多芯片组件

摘要： 多芯片组件MCM(Multi-Chip Module)技术是将多个裸芯片和其他元器件组装在同一块多层互连基板上,然后进行封装,从而形成高密度和高可靠性的微电子组件。多芯片组件与单芯片封装相比有如下的优点[1]:一是封装效率(芯片面积与封装面积之比)和组装密度高,产品体积小,重量轻,其组装效率可达30%,重量可减少80%〜90%,二是采用高密度互连技术,互连线长度缩短,信号传输时延明显缩短,传输速度可提高4-6倍;三是避免了器件级的封装,减少组装层次,提高了可靠性。

摘要： 高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应.该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯片的热耦合效应,基于电学方法确定热阻矩阵,通过理论计算获得芯片稳态工作温度.并通过红外热像试验验证模型计算的结果.基于热阻矩阵模型分析不同条件下的芯片温升.

摘要： 小型化是现代电子通信中重要的研究方向,频率合成器的小型化设计更是射频信道小型化的设计重点.基于多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM)技术,设计了一款X频段小型化频率合成器,在满足电性能指标的前提下,尽可能减小了模块体积.测试结果显示,该频率合成器在13.4 GHz处相位噪声低于-88 dBc/Hz@10 kHz,尺寸仅为15 mm×15 mm×6 mm,满足设计和系统使用要求.

摘要： 随着高通量通信卫星系统发展,为了获得更多的频率资源,系统工作频段开始向频率资源丰富的Q/V频段过渡.为了满足通信卫星系统对微波接收机向V频段的发展应用需求.文章给出了一种星载V频段接收机的设计和工程实现方法.设计基于多芯片组件技术,通过对毫米波频段电路的精确仿真,将多种功能芯片封装在同一射频管壳中,实现了设备的高集成度;通过对毫米波频段星载接收机的稳定性设计、宽带互联设计等整机集成设计技术的研究,实现了设备的高稳定性;首次使用基于MHEMT低噪声工艺的微波单片集成电路芯片(MMIC)使得设备具备低噪声特性.研制的V频段接收机的工作带宽达到2.5 GHz,是现有通信卫星载荷中带宽最宽的接收机,噪声系数小于3.5 dB,满足系统使用要求.该V频段接收机是Q/V馈电载荷的关键设备,实现了对未来高通量通信卫星重要的技术储备,可广泛应用于各类通信卫星系统.

摘要： 为了解决多芯片组件高密度互联的难点,设计了一种基于复合多层板工艺的板间微波互联结构.优化后的多层互联结构在10 GHz～20 GHz范围内只比直通微带的插损大0.1 dB,驻波比大0.3;而在30 GHz～40 GHz范围内只比直通微带的插损大0.3 dB,驻波比大0.4,具备良好的微波特性.该多层互连结构具有工艺简单、成本低廉的优势,可以很好地解决组件高密度互联问题.

摘要： 改进数字显示电路的技术控制单元,采用多芯片组件技术,利用APD(Advanced Package Designer)软件,对数字显示电路进行MCM封装,以实现更高的封装密度和工作频率.多芯片组件(MCM)封装模拟仿真结果表明,MCM封装后电路的响应时间可以满足设计要求.Spectra计算结果表明,采用改进方法和MCM封装技术,可明显改善信号的延时和电磁干扰强度,分析与计算结果一致.

摘要： 本文结合已有的数字显示电路设计方案,通过引入数据锁存、电压比较及整形技术对计数控制单元进行改进,使其计数控制时间不受晶体管饱和压降和电源电压的制约,并对电路进行多芯片组件(MCM)封装.Spectra仿真结果表明,采用本文的改进方法和MCM封装技术,可以明显改善信号的振铃、延时和寄生效应等现象,同时其电磁干扰强度也得到较好的抑制.

