微电子器件

摘要： 针对微电子行业对高素质复合型新工科人才的需求,课程以培养具有时代担当精神、扎实专业基础和创新能力的未来行业领军人才为目标,秉承“以学生为中心”的教育理念,坚持价值塑造、知识传授和能力培养三位一体的教学方式。以课程思政为统帅,实现专业知识与思想政治的有机融合。以课堂研讨和实践教学为两个抓手,开展产—学—研融合的课程内容和教学方法改革。以学科竞赛、大创项目等为牵引,鼓励学生参与创新活动。以现代信息技术为辅助手段,通过线上线下混合式教学,增强课程的生动性,扩大课程的影响力。改革解决了工科教学中课程思政融入性差,课堂与产业和学科前沿脱节,学生实践能力弱、创新能力不足,以及课程辐射面小的四大痛点问题,并成效显著。

摘要： “微电子器件”是微电子相关专业的核心基础课程,通过课程的学习能够使学生掌握各种微电子器件的原理和特性,为学生后续学习和深造打下了理论基础。课程思政是新形势下高校专业课程教学改革的主要目标之一。本课程组深入探讨了在“微电子器件”课程中融入思政元素的可行性,提出实施课程思政的基本思路和具体措施。改革有效地提高了课程教学质量和本科生培养质量。

摘要： 随着集成电路(IC)特征尺寸的缩小,CMOS微电子器件发热功率密度急剧增加,相应热能在不同薄膜层内传输。为了助力IC芯片封装热管理及MEMS热学芯片的设计与优化,CMOS-MEMS薄膜热导率的测量尤为重要,然而现有技术很难在芯片实际工作中进行原位热导率测量。近期深圳大学许威助理教授联合香港科技大学LEE教授团队设计了一种巧妙的MEMS结构,提出了一种新的测量方案,可以有效复现芯片工作中薄膜热导率的测量。

摘要： 随着微电子技术进入后摩尔时代,集成电路专业的研究生不仅要掌握现行的硅基微电子技术,还要能够应对行业未来的重大技术变革,引领时代发展。作为本科生“微电子器件基础”的进阶课程,“现代半导体器件物理”是集成电路专业研究生的核心课程,研究生对器件物理知识的熟识程度直接影响其半导体器件分析和集成电路设计能力。本课程改革以“学生中心,产出导向”为指导,通过梳理课程知识体系,构建模块化的知识地图,将最新学术成果和行业动态融入教学内容,并利用翻转课堂、分组讨论等教学新模式和多元考评体系培养研究生的创新思维,提升研究生学习的积极性、主动性和课程参与度。本课程的教学改革成果为集成电路专业研究生的核心课程建设和人才培养提供了一定的参考。

摘要： 微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求。本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅射技术在单晶硅上制备TiN薄膜。通过XRR、GIXRD、四探针测试仪和AFM等表征手段系统研究了衬底偏压、工作气压和溅射电源对薄膜晶体结构和电阻率的影响规律。结果表明,当采用直流电源进行溅射镀膜时,在-200 V的衬底偏压和0.3 Pa的工作气压下,得到了沿(200)晶面择优生长、表面粗糙度为0.7 nm、电阻率为38.7μΩ·cm的TiN薄膜。在该工艺条件下,分别采用直流和射频电源在4英寸单晶硅衬底上制备TiN薄膜。最终采用射频电源可获得高导电性、原子级平滑且厚度均匀分布的薄膜。分析发现:在使用射频电源的放电溅射过程中,高频交变电场使放电空间的电子在电极之间震荡,产生比直流放电更有效的碰撞电离,因此射频磁控溅射比直流磁控溅射沉积的薄膜更致密。

摘要： 随着微电子器件特征尺寸进一步缩小,传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战,为解决传统铜互连阻挡层技术阻挡扩散性能弱的问题,铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的研究热点。本文以Cu(V)/SiO2/Si多层膜体系为研究对象,实现Cu(V)合金薄膜制备参数的优化设计。通过体系界面特性和电学特性的分析得出,溅射气压、溅射功率和靶基距这3个制备参数的变化对铜合金薄膜性质及合金体系的阻挡性能均有明显的影响。且当溅射气压为0.5 Pa、溅射功率为90 W、靶基距为60 mm时,制备的铜钒合金薄膜经退火后会自形成最优阻挡层。

