技术节点
技术节点的相关文献在2004年到2022年内共计112篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、工业经济、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文88篇、专利文献212230篇;相关期刊34种,包括企业管理、网络传播、科学中国人等;
技术节点的相关文献由95位作者贡献,包括张文广、郑春生、陈玉文等。
技术节点—发文量
专利文献>
论文:212230篇
占比:99.96%
总计:212318篇
技术节点
-研究学者
- 张文广
- 郑春生
- 陈玉文
- 侯永清
- 侯立刚
- 傅昶
- 凯特基·阿加瓦尔
- 张丽丝
- 张书强
- 张仕尔
- 张慎
- 彭晓宏
- 徐强
- 徐邱云
- 拉杰什·库马尔·弥沙
- 斯瑞德哈·杜尼普迪
- 斯蒂文·保罗·帕帕
- 李一斌
- 李霆
- 江兴
- 沈熙磊
- 王中兴
- 王中超
- 章从福
- 耿淑琴
- 范芳文
- 郑冬冬
- 陈州
- 鲁立忠
- 鲍宇
- Samuel K.Moore
- WU Banqiu
- 丁涛杰
- 不公告发明人
- 刘婉茹
- 刘广荣
- 刘林发
- 吴奇哲
- 吴琪乐
- 周佳凯
- 周建华
- 喻宏
- 姚晓海
- 孙启盟
- 孙志刚
- 孙晓冬
- 宋毅
- 崔超
- 崔雅琪
- 张伟
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摘要:
经历了2019年和2020年上半年的连续上涨,半导体行业的估值被大幅提升,下半年整体处于估值回落的下行周期,但芯片行业长期向好的态势并没有改变,国产替代的逻辑也并没有改变。美国当地时间2020年12月18日,美国商务部工业和安全局(BIS)发布实体清单,正式宣布将中国半导体制造企业中芯国际列入“实体清单”,根据BIS的公告,中芯国际在先进技术节点(10纳米或以下)生产半导体所需的设备和材料都将被禁运,以防止这种关键的技术支持中国的军民融合工作。
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摘要:
近日,粤芯半导体宣布已正式完成二期项目融资。本次融资由广东半导体及集成电路产业投资基金、国投创业、兰璞创投、华登国际、吉富创投、广汽资本、惠友投资及农银投资等机构联合组成,将用于粤芯半导体二期项目建设。据悉,粤芯半导体一期项目于2018年3月动工、2019年9月建成投产、2020年12月实现满产运营,产品良率达到97%以上,属业界较高标准。二期项目新增月产能2万片,技术节点将延伸至55nm工艺,目前设备正在陆续搬入,预计2022年第一季度投产。
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摘要:
不久前三星先于台积电实现3nm成功流片(试生产),甚至进一步透露消息,预计在2022年年终便可能实现3nm的量产,这无疑引起了整个半导体行业的关注。3nm对整个行业而言,是一个极为敏感的技术节点,一方面,这一技术制程已经非常接近硅基芯片的极限,另一方面,当前各大厂商均将这一制程作为树立技术优势的关键点。所以三星流片成功之时,迫不及待地宣布自家3nm制程的GAA架构性能优于台积电的3nmFinFET架构。其实我们都知道,流片时性能参数呈现出的优势并不稳固,还需要看量产时的良品率等重要因素,事实上,对三星而言,3nm量产也是前所未有的挑战,即使公布了2030年171亿韩元的投资计划,如果在3nm上跌了跟头,将会对韩国整个半导体行业产生巨大的影响。所以,我们不妨借3星流片话题聊聊当前3nm的进程,借他山之石,攻己之玉。
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摘要:
随着芯片制造商开始转向更先进的技术节点,愈发精细的特征成为了棘手的难题。其中一个主要难点是将芯片设计转到晶圆上的材料,因为当前的材料很快就无法满足精细度要求。为了能及时满足下一代器件的缩放要求,泛林集团推出了一项突破性的干膜光刻胶技术。要更好地了解该解决方案,我们需要首先了解图形化工艺和当前使用的光刻胶,之后再探讨该技术的潜在优势。
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丁涛杰;
王成迁;
孙晓冬
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摘要:
随着半导体器件特征尺寸逼近物理极限,摩尔定律加倍效应已经开始放缓,摩尔定律难以为继;作为半导体产业里程碑的片上系统(SoC)在技术节点进入深亚纳米后也面临着设计难度上升、研发成本高昂等挑战;随着应用场景的需求升级,整机系统对实现模块板卡更小、更轻的要求也越发迫切。正是在这样的背景下,微系统应运而生,成为了后摩尔时代延续摩尔定律重要的解决途径,成为当今微电子技术重要发展方向之一。
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邓珏霜
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摘要:
2021年9月23日,美国商务部以提高芯片“供应链透明度”为由,要求台积电、三星、英特尔等半导体企业在当年11月8日前向美国政府交出技术节点、芯片库存、销售记录、客户信息等商业机密数据。美国商务部长雷蒙多甚至威胁称,如果企业不愿意提交,白宫可能会援引《国防生产法》或其他工具来迫使企业采取行动。
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Samuel K.Moore
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摘要:
提起技术领域最著名的信条,摩尔定律当然不能不提。50多年以来,摩尔定律一直在说明和预测晶体管会缩小,就像约每两年出现一个转折点(称为技术节点)一样。就像一些基于物理原理的末日时钟一样,工程师们一直在设法使一场硅片能容纳的晶体管数量定期增加一倍,因此,节点的数量在过去几十年里不断减少。
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摘要:
集成电路的发展要求互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管在持续缩减尺寸的同时提升性能,降低功耗。随着主流CMOS集成电路缩减到亚10 nm技术节点,采用新结构或新材料对抗场效应晶体管中的短沟道效应、进一步提升器件能量利用效率变得愈加重要。在诸多新型半导体材料中,半导体碳纳米管具有超高的电子和空穴迁移率、原子尺度的厚度和稳定的结构,是构建高性能CMOS器件的理想沟道材料。
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