摘要： 文章对不同参考平面和去耦电容容量时的电源分配系统模型进行仿真.相比SPICE模拟结果,文章方法所得到的电压波动减小了10mV.同时对SSN进行建模仿真,结果表明,可以直接通过分析单驱动和多驱动的波形差来得到同步开关噪声的大小.

摘要： 在多芯片组件的电源分配系统模型中增加去耦电容,满足其电源低阻抗要求,然后分别对不同参考平面和不同去耦电容容量时的情况加以仿真.仿真结果表明:以地为参考平面的信号传输质量较高,且随着去耦电容的增大,信号完整性也得以改善;两驱动端波形在电压参考位置波形相差15 ps.相较于SPICE模拟结果,该方法所得的电压波动减小了10 mV,仅为110 mV.

摘要： 随着多芯片组件集成度的不断提升,导电胶银迁移导致的失效时有发生.阐述了银迁移的机理,并针对银迁移产生的根本原因给出导电胶银迁移失效的预防措施,包括气密性封装、真空烘烤、合理布线、控制点胶及贴片操作等.

摘要： 金丝、金带键合已经广泛应用于毫米波多芯片组件的互连之中。本文讨论了在20-40GHz频率范围内，单根、两根、三根金丝和金带连接的性能。测试结果表明两根和三根金丝连接的性能优于金带连接的性能，金带连接的性能优于单金丝连接的性能。

摘要： 介绍了一种以光敏苯并环丁烯(Photosensitive-Benzocyclobutene,photo-BCB)作为介质层,用于24GHz驱动放大器的圆片级微波多芯片组件(Microwave Multichip Module,MMCM)封装工艺.该工艺专为实现单片微波集成芯片(Monolithic Microwave Integrated Chip,MMIC)多层互连而开发.微波集成芯片埋置在湿法刻蚀普通4寸硅片形成的腔体内,并涂覆一层光敏BCB作为介质层.为防止过大的微波损耗,本工艺使用了两层金属布线形成的微带线结构实现微波集成芯片和外部测试端口的互连.设计并制造了链式结构用来进行开尔文(Kelvin)测试,获得了金属/BCB互连结构的层间互连电阻;并在21GHz26GHz范围内对封装后的多芯片组件进行了传输特性测试,测得增益大于22dB,与封装前相比,变化在2dB以内.回波损耗S11和S22分别小于-14.1dB和-17.3dB,基本与封装前一致.

摘要： 本文简单概述了微电子封装技术的发展历史和多芯片组件(Multtchlp Module)技术的发展过程,介绍了MCM技术的基本内容和发展现状,并着重阐述了陶瓷厚膜型多芯片组件(MCM-C)的设计及其工艺.

摘要： 在对多芯片组件(MCM)的特点进行分析之后,对MCM的可靠性技术作了较全面的评述.就McM可靠性研究的关键技术问题展开讨论,总结国内外研究现状并提出了解决问题的思路,包括MCM失效模式与失效机理研究,MCM热分析及散热结构优化设计,多芯片系统可靠性试验与分析,及KGD质量和可靠性保障技术.最后,针对MCM可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是MCM综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供参考.

摘要： 为了研究含金属弯曲结构多芯片组件(MCM)的电磁特性,采用一种局部共形网格时域有限差分(MLC-FDTD)方法,该方法把局部变形网格分为良态网格和病态网格,通过两种方式修改变形网格中磁场分量的迭代方程,同时引入插值方法求解变形网格中金属区域的虚拟电场进行磁场的迭代,计算结果表明了该方法的正确性和有效性。

摘要： 本文介绍了一种基于MCM(多芯片组件)互连技术的新型LTCC基板结构,在目前的工艺条件下实现了更高的基板平整度和电磁兼容(EMC)保护.我们将其应用于相控阵雷达TR组件的设计之中,经测试指标达到设计标准.