摘要： 航天器中的精密微电子器件布局影响着航天器局部振动特性,反过来,航天器的局部振动影响着精密微电子器件稳定性和精度.基于此,本文对航天器中微电子器件的布局进行了优化,以降低结构局部振动对微电子器件的影响.在每一步优化迭代过程中,微电子器件固定在一薄板上,薄板通过螺钉固接在航天器结构本体上,使用关注系统局部几何性质的保结构分析方法分析该薄板结构的局部振动特性.本文的优化方法和优化结果为航天器中精密微电子器件的布局设计提供参考.

摘要： [目的/意义]面向我国信息化战略和集成电路重大需求,基于专利文献分析把握微电子器件材料和工艺的发展现状和趋势.[方法/过程]以德温特世界专利索引数据库2000-2020年的专利为基础,从三个层次进行专利分析:(1)宏观上对专利数量、时间趋势等进行基本统计分析;(2)中观上对专利国家/地区、专利权人以及研发团队合作关系等进行关联分析;(3)微观上利用Citespace分析关键材料和工艺的主题演化进程和发展趋势.[结果/结论]美国微电子器件材料和工艺专利量领先全球;全球形成以IBM-三星、日本日立和荷兰飞利浦为中心的美日欧三个研发团体,且美日间合作关系较强;传统复合材料、化合物材料已趋于成熟,新型半导体材料、纳米线、纳米管以及石墨烯及其衍生物等材料是未来研发重点.本文能弥补未总结微电子器件关键材料和工艺的研究空白,为我国相关技术发展提供参考和启示.

摘要： Mojo Vision AR隐形眼镜由微电子器件和微显示器组成,可以获取重要信息,辅助用户更好地生活工作。例如,佩戴这款AR隐形眼镜可以让你在走路时看到转弯路线,甚至你可以在演示时看到笔记,而不用再低头看笔记本电脑或者手机。它搭载的微型显示器可以将文字、视频以及图像投影到你的视野中,在AR技术的帮助下,这款隐形眼镜还能与互联网连接,可以随时随地访问各种信息,并显示在你的眼前。与此同时,如果你需要进行实时活动,那么这款AR隐形眼镜也不会干扰、分散你的注意力。

摘要： 《电子元件与材料》创办于1982年,每月5日出版,是由工业和信息化部主管,国营第715厂、中国电子学会、中国电子元件行业协会共同主办的国家级科技刊物。报道范围:电子陶瓷及器件、新型阻容元件、敏感元件与传感技术、半导体材料及器件、微电子器件与集成技术、微波元器件、光电子材料与器件、新能源材料及器件、磁性材料及器件等相关领域。

摘要： 电子产品无Pb制程取代有Pb制程,已是大势所趋.由于现在微电子器件中的焊点越来越细小,但其所承载的力学、电学和热力学负荷却越来越重.在无Pb焊点的制程中,焊接的质量与可靠性决定了电子产品的质量和可靠性,这一切不管可靠性是否达到在苛刻环境中使用的电子产品的要求,都是必须关注的.本文从应用角度出发,重点比较了PCBA无铅、有铅焊点在制程上的异与同,可靠性上的优与劣,从而更好地实现无铅工艺的最优化及可靠性的最大化.

摘要： 微热管是高热流密度微电子器件散热的关键零件,针对现有微热管内表面非连续强化传热微结构制造的难题,本项目提出了一种电解加工微热管内表面非连续微结构的新工艺,可以对此类微结构进行低成本、高效率、高表面质量的加工.设计并制备高性能工具电极、突破高定域性加工技术,优化微细电解加工工艺参数,实现不同尺寸形状的非连续微结构加工.通过对加工间隙内电场、流场特性的分析,研究微细电解加工微热管内表面非连续微结构的成形机理.为新方法未来的实际应用奠定理论基础.

