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公开/公告号CN111052270B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 KOA株式会社;
申请/专利号CN201880055545.9
发明设计人 井口夏希;井口裕哉;浦野幸一;
申请日2018-08-22
分类号H01C7/00;H01B1/00;H01B1/22;
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人曹廷廷
地址 日本国长野县伊那市荒井3672番地
入库时间 2022-08-23 13:40:28
机译: 厚膜电阻膏用玻璃组合物,厚膜电阻膏,厚膜电阻器和电子设备
机译: 用于厚膜电阻膏,厚膜电阻膏,厚膜电阻器和电子设备的玻璃成分
机译: 一种用于生产厚膜电阻器组合物的方法、用于厚膜电阻器的膏体、厚膜电阻器和用于厚膜电阻器的组合物。
机译:在当前的Ag膏的发射极掺杂密度和接触放电的背景下导致低电阻Ag厚膜与Si太阳能电池接触的机理研究
机译:微笔直写技术沉积厚膜Ptc热敏电阻膏的激光烧结
机译:接触区域中电子运动的热态下厚膜电阻器中微触点的电阻
机译:无铅厚膜电阻膏的制备
机译:二氧化钌的微结构发展和电学性质-玻璃厚膜电阻器-非等温研究(混合电路,电陶瓷,微电子学)。