化合物半导体

摘要： 碳化硅(SiC)是一种宽带隙化合物半导体,具有高击穿场强(约为Si的10倍)、高饱和电子漂移速率(约为Si的2倍)、高热导率(Si的3倍、GaAs的10倍)等优异性能。相比同类硅基器件,SiC器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、转化效率高、体积小和重量轻等优点,在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G通讯等领域具有重要的应用潜力。

摘要： 几十年来,硅一直主导着晶体管世界。但这种情况已在逐渐改变。由两种或三种材料组成的化合物半导体已被开发出来,提供独特的优势和卓越的特性。例如,有了化合物半导体,我们开发出了发光二极管(LED)。一种类型是由砷化镓(GaAs)和磷砷化镓(GaAsP)组成。其他的则使用铟和磷。问题是,化合物半导体更难制造,也更贵。然而,与硅相比,它们具有显著的优势。新的更高要求的应用,如汽车电气系统和电动汽车(EVs),正发现化合物半导体能更好地满足其严格的规格要求。

摘要： 全国人大代表、四川省工商联副主席、海特集团董事长李飚今年提交的建议围绕支持民营科技企业参与国产化替代等国家重大战略工程、关于支持民营企业承担化合物半导体产业自主可控项目等展开,在他看来,民营企业参与国产化替代不仅有利于民营企业自身成长,还有助于优化营商环境、降低企业研发成本。

摘要： 采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm^(-2),达到无位错水平。本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层。利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能。在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析。

摘要： 继消费、电信/数据通信和较低级别汽车应用后,功率氮化镓(GaN)的下一波浪潮即将到来,2027年市场规模可达20亿美元。这是市场研究和战略咨询公司Yole Dédevelopement(Yole)全面研究后得出的结论。Yole化合物半导体团队发布的年度报告《Power GaN 2022》指出,GaN功率器件正在不同应用中渗透,从器件到不同粒度的晶圆都在增长。

摘要： 1碳化硅(SiC)涂层石墨基座基本情况1.1基本概念SiC涂层石墨基座常用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备中支撑和加热单晶衬底的部件(图1)。MOCVD设备是化合物半导体单晶衬底外延生长的研发及产业化关键设备,SiC涂层石墨基座的热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用,因此是MOCVD设备的核心关键部件。

摘要： 电化学电容-电压(ECV)法对测量化合物半导体载流子浓度纵向分布具有重要意义。本文用乙二胺四乙酸二钠(EDTA)电解液对高铝组分AlGaAs化合物半导体单层样品测试,相比钛试剂(Tiron)电解液因为优化了腐蚀均匀性提高了测试的精确度。但对低铝组分AlGaAs化合物半导体单层样品材料测试时,EDTA电解液因腐蚀速率过快不能准确测量载流子浓度,无法替代Tiron电解液进行测试。于是对EDTA电解液进行稀释改良,通过减缓腐蚀速率来实现对低铝组分AlGaAs化合物半导体单层样品材料的载流子浓度测量。分布式布拉格(DBR)样品同时包含高铝组分AlGaAs和低铝组分AlGaAs,笔者实现用EDTA单一电解液对载流子浓度的测量,与二次离子质谱(SIMS)测试比较具有高度一致。本文为ECV对高铝组分AlGaAs化合物半导体材料体系的载流子浓度测量提供了新方法。

摘要： 据外媒报道,来自卡迪夫大学(Cardiff University)和英国化合物半导体应用(CSA)Catapult的专家团队创建了一种更有效的新方法,使用人工智能(AI)对电力电子转换器进行建模和设计。与传统方法相比,该方法可将技术设计时间缩短多达78%,并以98%以上的效率制造设备。

摘要： 现阶段,世界信息化的发展速度在不断加快,化合物半导体由于具有较为独特的特性,因此也取得了较快的发展速度.当前,化合物半导体在现代信息技术的发展中发挥着重要的作用.本文对化合物半导体特性进行了分析,探究了对化合物半导体的封装控制.

