TiN薄膜

摘要： 为改善医用不锈钢的耐磨性,采用反应磁控溅射在304不锈钢表面沉积了TiN薄膜,研究了Ti过渡层沉积时间对TiN薄膜微观结构和力学性能的影响。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、纳米压痕仪、FST1000型薄膜应力测试仪、HSR-2M摩擦磨损试验机和WS-2005型涂层附着力自动划痕仪对样品进行微观组织表征和力学性能测试。结果表明,当Ti过渡层沉积时间为20 min,Ti过渡层厚度为340 nm时,TiN薄膜结晶性最强,硬度和弹性模量达到最大值,分别为21.6 GPa和327.5 GPa,平均摩擦因数达到最小值0.45,临界载荷达到最大值24.7 N,TiN薄膜的力学性能、摩擦性能以及与基体的结合力达到最优。进一步延长Ti过渡层的沉积时间,TiN薄膜的柱状晶组织粗化、力学性能、摩擦性能以及与基体的结合力均降低。

摘要： 微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求。本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅射技术在单晶硅上制备TiN薄膜。通过XRR、GIXRD、四探针测试仪和AFM等表征手段系统研究了衬底偏压、工作气压和溅射电源对薄膜晶体结构和电阻率的影响规律。结果表明,当采用直流电源进行溅射镀膜时,在-200 V的衬底偏压和0.3 Pa的工作气压下,得到了沿(200)晶面择优生长、表面粗糙度为0.7 nm、电阻率为38.7μΩ·cm的TiN薄膜。在该工艺条件下,分别采用直流和射频电源在4英寸单晶硅衬底上制备TiN薄膜。最终采用射频电源可获得高导电性、原子级平滑且厚度均匀分布的薄膜。分析发现:在使用射频电源的放电溅射过程中,高频交变电场使放电空间的电子在电极之间震荡,产生比直流放电更有效的碰撞电离,因此射频磁控溅射比直流磁控溅射沉积的薄膜更致密。

摘要： 目的提高钛合金与自润滑织物衬垫对磨的耐磨性。方法采用多弧离子镀在TC4钛合金表面制备TiN和CrAlN硬质薄膜,利用扫描电镜、X射线衍射仪、纳米压痕仪、销-盘摩擦磨损试验机、白光干涉扫描轮廓仪测试分析薄膜的形貌、结构、硬度、弹性模量、摩擦磨损性能和磨痕形貌。结果在相同的测试条件下,TC4钛合金与自润滑织物衬垫对磨时,能更快地进入稳定摩擦阶段,且平均摩擦系数最低,仅为0.12;TiN薄膜进入稳定摩擦阶段所用时间和摩擦系数较TC4钛合金稍有增加;而CrAlN薄膜进入稳定摩擦阶段的用时最长且平均摩擦系数最大。测量摩擦磨损后自润滑织物衬垫磨痕的二维轮廓发现,当与CrAlN薄膜对磨时,自润滑织物衬垫的磨痕深度最大,但磨损率最低,这主要是软质织物衬垫的不均匀磨损引起的。进一步分析发现,所有的试验销表面均形成了转移膜,但CrAlN薄膜表面形成的转移膜最薄,从而导致其摩擦系数最大,磨损率最低。深入分析自润滑织物衬垫磨痕形貌发现,与TC4钛合金对磨的自润滑织物衬垫的磨痕表现为磨粒磨损和纤维束的破损;与TiN薄膜对磨的自润滑织物衬垫的磨痕表现为区域损失和表面不规则的凹痕;与CrAlN薄膜对磨的自润滑织物衬垫的磨痕中纤维束破损严重。结论与自润滑织物衬垫对磨后,钛合金以及硬质薄膜表面均形成转移膜,CrAlN薄膜表面转移膜最薄,与之对磨的自润滑织物衬垫的磨损率最低。

摘要： 为了研究Ar/N2流量比对Ti N薄膜耐蚀性的影响,采用反应直流磁控溅射法在304不锈钢上制备Ti N薄膜。研究了在溅射沉积过程中Ar/N2气体流量比对Ti N薄膜结构形貌和耐腐蚀性能的影响,并对结果进行了分析。结果表明:在保持其他工艺参数不变的情况下,增大N2流量制备Ti N薄膜,薄膜主要成分为Ti N,Ti2N和Ti N0.3;在高的Ar/N2条件下,即低的氮分压下,薄膜生长呈任意取向,在低的Ar/N2条件下,即高的氮分压下,薄膜(200)择优取向;氩氮流量比为50∶5时,电阻率最小,为0.002Ω·m,薄膜具有良好的导电性;当氩氮流量比为50∶5时,Ti N表面平整,呈现细小颗粒状,并且通过盐雾腐蚀试验可知,此时Ti N薄膜的耐腐蚀性能最好。

