离子注入技术

摘要： 为了丰富红小豆种质资源、优化育种进程,通过离子注入技术处理作物种子,使植株性状得到诱变,进而筛选出优良植株,是重要且有效的育种方法之一.采用田间试验的方法,研究不同的离子注入剂量对红小豆植株农艺性状及产量的影响.结果 表明,低剂量(2×1016个/cm2)氮离子注入红小豆种子对红小豆的农艺性状及产量变异效果显著,其中,红小豆株高增加11.4％,单株荚数增加5.7％,百粒质量增加17.2％,小区产量增加42.8％.试验筛选出了处理红小豆的适宜剂量,使红小豆的生长潜力得到提升,产量得到一定的提高,对创制种质资源具有积极的作用.

摘要： 化合物半导体领导者Ⅱ-Ⅵ Incorporated近日宣布,它已达成一项最终协议,收购碳化硅SiC外延晶片和电力电子器件领导者Ascatron AB的所有已发行股份。II-VI还宣布,它将收购用于硅和化合物半导体器件的离子注入技术的领导者INNOViON Corporation。两项交易均计划在2020日历年完成。

摘要： 采用射频等离子体辅助分子束外延法制备高品质ZnO单晶薄膜,利用离子注入技术向ZnO单晶薄膜中注入不同注量的Sb离子,并对样品进行了氧气氛退火处理.利用高分辨双晶X射线衍射技术、RBS背散射/沟道技术以及低温光致发光光谱测试对注入Sb离子后样品的结构和光学性能进行了表征,结果表明:低注量下注入离子对ZnO薄膜结晶品质影响不大,带边发光稍有减弱;当掺杂注量达到1015cm^-2时,离子注入产生了一定量的晶格损伤,同时带边发光被完全抑制.氧气氛下退火后ZnO薄膜发光恢复,带边发光峰主要为受主能级和锌空位发光,表明退火后在ZnO单晶薄膜中形成了(SbZn-2VZn)受主缺陷复合体,有望通过Sb掺杂实现ZnO的p型转化.

摘要： 英利集团推出基于其离子注入技术的新一代“熊猫”高效N型单晶电池，以及双面发电双玻组件TwinMAx Bifacial系列产品，综合发电效率为24．6％，达到世界先进水平。该系列产品现已通过可靠性验证并实现了大规模量产。英利集团计划在未来1～2年内完成现有800MW“熊猫”电池生产线的离子注入技术升级。

摘要： 研制单位： 中国科学院微电子研究所 产品介绍： 研制产品针对等离子体浸没式离子注入技术（Plasma Imersion Ion Implantation，简称PⅢ），该技术是一种全新原理的半导体掺杂技术，它是将晶圆直接浸没在等离子体中，通过在晶圆上施加注入能量从而实现离子的掺杂。同时在进行超低能注入时还可实现高的注入剂量和高产能。

摘要： 选用一株ATCC 700400马链球菌亚种,通过离子注入法对链球菌代谢产物透明质酸的影响来找寻透明质酸低耗高产的可能和路径.注入离子选用N+,注入能量分别为15 keV和20 keV,范围是0(对照)、(20×1014～100 x 1014N+/cn2(不同氮离子注入参数以对比).透明质酸测定选用CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)比浊法,通过对比来筛选HA高产型链球菌.结果表明,在注入能量为20 keV,剂量为20×1014 N+/cm2时,产出透明质酸浓度明显高于其他菌株,诱变效果最好,为今后进一步诱变筛选及发酵条件优化奠定了良好的基础.

摘要： 最近,韩国研究人员开发出一种与微电子兼容的方法来生长石墨烯,在硅基底上成功合成了晶片级（直径4英寸）的高质量多层石墨烯。该方法基于一种离子注入技术,简单而且可升级。这一成果使石墨烯离商业应用更近一步。相关论文发表在本周的《应用物理快报》上。

摘要： 最近,韩国研究人员开发出一种与微电子兼容的方法来生长石墨烯,在硅基底上成功合成了晶片级(直径4英寸)的高质量多层石墨烯。该方法基于一种离子注入技术,简单而且可升级。这一成果使石墨烯离商业应用更近一步。相关论文发表在本周的《应用物理快报》上。晶片级的石墨烯可能是微电子线路中一个必不可少的组成部分,但大部分石墨烯制造方法都与硅微电子器件不兼容,阻

摘要： 聚酰亚胺因其良好的绝缘性能使得材料表面容易产生静电,静电的积累会引起燃烧、爆炸等危险,因此如何消除其表面静电是人们长期以来探索的重要课题之一。本文主要介绍了静电产生的机理、静电带来的危害及其危害机理,综述了碳系、金属及金属氧化物系、导电高分子系及离子注入改性4类抗静电聚酰亚胺薄膜的研究进展,并展望了抗静聚酰亚胺薄膜未来的发展趋势。

摘要： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所在层数可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展。研究人员设计了Ni／Cu体系，并利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控。研究人员围绕石墨烯层数的控制问题，结合Ni和Cu在化学气相沉积（CVD）法中制备石墨烯的特点。

摘要： 本文介绍了最新的使用离子注入技术的太阳电池光电转换效率.在单晶上实现了超过19％的光电转换效率.相应的60片封装标准组件功率超过了260瓦.离子注入技术被证明是一个可靠的和精确的掺杂技术,可替代传统的扩散工艺,用于光伏电池的大规模生产.