摘要： 一、建设背景泉州半导体高新技术产业园区核心区——南安分园区,位于民族英雄郑成功故乡石井镇,规划建设面积约33平方公里,是福建省大力支持,泉州市、南安市两级共同打造的“港产城人”高端融合的创新示范新城。在国家鼓励加大“新基建”的背景下,作为国内直接定位发展“化合物半导体”的高新技术产业园区,南安分园区加速推进智慧化建设,夯实园区发展基础。为进一步提升园区管理能力、服务能力、集聚能力、可持续发展能力,打造智慧、绿色、生态、和谐、宜居宜业的半导体高科技园区,南安芯谷管委会与广联达科技股份有限公司、南威软件股份有限公司合作,共同建设南安芯谷智慧园区项目。

摘要： 单个量子点的发光具有反聚束特征,可以为量子信息处理、量子保密通信提供可靠的单光子源.化合物半导体外延生长的量子点具有很多优点:如量子点单光子源具有高的振子强度、窄的谱线宽度、不会发生光褪色,并且易于集成等,量子点单光子源被认为是最有潜力的单光子源.要孤立出单个量子点,关键是生长出低密度的量子点.本文利用气源分子束外延(GSMBE)技术,以Stranski-Kranstanow(S-K)应变自组织模式在GaAs衬底上低密度InAs量子点.采用低生长速率的方法,优化了量子点的生长速率,将量子点的密度控制在1×108cm-2,量子点常温发光波长在1218nm,可以用于制作单光子源.

摘要： 本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率TCO的应用和高效异质结太阳电池。指出优异的硅片清洗工艺是获得清洁表面的先决条件，清洗过程中的湿化学处理可以消除制绒过程中产生的小金字塔结构，降低硅片表面粗糙度，从而达到提高电池性能的效果。通过a-Si:H(i)钝化层工艺和厚度的优化，采用纯硅烷高耗尽模式在7nm的厚度下获得了约20.5%的电池效率。新型高迁移率TCO前后电极的应用进一步提升了电池效率，并获得了1.4mA/cm2的Jsc提升，电池效率突破21.3%(156mm×156mm)和21.7%(125mm×125mm)。

摘要： 本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率TCO的应用和高效异质结太阳电池。指出优异的硅片清洗工艺是获得清洁表面的先决条件，清洗过程中的湿化学处理可以消除制绒过程中产生的小金字塔结构，降低硅片表面粗糙度，从而达到提高电池性能的效果。通过a-Si:H(i)钝化层工艺和厚度的优化，采用纯硅烷高耗尽模式在7nm的厚度下获得了约20.5%的电池效率。新型高迁移率TCO前后电极的应用进一步提升了电池效率，并获得了1.4mA/cm2的Jsc提升，电池效率突破21.3%(156mm×156mm)和21.7%(125mm×125mm)。

摘要： 本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率TCO的应用和高效异质结太阳电池。指出优异的硅片清洗工艺是获得清洁表面的先决条件，清洗过程中的湿化学处理可以消除制绒过程中产生的小金字塔结构，降低硅片表面粗糙度，从而达到提高电池性能的效果。通过a-Si:H(i)钝化层工艺和厚度的优化，采用纯硅烷高耗尽模式在7nm的厚度下获得了约20.5%的电池效率。新型高迁移率TCO前后电极的应用进一步提升了电池效率，并获得了1.4mA/cm2的Jsc提升，电池效率突破21.3%(156mm×156mm)和21.7%(125mm×125mm)。

摘要： 本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率TCO的应用和高效异质结太阳电池。指出优异的硅片清洗工艺是获得清洁表面的先决条件，清洗过程中的湿化学处理可以消除制绒过程中产生的小金字塔结构，降低硅片表面粗糙度，从而达到提高电池性能的效果。通过a-Si:H(i)钝化层工艺和厚度的优化，采用纯硅烷高耗尽模式在7nm的厚度下获得了约20.5%的电池效率。新型高迁移率TCO前后电极的应用进一步提升了电池效率，并获得了1.4mA/cm2的Jsc提升，电池效率突破21.3%(156mm×156mm)和21.7%(125mm×125mm)。