摘要： 溶剂清洗作为传统的主流高效清洗工艺,在各行各业中应用非常广泛,不过其在精密电子器件清洗工艺管理中较为复杂;而随着精密微电子工艺技术和涂镀膜对基材表面洁净度和活化能的严格要求,它们的应用局限性也不言而喻.而等离子体清洁技术,作为一种新型的表面处理和干法清洁工艺(plasma treatment/plasma cleaner),近几年来随着各行各业尤其是精密电子行业对它的应用研究持续深入,现已为大家所熟知.因等离子干式清洗，不需要溶剂和高纯DI水，清洗后无需烘干，也不存在排污等问题，低成本低能耗且操作工艺简单。等离子干法清洗因为对工件没有潜在的危害，当前它被广泛应用于PCB Pads、LCD、金属材料，各种金属线缆，PCB，FPC，Rigid-FPC，Lead frame等领域。因此，等离子干式清洁，对于提高各种材质表面的洁净度和活化能效果明显；同时，它也是溶剂清洗的重要补充，通过两者的取长补短，更能达到理想的效果。

摘要： 溶剂清洗作为传统的主流高效清洗工艺,在各行各业中应用非常广泛,不过其在精密电子器件清洗工艺管理中较为复杂;而随着精密微电子工艺技术和涂镀膜对基材表面洁净度和活化能的严格要求,它们的应用局限性也不言而喻.而等离子体清洁技术,作为一种新型的表面处理和干法清洁工艺(plasma treatment/plasma cleaner),近几年来随着各行各业尤其是精密电子行业对它的应用研究持续深入,现已为大家所熟知.因等离子干式清洗，不需要溶剂和高纯DI水，清洗后无需烘干，也不存在排污等问题，低成本低能耗且操作工艺简单。等离子干法清洗因为对工件没有潜在的危害，当前它被广泛应用于PCB Pads、LCD、金属材料，各种金属线缆，PCB，FPC，Rigid-FPC，Lead frame等领域。因此，等离子干式清洁，对于提高各种材质表面的洁净度和活化能效果明显；同时，它也是溶剂清洗的重要补充，通过两者的取长补短，更能达到理想的效果。

摘要： 溶剂清洗作为传统的主流高效清洗工艺,在各行各业中应用非常广泛,不过其在精密电子器件清洗工艺管理中较为复杂;而随着精密微电子工艺技术和涂镀膜对基材表面洁净度和活化能的严格要求,它们的应用局限性也不言而喻.而等离子体清洁技术,作为一种新型的表面处理和干法清洁工艺(plasma treatment/plasma cleaner),近几年来随着各行各业尤其是精密电子行业对它的应用研究持续深入,现已为大家所熟知.因等离子干式清洗，不需要溶剂和高纯DI水，清洗后无需烘干，也不存在排污等问题，低成本低能耗且操作工艺简单。等离子干法清洗因为对工件没有潜在的危害，当前它被广泛应用于PCB Pads、LCD、金属材料，各种金属线缆，PCB，FPC，Rigid-FPC，Lead frame等领域。因此，等离子干式清洁，对于提高各种材质表面的洁净度和活化能效果明显；同时，它也是溶剂清洗的重要补充，通过两者的取长补短，更能达到理想的效果。

摘要： 溶剂清洗作为传统的主流高效清洗工艺,在各行各业中应用非常广泛,不过其在精密电子器件清洗工艺管理中较为复杂;而随着精密微电子工艺技术和涂镀膜对基材表面洁净度和活化能的严格要求,它们的应用局限性也不言而喻.而等离子体清洁技术,作为一种新型的表面处理和干法清洁工艺(plasma treatment/plasma cleaner),近几年来随着各行各业尤其是精密电子行业对它的应用研究持续深入,现已为大家所熟知.因等离子干式清洗，不需要溶剂和高纯DI水，清洗后无需烘干，也不存在排污等问题，低成本低能耗且操作工艺简单。等离子干法清洗因为对工件没有潜在的危害，当前它被广泛应用于PCB Pads、LCD、金属材料，各种金属线缆，PCB，FPC，Rigid-FPC，Lead frame等领域。因此，等离子干式清洁，对于提高各种材质表面的洁净度和活化能效果明显；同时，它也是溶剂清洗的重要补充，通过两者的取长补短，更能达到理想的效果。