摘要： 利用离子注入技术将金离子直接注入在硼掺杂金刚石(Boron-doped diamond,BDD)薄膜表面,制得离子注入纳米金功能化硼掺杂金刚石材料(AuNPs/BDD).利用X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)等表面分析手段对通过离子注入方式形成的纳米金的价态形貌以及注入前后BDD基底变化进行表征和分析.结果表明,在加速电压为20 keV,BDD表面的金是以Auo价态的纳米颗粒形式存在,颗粒在BDD表面分布均匀,平均粒径为20 nm.注入之后BDD基底的拉曼光谱Sp3/sp2的比例变化不大,说明低能量的金离子注入对基底结构影响不大.利用循环伏安法表征后发现AuNPs/BDD可以增加电极表面积.AuNPs/BDD材料制成的电极对多巴胺小分子进行了研究,发现该电极能够提高对多巴胺的电化学催化活性并,且该电极有较高的选择性.多巴胺检测的线性范围为2×l0-6～8×l0-4mol·L-1,检测限为8×l0-7mol·L-1.因此,离子注入法制成的AuNPs/BDD可在化学传感器方面有应用潜力.

摘要： 离子注入技术是在Si基上制备半导体光电-微电集成材料的一种重要手段，而注入形成的损伤则是一种重要的发光中心，一直以来许多研究小组致力于运用离子注入技术来制备Si发光材料，而分析室温下离子注入对基片损伤的机理和形貌。在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤.为判定损伤的类型,进一步采用X射线小角掠入射(GIXRD)检测.实验结果表明,样品中的损伤呈现出朝同一方向扭转的趋势.认为晶格的扭转是由注入导致的堆垛层错引起的.

摘要： 介绍了在核物理和高能物理实验研究中使用的新型探测器——双面硅条两维位置灵敏探测器的结构,工作原理,制备工艺及测试结果.该探测器的灵敏面积为50×50 mm2,前面和背面都被分为相等宽度的16条(每条的面积为50 ×3mm2),在微电子工艺线上采用平面工艺和离子注入技术制备.在-25伏偏压下,各条的反向漏电流都＜ 10nA,对前面16条的能量分辨进行了初步测量,得到2.2％的能量分辨率(对5.486MeVα-粒子).

摘要： 从土壤中筛选出一株高产α-葡萄糖苷酶的菌株，经鉴定为黑曲霉。在此基础上，利用离子注入技术对其进行诱变处理，选育出一株高产突变株AL7，经10代传代培养其遗传性状稳定的。通过对产酶条件进行优化，使其产酶量为9.24U，较出发菌株提高了4.18倍。

摘要： 通过离子注入和脉冲激光熔融制备了钴掺杂单晶硅样品,当掺杂浓度高于Mott极限(6×1019cm-3)时,钴掺杂层呈金属特性.钴掺杂层和P型单晶硅衬底间有整流效应.将其制作成光伏器件,器件效率随着钴含量的增加而增加,当注入剂量为2×1016cm-2时,器件效率为1.05％.钴掺杂样品的红外吸收率以及用其制备的电池在红外波段的量子效率和不掺杂的样品相比都有所提高.

摘要： 通过离子注入和脉冲激光熔融制备了钴掺杂单晶硅样品,当掺杂浓度高于Mott极限(6×1019cm-3)时,钴掺杂层呈金属特性.钴掺杂层和P型单晶硅衬底间有整流效应.将其制作成光伏器件,器件效率随着钴含量的增加而增加,当注入剂量为2×1016cm-2时,器件效率为1.05％.钴掺杂样品的红外吸收率以及用其制备的电池在红外波段的量子效率和不掺杂的样品相比都有所提高.

摘要： 通过离子注入和脉冲激光熔融制备了钴掺杂单晶硅样品,当掺杂浓度高于Mott极限(6×1019cm-3)时,钴掺杂层呈金属特性.钴掺杂层和P型单晶硅衬底间有整流效应.将其制作成光伏器件,器件效率随着钴含量的增加而增加,当注入剂量为2×1016cm-2时,器件效率为1.05％.钴掺杂样品的红外吸收率以及用其制备的电池在红外波段的量子效率和不掺杂的样品相比都有所提高.