摘要： 本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率TCO的应用和高效异质结太阳电池。指出优异的硅片清洗工艺是获得清洁表面的先决条件，清洗过程中的湿化学处理可以消除制绒过程中产生的小金字塔结构，降低硅片表面粗糙度，从而达到提高电池性能的效果。通过a-Si:H(i)钝化层工艺和厚度的优化，采用纯硅烷高耗尽模式在7nm的厚度下获得了约20.5%的电池效率。新型高迁移率TCO前后电极的应用进一步提升了电池效率，并获得了1.4mA/cm2的Jsc提升，电池效率突破21.3%(156mm×156mm)和21.7%(125mm×125mm)。

摘要： 本文通过采用CO2等离子体处理的方法对FTO表面进行修饰，改变FTO表面载流子浓度和费米能级位置从而提高FTO/P-a-SiC:H接触特性，降低肖特基势垒，从而提高a-Si:H电池的FF和Voc。

摘要： 本文通过采用CO2等离子体处理的方法对FTO表面进行修饰，改变FTO表面载流子浓度和费米能级位置从而提高FTO/P-a-SiC:H接触特性，降低肖特基势垒，从而提高a-Si:H电池的FF和Voc。

摘要： 本文通过采用CO2等离子体处理的方法对FTO表面进行修饰，改变FTO表面载流子浓度和费米能级位置从而提高FTO/P-a-SiC:H接触特性，降低肖特基势垒，从而提高a-Si:H电池的FF和Voc。

摘要： 本文通过采用CO2等离子体处理的方法对FTO表面进行修饰，改变FTO表面载流子浓度和费米能级位置从而提高FTO/P-a-SiC:H接触特性，降低肖特基势垒，从而提高a-Si:H电池的FF和Voc。

摘要： 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

摘要： 本发明提供一种溅射靶，其特征在于，含有碱金属，包含IB族元素、IIIA族元素和VIA族元素，并且具有黄铜矿型晶体结构。本发明提供一种溅射靶，其适用于通过一次溅射来制作包含IB-IIIA-VIA族元素的黄铜矿型晶体结构的光吸收层，包含IB-IIIA-VIA族元素，并且具有黄铜矿型晶体结构。

摘要： 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。

摘要： 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420°C下供应三甲基铝，从而形成具有

摘要： 本发明公开了使含有含S原子或Se原子的化合物的粘合剂和金属化合物粒子分散在有机溶剂中而成的化合物半导体薄膜形成用油墨。通过涂布或印刷该化合物半导体薄膜形成用油墨并实施热处理，可以形成化合物半导体薄膜，可以构成具备该化合物半导体薄膜作为光吸收层的太阳能电池。

摘要： 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。

摘要： 本发明公开一种化合物半导体发光元件，包括：构成其中之一电极侧的衬底；在所述衬底上沿垂直方向延伸的纳米级多个柱状结晶结构体；以及将所述多个柱状结晶结构体的顶部相互连接的另一电极，其中，在所述衬底上设置有第一区域和第二区域，所述第二区域与该第一区域之间具有高度差且衬底的厚度大于该第一区域，在所述衬底上的第一区域的表面形成有多孔的第一掩膜层，所述多个柱状结晶结构体是在所述衬底上的第一及第二区域依次层叠有n型半导体层、发光层以及p型半导体层的结构。

摘要： 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/或硫是高度活性的稀土过渡金属中间层；以及加热该叠层结构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加热。

摘要： 为了制造具有m面主表面和均匀取向的晶轴的III族氮化物系化合物半导体。在蓝宝石衬底的a面主表面中形成具有侧表面的台面，该侧表面具有与c面成45°或更小的倾角。随后，在300-420°C下供应三甲基铝，从而形成具有

摘要： 提供能够提高机械强度、能够提高制造时的成品率、或者能够实现大面积的器件的化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法。化合物半导体装置(100)具备：在俯视地观察的情况下具有包围孔(21)的形状的Si基板(1)；形成于Si基板(1)的上表面(1a)且覆盖孔(21)的SiC层(3)；形成于SiC层(3)的上表面侧的含Ga的氮化物层(10)；和形成于氮化物层(10)的上表面侧的源极电极(13)、漏极电极(15)以及栅极电极(17)。能够通过对栅极电极(17)施加的电压来控制流过源极电极(13)与漏极电极(15)之间的电流。在从与Si基板(1)的上表面(1a)正交的方向观察与源极电极(13)、漏极电极(15)以及栅极电极(17)重叠的区域RG不存在Si基板。