摘要： 本文在分析了当前电子制造高密度安装技术中,不断涌现的一些新的瓶颈问题和挑战的基础上,前瞻性地介绍了即将到来的这场电子制造高密度安装技术革命的方向和内容.正处在这场新的技术革命的黎明期,文中从涉及这场革命的科学原理出发,介绍了国外的研究动态及其未来的趋势.先进的元器件封装加速了高密度安装技术的发展，封装技术的发展驱动了高密度安装技术的强势发展，无源封装的发展完善了高密度安装技术体系的形成。具体分析了焊膏印刷、贴片和贴片机、板级电路安装工艺、再流焊接和焊接设备面临的挑战。摩尔定律揭示了安装技术的发展规律。展望了未来的电场贴装技术、自安装技术、并行贴装、元器件与基板之间的表面能维微电子机械系统CHEMS)的发展。

摘要： 本文在分析了当前电子制造高密度安装技术中,不断涌现的一些新的瓶颈问题和挑战的基础上,前瞻性地介绍了即将到来的这场电子制造高密度安装技术革命的方向和内容.正处在这场新的技术革命的黎明期,文中从涉及这场革命的科学原理出发,介绍了国外的研究动态及其未来的趋势.先进的元器件封装加速了高密度安装技术的发展，封装技术的发展驱动了高密度安装技术的强势发展，无源封装的发展完善了高密度安装技术体系的形成。具体分析了焊膏印刷、贴片和贴片机、板级电路安装工艺、再流焊接和焊接设备面临的挑战。摩尔定律揭示了安装技术的发展规律。展望了未来的电场贴装技术、自安装技术、并行贴装、元器件与基板之间的表面能维微电子机械系统CHEMS)的发展。

摘要： 本文在分析了当前电子制造高密度安装技术中,不断涌现的一些新的瓶颈问题和挑战的基础上,前瞻性地介绍了即将到来的这场电子制造高密度安装技术革命的方向和内容.正处在这场新的技术革命的黎明期,文中从涉及这场革命的科学原理出发,介绍了国外的研究动态及其未来的趋势.先进的元器件封装加速了高密度安装技术的发展，封装技术的发展驱动了高密度安装技术的强势发展，无源封装的发展完善了高密度安装技术体系的形成。具体分析了焊膏印刷、贴片和贴片机、板级电路安装工艺、再流焊接和焊接设备面临的挑战。摩尔定律揭示了安装技术的发展规律。展望了未来的电场贴装技术、自安装技术、并行贴装、元器件与基板之间的表面能维微电子机械系统CHEMS)的发展。

摘要： 本文在分析了当前电子制造高密度安装技术中,不断涌现的一些新的瓶颈问题和挑战的基础上,前瞻性地介绍了即将到来的这场电子制造高密度安装技术革命的方向和内容.正处在这场新的技术革命的黎明期,文中从涉及这场革命的科学原理出发,介绍了国外的研究动态及其未来的趋势.先进的元器件封装加速了高密度安装技术的发展，封装技术的发展驱动了高密度安装技术的强势发展，无源封装的发展完善了高密度安装技术体系的形成。具体分析了焊膏印刷、贴片和贴片机、板级电路安装工艺、再流焊接和焊接设备面临的挑战。摩尔定律揭示了安装技术的发展规律。展望了未来的电场贴装技术、自安装技术、并行贴装、元器件与基板之间的表面能维微电子机械系统CHEMS)的发展。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 本申请实施例提供一种微电子器件及微电子器件制作方法，该微电子器件包括基于衬底制作形成的至少两个相互间隔的、与衬底掺杂类型相反的掺杂阱，及基于衬底一侧制作形成的与各掺杂阱接触的外延结构。所述外延结构远离衬底一侧设置有相互级联的至少两个功率器件，其中每个功率器件与一个掺杂阱对应设置，且各功率器件的低电位端与其对应的掺杂阱连接。如此，通过在衬底中形成相互间隔的掺杂阱，且将各个功率器件的低电位端连接至对应的掺杂阱，使得衬底电压和各个功率器件的低电位端为相同电位，抑制因电子注入到外延结构中而造成功率器件性能的偏移或退化。

