电常数为4.5～7.0，介质损耗为2.3×10‑3～4.5×10‑3；LTCF‑LTCC异质基板共烧贴合紧密，剪切面没有崩口，可有效避免LTCC层被LTCF层扩散的情况。

摘要： 本发明提供一种LTCC生料带材料、LTCC基板及制备方法，以LTCC生料带材料的质量百分比计，包括40～50wt％无机材料和50～60wt％有机材料；以无机材料的质量百分比计，包括：20～60wt％Al2O3陶瓷、10～50wt％ZrO2陶瓷、25～38wt％CaAlSi微晶玻璃和0～3wt％烧结助剂；有机材料包括醇‑酯混合溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂。按上述原料的质量比混合，流延得到LTCC生料带材料；将其叠压成型后放入烧结炉中焙烧，得LTCC基板。本发明中的LTCC基板的介电常数为7.0～8.3，介质损耗为0.003～0.005，抗弯强度300MPa以上，且与银、金电极浆料共烧匹配性好。

摘要： 本发明公开了一种高Q值低介电常数LTCC材料、生瓷带及其制备方法，所述LTCC粉由包括Mg2SiO4和CuF2的原料混合而成，且所述CuF2的重量为所述Mg2SiO4重量的1‑6％，其采用CuF2作为添加剂，不仅能够降低烧结温度，还会与Mg2SiO4陶瓷发生反应导致晶格畸变，并对晶体结构进行微调，增强Q×f值和温度稳定性，解决了现有LTCC材料在GHZ高频下介电损耗高的问题，可用于高频集成领域中。

摘要： 本发明公开了一种LTCC生料带材料、LTCC基板及其制备方法和应用，包括：基料，由包含B2O3和SiO2的原料制成；添加料，由包含CaO和Al2O3的原料制成，所述基料与所述添加料的质量比为(4‑4.5):1；ZrO2。本发明的LTCC生料带材料能与光固化树脂制成稳定料浆，光固化效果好，能够通过光固化3D打印制得高尺寸稳定性、高介电性能、抗弯强度良好的LTCC基板。

摘要： 本发明公开了一种适用于光固化成型加工的LTCC生料带材料、LTCC基板及其制备方法和应用，包括：预烧料，由包含ZrO2、Y2O3和SiO2的原料制成；添加料，由包含Al2O3和B2O3的原料制成，所述预烧料与所述添加料的质量比为(3‑4.2):1；ZrO2。本发明的LTCC生料带材料能与光固化树脂制成稳定料浆，光固化效果好，能够通过光固化3D打印制得高尺寸稳定性、高介电性能、抗弯强度良好的LTCC基板。

摘要： 本申请涉及一种LTCC基板的制作方法及LTCC基板，提供LTCC基板，所述LTCC基板具有上表面及与上表面相背的下表面；在所述LTCC基板的上表面印刷银浆料，通过低温共烧工艺使银浆料形成银导体层；在所述银导电层的表面形成图形化的掩膜层，所述掩膜层中开设至少一个开口，所述开口暴露预设位置的所述银导体层；在所述银导体层的表面通过蒸镀的方式形成镍金层；去除掩膜层表面的镍金层；以及去除掩膜层，所述镍金层仅形成于所述预设位置的所述银导体层表面，便获得LTCC基板。本发明能够在LTCC基板表面同时形成金和银导体层。

摘要： 本发明提供一种提高LTCC层间对位精度的方法及LTCC片式器件的制备方法，该对位方法将相邻两层有较高对位精度要求的图形印在同一片生瓷的正、背两面，正、背面印刷时使用相同的印刷对准符，消除定位销钉、打孔精度对层间对位精度的影响，提高了LTCC基板相邻层的层间对位精度。