摘要： 本文采用磁控溅射技术,通过改变沉积温度在玻璃衬底上制备了一系列TiN薄膜。利用XRD进行了物相鉴定,使用分光光度计、椭圆偏振光谱仪和四探针电阻仪测试了TiN薄膜的光学性能。结果表明:制备的TiN薄膜为多晶态立方结构TiN,且随着衬底温度的升高,薄膜结晶性提高,折射率减小,消光系数升高。

摘要： 采用电弧离子镀技术在316L不锈钢基体上低温沉积TiN薄膜,并利用EDS、SEM、XRD和纳米压痕仪研究基体偏压和温度对薄膜的显微结构、残余应力和力学性能的影响规律.结果表明,TiN薄膜表现出高度(111)择优取向的面心立方结构.随着基体偏压和温度的增加,衍射峰强度急剧增加,同时峰变窄,晶粒尺寸从6.2 nm增大到13.8 nm.当基体温度从10°C 增加到300°C 时,薄膜的残余压应力从10.2 GPa急剧下降到7.7 GPa,从而导致薄膜的硬度从33.1 GPa下降到30.6 GPa,而薄膜的结合力则从9.6 N增加到21 N.%The TiN films were deposited on 316L stainless steel substrates at low temperature by arc ion plating. The influences of substrate bias voltage and temperature on microstructure, residual stress and mechanical properties of the films were investigated by EDS, SEM, XRD and nanoindenter tester, respectively. The results showed that the TiN films were highly oriented in (111) orientation with a face-centered cubic structure. With the increase of substrate bias voltage and temperature, the diffraction peak intensity increased sharply with simultaneous peak narrowing, and the small grain sizes increased from 6.2 to 13.8 nm. As the substrate temperature increased from 10 to 300 °C, the residual compressive stress decreased sharply from 10.2 to 7.7 GPa, which caused the hardness to decrease from 33.1 to 30.6 GPa, while the adhesion strength increased sharply from 9.6 to 21 N.

摘要： To increase the stamping formability of sheet metal by improving the tribological properties of the die-binder area,an YLP-20 laser process system and a multi-arc ion deposition system were used to prepare triangular micro-textures and TiN coating,respectively.The tribological test was conducted by a UMT-3 pin-on-disk tribometer.The die-binder area was selected as the research subject,and the finite element model was established using Dynaform software.The stamping forming process was simulated according to the friction coefficient obtained from the above experiments.The results show that the laser surface texture technology and the coating technology can both reduce the friction coefficient between the die-binder area and the sheet metal.The texturing/coating technology has the best friction reducing effect.The thinning rate of the sheet metal decreases with the decreasing of the friction coefficient,while the thickening rate of the sheet metal increases.The change of the sheet metal thickness tends to be stable when the friction coefficient is lower than 0.150.The increase of die-binder force leads to the increase of the thinning rate.This negative effect can be controlled by reducing the friction coefficient between the die-binder area and the sheet metal.It is feasible to improve the stamping formability of the sheet metal by applying the surface texture and coating technology to the die-binder area.%通过改善凹模压边区摩擦学性能以提高冲压成形件质量,分别利用YLP-20型激光加工系统和多弧离子镀沉积设备在试样表面制备三角形微织构和TiN薄膜,采用UMT-3摩擦磨损试验机开展摩擦学性能试验;通过Dynaform软件建立有限元模型,以凹模压边区为研究对象,根据试验所得摩擦因数对冲压过程进行仿真分析.结果表明:镀膜和织构两种表面处理技术均能降低凹模压边区与板料间的摩擦因数,且先织构后镀膜技术具有最佳减摩效果;板料的减薄率随摩擦因数的减小而降低,增厚率则相反,并在摩擦因数减小到0.150后板料厚度变化趋于稳定;增大压边力会导致板料减薄率增加,减小凹模压边区与板料间的摩擦因数可抑制这一负面效果;将表面织构和镀膜技术应用于凹模压边区改善板料成形性能是可行的.

摘要： 应用磁控溅射中的直流溅射于25°C、150°C、250°C、350°C、450°C下在P型硅(100)基底上生长TiN薄膜,利用使用台阶仪、X射线衍射仪、原子力显微镜,分别测试不同基底温度下薄膜的电阻率、厚度、晶体结构、表面特征,结果表明随着温度的上升,表面均方粗糙度逐渐减小.且在350°C条件下,薄膜表面最光滑.从而证实了温度越高,薄膜的表面越优良.