摘要： 本文首先通过多芯片组件技术(MCM)引出了低温共烧陶瓷(LTCC)技术及其应用,接着介绍了LTCC无源滤波器的基本原理和设计方法,分析了目前国内外LTCC无源滤波器的研究概况,并列举了一些典型的应用,最后展望了LTCC无源滤波器的发展前景.

摘要： 本文从MCM-C陶瓷多层厚膜互连结构的平面化设计、厚膜工艺、组装、封装技术等四个方面进行电源变换电路的工艺研究。

摘要： 本文从MCM-C陶瓷多层厚膜互连结构的平面化设计、厚膜工艺、组装、封装技术等四个方面进行电源变换电路的工艺研究。

摘要： 本文从MCM-C陶瓷多层厚膜互连结构的平面化设计、厚膜工艺、组装、封装技术等四个方面进行电源变换电路的工艺研究。

摘要： 本发明提供了一种芯片封装框架、芯片组件以及制造芯片组件的方法，属于芯片组件领域。包括本体和两个连接件；本体具有用于容置芯片的第一避让位和用于容置感应器件的第二避让位；芯片和感应器件通过两个连接件电连接，两个连接件的一端与芯片连接，另一端与感应器件连接，两个连接件的另一端位于本体的上表面。通过将连接件与感应器件的连接点设置为突出于本体的上表面，使得相邻的芯片封装框架之间具备足够的空间使连接连接件与感应器件的设备工作，因此无需将连在一起的芯片封装框架分离，可同时对连在一起的多个芯片封装框架进行连接件与感应器件的连接工艺，节省了时间，提高了生产效率。

摘要： 本发明公开了一种交换机、交换系统、交换网芯片组件及转发芯片组件，属于网络通信领域。所述交换机包括：封装为独立设备的交换网芯片组件、封装为独立设备的转发芯片组件和控制器；所述交换系统包括至少一个交换机、与所述交换机相连的至少两个网络设备；所述交换网芯片组件包括：第一盒式外壳，设置在所述第一盒式外壳内部的交换网芯片、第一散热组件和第一供电组件；所述转发芯片组件包括：第二盒式外壳，设置在所述第二盒式外壳内部的转发芯片、第二散热组件和第二供电组件；解决了机框式交换机的连接规模通常都无法最大化的问题；达到了最大规模的连接模式的效果。

摘要： 本发明公开一种微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件及芯片组件堆叠系统。芯片组件堆叠系统包括依序堆叠且彼此电性连接的多个晶圆级电子芯片组件。每一晶圆级电子芯片组件包括一晶圆级电子芯片以及设置在晶圆级电子芯片上的一微加热器芯片。微加热器芯片包括一加热结构以及设置在加热结构与晶圆级电子芯片之间的一绝缘结构。加热结构包括一承载本体、设置在承载本体上或者内部的至少一微加热器以及多个贯穿承载本体的导电连接层。借此，微加热器芯片、晶圆级电子芯片组件以及芯片组件堆叠系统分别都能够拥有至少一微加热器，以利于对锡球进行加热。

摘要： 本发明提供了一种芯片封装框架、芯片组件以及制造芯片组件的方法，属于芯片组件领域。包括本体和两个连接件；本体具有用于容置芯片的第一避让位和用于容置感应器件的第二避让位；芯片和感应器件通过两个连接件电连接，两个连接件的一端与芯片连接，另一端与感应器件连接，两个连接件的另一端位于本体的上表面。通过将连接件与感应器件的连接点设置为突出于本体的上表面，使得相邻的芯片封装框架之间具备足够的空间使连接连接件与感应器件的设备工作，因此无需将连在一起的芯片封装框架分离，可同时对连在一起的多个芯片封装框架进行连接件与感应器件的连接工艺，节省了时间，提高了生产效率。