摘要： 公开了用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件。一种用于制造黑硅表面的工艺，该工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对该聚合物层和该硅体的该区域进行等离子体蚀刻，并以非均匀方式去除该硅体的该区域的不大于10nm的表面部分。

摘要： 提供一种微电子器件的制造方法，通过在GaAs化合物半导体材料上，特别是在例如异质结二极管的异质结结构GaAs化合物半导体材料上制成半导体件，它以简单且价廉的制造工艺获得具有长时间工作低欧姆接触电阻的特点。

摘要： 本发明创建了一种具有用于检测热像仪图像的传感器芯片（1）的微电子器件装置（100）。所述传感器芯片（1）具有前侧（VS）、背侧（RS）和侧面（SF），所述侧面（SF）将所述前侧（VS）与所述背侧（RS）相连。所述微电子器件装置（100）此外还包括至少一个分析电路（A1）和透镜，其中所述至少一个分析电路（A1）至少局部地以所述传感器芯片（1）的背侧（RS）和/或以所述传感器芯片（1）的侧面（SF）与所述传感器芯片（1）有接触，其中所述透镜（L1）布置在所述传感器芯片（1）的前侧（VS）上而且覆盖所述传感器芯片（1），其中所述传感器芯片（1）的侧面（SF）和/或所述分析电路（A1）的侧面（SA）以及所述透镜（L1）的侧面（SL）至少局部具有机械拆除的痕迹。

摘要： 一种用于微电子器件的布线层，包括含有第一沟槽(111，511)的第一区域(110，510)、含有第二沟槽(121，521)的第二区域(120，520)以及所述第一沟槽和第二沟槽中的导电材料(230，530)。所述第一沟槽具有第一深度(115)，第二沟槽具有与第一深度不同的第二深度(125)。

摘要： 本发明涉及微电子器件的技术领域，公开了一种微电子器件封装用固定装置及微电子器件封装方法。该微电子器件封装用固定装置包括：底板；两个立柱，相对设置在底板上；以及固定组件，每个立柱上设置一个固定组件，固定组件包括：限位板，与立柱滑动连接，两个限位板之间形成可调节大小的用于固定微电子器件的固定间隙；以及夹持件，设置在限位板上，夹持件用于夹持微电子器件。该微电子器件封装用固定装置可以根据微电子器件的种类不同，或者尺寸不同来调整固定间隙的大小，以实现对各种微电子器件的封装，从而提高对微电子器件的适应性，有效降低封装运输成本。

摘要： 本申请实施例提供一种微电子器件及微电子器件制作方法，该微电子器件包括基于衬底制作形成的至少两个相互间隔的、与衬底掺杂类型相反的掺杂阱，及基于衬底一侧制作形成的与各掺杂阱接触的外延结构。所述外延结构远离衬底一侧设置有相互级联的至少两个功率器件，其中每个功率器件与一个掺杂阱对应设置，且各功率器件的低电位端与其对应的掺杂阱连接。如此，通过在衬底中形成相互间隔的掺杂阱，且将各个功率器件的低电位端连接至对应的掺杂阱，使得衬底电压和各个功率器件的低电位端为相同电位，抑制因电子注入到外延结构中而造成功率器件性能的偏移或退化。

摘要： 公开了用于制造具有黑色表面的微电子器件的工艺和微电子器件。一种用于制造黑硅表面的工艺，该工艺包括多个粗糙化循环，每个粗糙化循环包括：在硅体的区域上沉积非平面聚合物层；以及以非单向方式对该聚合物层和该硅体的该区域进行等离子体蚀刻，并以非均匀方式去除该硅体的该区域的不大于10nm的表面部分。

摘要： 一种包括衬底和晶体管的微电子器件。该晶体管包括衬底中的沟道区、沟道区中的凹槽、第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括第一电介质材料并沉积在凹槽的底部。第二电介质层包括第二电介质材料并沉积在凹槽的侧壁上。第一电介质材料的介电常数高于第二电介质材料的介电常数。栅电极位于凹槽中并通过第一和第二电介质层与沟道区电绝缘。