摘要： 采用电弧离子镀技术在316L不锈钢基体上低温沉积TiN薄膜,并利用EDS、SEM、XRD和纳米压痕仪研究基体偏压和温度对薄膜的显微结构、残余应力和力学性能的影响规律。结果表明,TiN薄膜表现出高度（111）择优取向的面心立方结构。随着基体偏压和温度的增加,衍射峰强度急剧增加,同时峰变窄,晶粒尺寸从6.2 nm增大到13.8 nm。当基体温度从10°C增加到300°C时,薄膜的残余压应力从10.2 GPa急剧下降到7.7 GPa,从而导致薄膜的硬度从33.1 GPa下降到30.6 GPa,而薄膜的结合力则从9.6 N增加到21 N。

摘要： 目的研究Ti6Al4V合金、铬掺杂类金刚石(Cr-DLC)薄膜、钨掺杂类金刚石(W-DLC)薄膜和氮化钛(TiN)薄膜,在干摩擦和盐雾腐蚀气氛摩擦条件下的摩擦磨损性能。方法在商用Ti6Al4V合金表面通过非平衡磁控溅射制备Cr-DLC薄膜和W-DLC薄膜,通过多弧离子镀技术制备TiN薄膜。利用扫描电镜、显微硬度计、摩擦磨损试验机、白光干涉扫描轮廓仪,对薄膜的形貌、硬度、干摩擦和腐蚀摩擦性能、磨痕形貌进行测试分析。结果干摩擦条件下,Ti6Al4V合金表面沉积Cr-DLC、W-DLC和TiN三种薄膜的摩擦系数均比Ti6Al4V合金低;Ti6Al4V合金及其表面制备的三种薄膜在盐雾腐蚀气氛条件下的摩擦系数都比干摩擦条件下有所增加。与Ti6Al4V合金相比,Cr-DLC、W-DLC和TiN三种薄膜在干摩擦和盐雾腐蚀气氛摩擦条件下均减小了磨损体积。干摩擦条件下,W-DLC薄膜的磨损体积为0.0017 mm^3,耐磨性最好;盐雾腐蚀气氛摩擦条件下,TiN薄膜的磨损体积为0.0028 mm^3,表现出最佳的耐腐蚀磨损性能。通过磨痕形貌可以得出,盐雾腐蚀气氛摩擦条件下,Ti6Al4V合金表面制备的金属掺杂类金刚石薄膜的磨损受到磨粒磨损和腐蚀磨损双重机制的影响。结论三种表面功能薄膜在盐雾腐蚀气氛摩擦条件下都较好地保护了Ti合金,极大地减少了磨损损失。

摘要： 用反应直流溅射方法，在抛光后的W18Cr4V高速钢基体的表面上制备TiN膜层。利用SEM对薄膜表面形貌进行了观测，通过色度计研究了氮气流量、偏压对TiN薄膜色泽的影响。结果表明，偏压和氮气流量对TiN色泽都有影响，而后者的影响更为明显。

摘要： 用反应直流溅射方法，在抛光后的W18Cr4V高速钢基体的表面上制备TiN膜层。利用SEM对薄膜表面形貌进行了观测，通过色度计研究了氮气流量、偏压对TiN薄膜色泽的影响。结果表明，偏压和氮气流量对TiN色泽都有影响，而后者的影响更为明显。

摘要： 用反应直流溅射方法，在抛光后的W18Cr4V高速钢基体的表面上制备TiN膜层。利用SEM对薄膜表面形貌进行了观测，通过色度计研究了氮气流量、偏压对TiN薄膜色泽的影响。结果表明，偏压和氮气流量对TiN色泽都有影响，而后者的影响更为明显。

摘要： 采用多弧离子镀设备在抛光后的高速钢表面沉积TiN薄膜，在其他参数不变的情况下，着重考察偏压对薄膜的沉积速率的影响。实验结果表明，随着负偏压的增加，沉积速率不断增加，但在一定的负偏压达到最大值后，沉积速率又随偏压增大而减小。

摘要： 采用多弧离子镀设备在抛光后的高速钢表面沉积TiN薄膜，在其他参数不变的情况下，着重考察偏压对薄膜的沉积速率的影响。实验结果表明，随着负偏压的增加，沉积速率不断增加，但在一定的负偏压达到最大值后，沉积速率又随偏压增大而减小。

摘要： 采用多弧离子镀设备在抛光后的高速钢表面沉积TiN薄膜，在其他参数不变的情况下，着重考察偏压对薄膜的沉积速率的影响。实验结果表明，随着负偏压的增加，沉积速率不断增加，但在一定的负偏压达到最大值后，沉积速率又随偏压增大而减小。

