基板

摘要： 碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。

摘要： 随着封装基板朝着高阶高密度方向发展,其信号完整性问题也日趋严重。为研究高速互连结构中反射、串扰等问题与封装基板类型、设计参数和传输线物理特性的相关性,改进了简单的二线平行耦合模型,采用三维电磁仿真软件构建了新的封装级三平行传输线模型,分析了陶瓷基板与有机基板上的传输线反射和串扰特性,研究了该结构下减小反射系数与串扰噪声的方法。仿真结果表明,封装基板上传输线反射系数S_(11)与阻抗匹配程度相关,受信号线宽、厚度和介质厚度影响较大,且S_(11)最小值在不同频率下匹配的最优线宽也不同,需根据不同信号频率具体选择。近端串扰系数受边缘场作用,与线间距密切相关,远端串扰系数受介质厚度影响较大,在相同条件下,远端串扰噪声一般小于近端串扰,对其评估时需结合基板上信号密度、基板材料特性和介质厚度具体分析。

摘要： 针对板翅式换热器散热优化设计中的三维流动与传热问题,为改善板翅式换热器基板的温度场分布,利用Solidworks Flow Simulation软件建模并设计了9种工况,在不改变芯片位置的前提下,研究不同翅片间距与翅片高度比S/H条件下基板温度场和展向热阻、翅片温度场和换热系数的分布特征及变化规律,进而基于此规律对翅片结构尺寸进行改进,以达到优化基板温度场之目的。

摘要： 2.球栅阵列封装(BGA)BGA(Ball Grid Array)又称为球形栅格阵列封装、门阵列式球形封装、焊球阵列封装。BGA是在器件基板的下面按阵列方式引出球形引脚,在基板上面装配大规模集成电路芯片(LSIC),是LSI芯片的一种表面组装型封装。

摘要： 液晶聚合物(LCP)具备介电性能优良、可靠性高、近气密性等优势,在高频高可靠封装领域有着一定的应用潜力。在非气密有机基板(聚苯醚)表面引入LCP层,制作了复合材料基板。无铅回流、温度冲击考核结果表明,该复合结构具备可靠性。强加速稳态湿热试验结果表明,与基于非气密有机基板的封装相比,基于表层LCP复合基板的封装具备更高的长期可靠性。

摘要： 以玻璃纤维布聚四氟乙烯(PTFE)浸渍片、PTFE薄膜和铜箔为原料,采用层压法制得了一系列复合基板。结果表明:复合基板的介质层厚度约0.250 mm、相对介电常数2.120~2.540、损耗因子不大于0.00140,复合基板介质层相对介电常数与原料体积分数之间关系符合Lichtenecker对数法则。

摘要： 覆铜箔层压板(CCL)是当前印制电路板(PCB)的基板-基础,关注PCB必须关注CCL。最近看到中电材协覆铜板材料分会(CCLA)的2021年行业统计数据报告,从一些数据告诉了我们许多现实状况,按本人理解说几点:(1)2021年比上年CCL总销量增长7.9%,销售收入增长50.8%;半固化片(PP)销量增长13.7%,销售收入增长32.7%;CCL可比企业主营收入增49%,利润增84.8%,利润率从上年11.6%升到14.4%。

摘要： 随着大规模集成电路器件的发展,采用倒装互连方式的芯片与基板向大尺寸、大面阵发展,对倒装焊机加压机构提出了加压范围大、加压精确的要求。针对自主研制的倒装焊机加压机构,对其结构及控制原理进行了研究。通过对位置和压力的闭环控制,及对压力传感器的校准,提升了压力控制的精确性。

摘要： 考查激光直接成像的好处Examining the Benefits of Laser Direct Imaging激光直接成像(LDI)技术使PCB制造取得了惊人的进步。LDI成像过程与传统方法比较,省去了照相底版,避免了照相底版损伤带来的缺陷和干扰,直接曝光分辨率更高图像更清晰;可以计算和调整基板的伸缩或变形,具有更精准的定位能力。这项技术提高了PCB精细线路能力,加快了生产周期和减少了工具成本.

摘要： 1背景Mini LED(小型发光二极管)尺寸小且具有异型切割特性,搭配软性基板亦可达成高曲面背光的形式,采用局部调光设计,拥有更好的颜色性。其可应用在商用大尺寸显示屏方面,也适用于电视、车用面板及电竞笔记本电脑等产品上,故Mini LED对反射率要求较高。通常Mini LED印制板在安装后要求反射率85%以上,这在PCB厂内部进行测试时均反射率≥85%,而客户在安装完成后却不一定能保持反射率85%以上,这是需要考虑解决的问题。

摘要： 航天器太阳翼太空展开锁定后承受弯矩的能力是设计人员极为关注的问题.文章通过地面试验模拟在转移轨道时"尼星"太阳翼一次展开锁定后490N发动机工作时基板的受力状态,对"尼星"太阳翼基板在一次展开锁定状态下承受弯矩的能力进行了试验研究.

摘要： 近年来海湾战争、阿富汗战争和伊拉克战争的实践已经表明,"远程打击、精确打击"技术在军事应用中非常重要,精确制造的要求尤为突出,特别是目前正处于蒸蒸日上的毫米波特种基板.本文就毫米波特种基板的高精度制作技术途径做了一个简单的介绍,主要涉及精确传输线的高精度制作.

摘要： 高分子共混物的相结构的演变会对其性能产生极大的影响.本研究探讨了随共混物薄膜厚度减小,其相结构随诱导基板组对称性的不同而产生变化.

摘要： 影响新型航天器太阳电池阵基板的质量因素较多,且很复杂.本文着重介绍了基板的质量控制内容,还对一些突出的质量问题作了简述.