摘要： 本发明提供了一种LED芯片组件、LED显示装置及LED芯片组件的加工方法，其中，LED芯片组件，包括：基体层；LED发光单元，设置在基体层内，LED发光单元包括LED芯片；透明支撑层，设置在基体层的前侧，并覆盖LED芯片的发光面；第一绝缘层，设置在基体层的后侧，第一绝缘层内设置有与LED芯片的第一电极连接的第一电路以及与LED芯片的第二电极连接的第二电路；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的后侧，第二绝缘层内设置有与第一电路导通连接的第一导电部以及与第二电路导通连接的第二导电部，第一导电部和第二导电部外露于第二绝缘层的后表面。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的电路板上预设线路的线宽线距无法满足与LED芯片的连接要求的问题。

摘要： 本申请公开了一种芯片组件、电子设备以及芯片组件的制备方法，涉及通信设备技术领域。该芯片组件包括基板、粘接层、芯片和第一金属连接件，所述基板、所述粘接层和所述芯片依次叠置，所述第一金属连接件凸出设置于所述基板朝向所述粘接层的一面，且所述芯片通过所述第一金属连接件与所述基板相连。

摘要： 本申请公开了一种芯片组件、电子设备以及芯片组件的制备方法，涉及通信设备技术领域。该芯片组件包括布线层、芯片、至少两个导电柱和热电模块，所述芯片与所述布线层叠置，所述热电模块具有相背离的冷端和热端，所述热电模块的冷端设置于所述芯片背离所述布线层的一侧，所述至少两个导电柱设置于所述布线层，所述至少两个导电柱与所述热电模块电连接。

摘要： 本申请实施例提供一种芯片组件的制作方法、芯片组件及电子设备，涉及芯片组装技术领域，可以减小芯片组件的尺寸。芯片组件的制作方法，用于将芯片与柔性电路板FPC电连接，FPC包括层叠设置的基材层和补强层，基材层具有镂空的开口，FPC上设置有FPC端子，芯片的表面设置有芯片端子，该方法包括：将芯片通过粘合胶贴合于补强层的靠近基材层一侧的表面，形成待连接组件；在待连接组件中，芯片位于基材层的开口内，并且芯片与基材层之间存在间隙；使粘合胶溢胶填充在芯片与基材层之间的间隙中；以及在芯片端子与FPC端子之间，形成互联线路；互联线路通过电镀工艺、钢网印刷工艺或ACF压合工艺形成，用于将芯片端子与FPC端子电连接。

摘要： 本申请提供一种芯片组件的键合模组、夹具及芯片组件的夹持方法，用于在金丝键合工艺中夹持芯片组件。键合模组包括模块本体、夹持件、弹性件以及限位件。模块本体上形成有定位面，夹持件活动地设置于模块本体上。弹性件连接模块本体和夹持件，弹性件位于初始状态时，夹持件靠近限位件的一端的底部高度等于或者低于定位面的高度。限位件设置在模块本体上。夹持件与限位件之间形成有容纳芯片组件的定位区，定位面位于定位区内以支撑芯片组件，弹性件用于使夹持件对芯片组件施加夹持力。本申请提供的芯片组件的键合模组，通过弹性件将芯片组件稳定地夹持在夹持件与限位件之间，有效地降低芯片组件在金丝键合工艺中发生损坏的概率。

摘要： 本实用新型涉及芯片组件以及具有该芯片组件的容器，所述容器可拆卸地安装至设置有触针的成像设备，容器设置有用于向外排出成像介质的成像介质排出口，芯片组件包括基板以及设置在基板上用于与触针电连接的电接触部，芯片组件还包括设置在基板上的配合部，基板与容器通过配合部可转动地结合；沿容器的安装方向，基板包括位于配合部一侧的第一部分以及位于配合部另一侧的第二部分，第二部分位于第一部分的上游，电接触部设置在第二部分；沿与安装方向垂直的方向，第二部分比第一部分更远离成像介质排出口，该芯片组件能够与成像设备的触针形成稳定的电连接，且该芯片组件在容器中的位置精度要求可被降低，该芯片组件不易脱落，且便于被取下。