摘要： 通过离子注入和脉冲激光熔融制备了钴掺杂单晶硅样品,当掺杂浓度高于Mott极限(6×1019cm-3)时,钴掺杂层呈金属特性.钴掺杂层和P型单晶硅衬底间有整流效应.将其制作成光伏器件,器件效率随着钴含量的增加而增加,当注入剂量为2×1016cm-2时,器件效率为1.05％.钴掺杂样品的红外吸收率以及用其制备的电池在红外波段的量子效率和不掺杂的样品相比都有所提高.

摘要： 本实验将300keV，总剂量为6×1016cm-2的29Si+在室温下注入到未掺杂的ZnO单晶，并在氮气氛下进行退火处理。采用慢正电子束多普勒展宽，X射线衍射，拉曼光谱，透射电镜和高分辨率透射电镜，光致发光等表征方法对注入后产生的缺陷及热退火效应进行研究。测量结果显示，注入样品在不高于500°C的退火条件下，光致发光测量的紫外和可见光光强都十分微弱，表明29Si+注入严重影响ZnO单晶的晶格排列。透射电镜和高分辨透射电镜结果则直接证明注入后ZnO存在晶体-非晶共存的状态，非晶相的存在是由于注入的Si+离子强烈的化学作用。

摘要： 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF

摘要： 包含在本发明中的离子源(12)是用于离子注入器中。离子源(12)包括一个气体密封室(18)，该密封室具有限定了一个气体电离区域(120)的导电室壁(112，114，116)。气体密封室(18)设有一个使离子射出室外的出口孔(126)。支架(15)固定与装置(13)相对的气体密封室(18)，装置(13)使射出气体密封室的离子形成离子束。电离材料的供给源把材料送到气体密封室(18)中。固定在支架上的天线(130)具有金属射频导电部(132)，该导电部直接安装在气体密封室(18)中，给气体电离区域(120)提供电离的能量。

摘要： 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

摘要： 一种离子注入测试体，对应于不同的半导体基底，所述测试体包含器件区；所述测试体还包含至少一个用以进行离子注入制程检测的检测区，所述检测区位于所述器件区外。利用所述离子注入测试体可在离子注入制程检测过程中较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。本发明还提供了一种离子注入区掩膜版，以形成具有可较真实地反映产品离子注入制程制造效果的离子注入区的离子注入测试体；本发明还提供了一种离子注入测试方法，使得离子注入制程检测操作可较真实地反映产品离子注入制程的制造效果。

摘要： 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF

摘要： 本发明涉及离子注入浓度的检测方法，包括以下步骤：对晶圆进行离子注入；刻蚀离子注入区的晶圆到目标深度，在该处形成一定厚度的氧化膜，根据氧化膜的生长速率判断该处的离子注入浓度。本发明的检测方法能够准确地判断离子注入浓度和不同深度的离子注入浓度的大小，并且能够用于判断不同的离子注入机台/程序的一致性。

摘要： 本发明的课题在于提供一种离子注入装置，应对由于使用具有比较高的能量的离子束而有可能产生的核反应。离子注入装置(100)具备：离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；射束线，构成为支承离子束被照射体；控制装置(50)，构成为运算通过入射于离子束被照射体(70)的非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在离子束被照射体(70)的非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

摘要： 本发明提供一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法，离子注入系统包括离子束产生模块、真空注入模块、装载模块和大气传送模块，离子束产生模块、真空注入模块、装载模块以及大气传送模块依次相连，即离子束产生模块连接到真空注入模块，真空注入模块与装载模块相连接，装载模块与大气传送模块相连接。本发明开创性地将多个离子源装置进行组合，通过拓展线圈和准直线圈得到了所需有效高度的离子束，且离子束的束流宽度较小、离子密度较高，实现了对大尺寸玻璃基板进行离子注入的技术。

摘要： 本公开的实施例提供一种离子注入方法、离子注入设备以及形成轻掺杂源漏区的方法，所述离子注入方法包括：产生离子束，所述离子束适于向电子萃取电场运动；向所述离子束中提供电子以进行电荷中和，所述电子的量与所述离子束中离子的束流大小相关。通过本公开的实施例所述的方法，使更多电子进入离子束并中和其相应的正电荷，避免了由于正电荷过量在晶圆产生缺陷。

摘要： 本发明涉及输送技术领域，具体涉及一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备。半导体离子注入传输装置，包括托盘、传输组件、加热组件和测温组件；传输组件与托盘连接，传输组件用于带动托盘移动；托盘包括容纳部，容纳部用于放置传输件；加热组件与托盘连接，加热组件用于加热传输件；测温组件与托盘和加热组件连接，测温组件用于测量传输件的温度，并将温度信号传输给加热组件。加热组件根据测温组件测得的温度调整对传输件的加热情况，使得传输件在传输过程中进行预热，实现温度的升高且温度控制在设定范围内，该设定温度范围即为传输件合适的加工温度范围，以有益于传输件后续的加工生产，如离子注入工艺的生产。