以RuO2为基的厚膜电阻器中电子传导与温度的关系

摘要

本文研究了两种同属RuO_2为基的厚膜电阻器中阻值与温度的关系。两种电阻器的成分(重量百分比,下同)分别为:80%玻璃料(其中:63%pbO-25%B_2O_3-12%SiO_2,称作G_1)-20%RuO_2和80%玻璃料(其中:55.5%pbO-22%B_2O_3-10.5%SiO_2-12%Al_2O_3,称作G_2)-20%RuO_2.成分为80%G_1-20%RuO_2的电阻器在850℃下烧结后,当温度从100K到～400K上升时方阻变小,并在400K到～690K之间保持一个最小值,然后随温度的进一步升高而变大.在100K～500K时获得的负温度系数为～480ppm/℃;当温度再升高时,电阻温度系数(TCR)变得更小. 本文使用厚膜电阻器导电机理的三种传导方式解释了实验结果;用一种改进的传导方式(包详隧道传导和并联传导两种方式),说明了阻值-温度反比曲线的坡度变化和阻值与温度的关系;另外还用一个等效电路模式阐述了厚膜电阻器的电性能.