摘要： 介绍用于X波段的T/R组件的LTCC微波多层互连基板制造工艺.讨论LTCC工艺参数对基板高频性能的影响.

摘要： 通过中性盐雾试验研究了家电预涂卷材底漆防腐性能的一些主要影响因素，包括基板、预处理、树脂(交联树脂、环氧树脂)和颜填料对防腐性能的影响。

摘要： 通过对现场数据的收集以及分析在实验室进行的试验数据，分析出基板、前处理、涂层厚度、板温、涂料等因素对彩色涂层钢板色差、镜面光泽的影响。

摘要： 本文在实验中,通过原子力显微镜(AFM)主要研究了维数(膜厚)和基板对于聚合物薄膜结晶形态和结晶过程的影响.AFM观察发现,对于聚羟基丁酸酯(PHB)随着聚合物薄膜厚度的减小,结晶变得困难和缓慢.同时,对于聚羟基丁酸酯羟基己酸酯共聚物薄膜体系,实验中发现其薄膜结晶出现一种我们称之为"向日葵晶"(sunflower crystal)的形态,这与其本体熔融结晶呈现的晶体形貌存在着明显的不同.

摘要： 本文着眼于聚合物薄膜维数(厚度)及基板对于其Tm和Tc的影响,发现了一系列值得关注的现象,并对其机理进行了初步探讨.

摘要： 本文阐述了针对多层共烧陶瓷工艺对Gadence MCM设计系统所做的必要补充和完善,形成了完整的MCM-C设计流程.结合测频计数电路开展了高速MCM-C设计应用,完成了MCM-C版图设计,对MCM版图进行了信号完整性分析.

摘要： 本发明提供一种应用范围较广的基板接合技术。在接合面内形成硅薄膜，并利用能量粒子、金属粒子对基板与基板之间的交界处进行表面处理。

摘要： 本发明提供基板保持部件、基板接合装置、叠层基板制造装置、基板接合方法、叠层基板制造方法和叠层半导体装置制造方法。使用利用永磁体的吸引力夹持接合基板的基板保持部件，接合基板。本发明的保持位置匹配而叠层的一对基板的基板保持部件包括：第一保持部件，其保持一对基板中的一方；多个被结合部件，其与第一保持部件连结；第二保持部件，其与一方的基板相对并保持一对基板的另一方的基板；多个结合部件，其具有作用于被结合部件的吸附力，并与被结合部件的位置对应地与第二保持部件连结；以及吸附限制部，其限制吸附力直至一对基板位置匹配。

摘要： 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。

摘要： 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在与由其一对对角线形成的交叉点错开的位置形成有至少一个凸状部分，所述至少一个凸状部分朝向其板厚方向的一侧或另一侧成为凸状，前述至少一个凸状部分的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为2μm/mm以下。

摘要： 本发明提供一种基板用清洗件、基板清洗装置、基板处理装置、基板处理方法以及基板用清洗件的制造方法，基板清洗装置包括：保持被处理基板并使该被处理基板旋转的基板保持辊；以及边缘清洗部，该边缘清洗部与所述被处理基板的边缘部接触，并且至少与所述被处理基板接触的部分由包含氟类树脂粒子的树脂材料构成。

摘要： 在多层基板中，在焊接区(61)的下方使增强层(30)内的玻璃布(30b)向焊接区(61)侧变形。并且，使得增强层的树脂层(30c)中的从玻璃布(30b)到焊接区(61)侧的表面为止的厚度(S1)比从玻璃布(30b)到芯层(20)的表面(20a)为止的尺寸(T1)小。由此，能够从裂纹更小的阶段抑制裂纹的发展、扩大。因而，能够使裂纹的发展及扩大变慢。结果，即使产生裂纹，也确保焊接区与内层布线之间的绝缘性，能够抑制它们之间短路。

摘要： 本发明提供一种应用范围较广的基板接合技术。在接合面内形成硅薄膜，并利用能量粒子、金属粒子对基板与基板之间的交界处进行表面处理。

摘要： 本发明提供基板保持部件、基板接合装置、叠层基板制造装置、基板接合方法、叠层基板制造方法和叠层半导体装置制造方法。使用利用永磁体的吸引力夹持接合基板的基板保持部件，接合基板。本发明的保持位置匹配而叠层的一对基板的基板保持部件包括：第一保持部件，其保持一对基板中的一方；多个被结合部件，其与第一保持部件连结；第二保持部件，其与一方的基板相对并保持一对基板的另一方的基板；多个结合部件，其具有作用于被结合部件的吸附力，并与被结合部件的位置对应地与第二保持部件连结；以及吸附限制部，其限制吸附力直至一对基板位置匹配。

摘要： 描述了一种用于处理多个基板的基板处理系统。所述系统包括：第一沉积模块，所述第一沉积模块是第一直列模块并且具有第一多个真空沉积源；第二沉积模块，所述第二沉积模块是第二直列模块并且具有第二多个真空沉积源；和玻璃搬运模块，所述玻璃搬运模块在所述第一沉积模块与所述第二沉积模块之间。

摘要： 本发明的实施例提供能够有效地充分利用空间的基板接合设备中的基板保管及对准装置。根据本发明的实施例的接合基板和基板的基板接合设备中的基板保管及对准装置，包括：前端缓冲器，包括用于临时保管基板的前端保管插槽以及从所述前端保管插槽输送所述基板的输送机械手能够移动的前端开口部；以及前端校准器，形成为层叠于所述前端缓冲器的上方而通过旋转所述基板来对准所述基板。