摘要： 采用多弧离子镀设备在抛光后的高速钢表面沉积TiN薄膜，在其他参数不变的情况下，着重考察偏压对薄膜的沉积速率的影响。实验结果表明，随着负偏压的增加，沉积速率不断增加，但在一定的负偏压达到最大值后，沉积速率又随偏压增大而减小。

摘要： 综合介绍了目前国内外利用磁控溅射和电弧离子镀这两种工艺制备TiAlN薄膜以及影响TiAlN薄膜制备的工艺因索。着重分析了铝在TiAlN膜层中作用及对膜层性能的影响。简要介绍了其它合金元素对膜层性能的影响并指出了TiAlN膜层技术的发展趋势。

摘要： 综合介绍了目前国内外利用磁控溅射和电弧离子镀这两种工艺制备TiAlN薄膜以及影响TiAlN薄膜制备的工艺因索。着重分析了铝在TiAlN膜层中作用及对膜层性能的影响。简要介绍了其它合金元素对膜层性能的影响并指出了TiAlN膜层技术的发展趋势。

摘要： 综合介绍了目前国内外利用磁控溅射和电弧离子镀这两种工艺制备TiAlN薄膜以及影响TiAlN薄膜制备的工艺因索。着重分析了铝在TiAlN膜层中作用及对膜层性能的影响。简要介绍了其它合金元素对膜层性能的影响并指出了TiAlN膜层技术的发展趋势。

摘要： 本发明公开了一种改善TiN薄膜连续性的表面处理方法，包括如下步骤：步骤S1，在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤S2，利用含有强氧化剂的溶液对所述二氧化硅层的表面进行处理；步骤S3，在处理后的二氧化硅层的表面生长TiN薄膜。本发明提出采用含有强氧化剂的溶液处理二氧化硅表面，通过溶液的强氧化性使二氧化硅表面不饱和‑OH键作用成稳定的Si‑O‑Si桥键，在表面形成SiOx的致密钝化层，阻止了氧元素从二氧化硅跃迁到TiN中，从而保证了TiN生长的连续性，最终使得制备的TiN薄膜连续性好，并且厚度薄、均匀性好。

摘要： 本发明公开了一种运用在人工关节表面的TiN/DLC多层复合薄膜的制备方法。所述方法采用磁过滤直流阴极弧技术，先在钴铬钼合金基底依次沉积金属钛过渡层、TiN层和金属钛过渡层，再采用脉冲阴极等离子弧技术沉积1～4组单元层的外层DLC多层薄膜，制得TiN/DLC多层复合薄膜。本发明制备过程简单，制得的TiN/DLC多层复合薄膜具有低摩擦系数，沉积TiN/DLC多层复合薄膜的钴铬钼合金球头的UHMWPE髋臼磨损量明显降低，磨损中金属离子Co、Cr的渗出量减少2/3。

摘要： 本发明提供一种Ti N薄膜、制备方法及其作为红外隐身薄膜的应用，所述Ti N薄膜具有微纳米结构，所述Ti N薄膜具有[200]晶面；其制备工艺简单，不仅能够提高Ti N薄膜的耐熔、耐磨和耐腐蚀性能，而且能够有效降低了T i N薄膜的红外发射率，使得T i N薄膜的红外隐身性能得到有效提高。

摘要： 本发明提供一种改善TIN薄膜连续性的表面处理方法，提供二氧化硅基底；对二氧化硅基底进行表面处理，形成致密钝化层；在致密钝化层上形成连续的TiN薄膜，本发明在表面形成SION的致密钝化层，阻止了氧原子从二氧化硅跃迁到TIN中，从而保证了TIN生长的连续性。

摘要： 本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；沉积TiN；沉积包裹层，包裹TiN；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；刻蚀去除非保护区的包裹层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积包裹层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的包裹层，形成包裹层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及包裹层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明能有效保留超快闪存储器sidewall浮栅TiN薄膜，提高器件性能和均一性。

摘要： 本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HK FOUP，沉积TiN；沉积氧化层，包裹TiN；晶背清洗转至HL FOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；转至HK FOUP，刻蚀去除非保护区的氧化层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积氧化层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的氧化层，形成氧化层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及氧化层侧壁，保留沟槽侧壁的TiN。本发明利用二氧化铪的热稳定性改善超快闪存储器侧壁TiN薄膜的连续性，能提高器件性能和均一性。

摘要： 本实用新型涉及生物膜领域，尤其是涉及一种磁控溅射技术制备的生物性TiN薄膜用杀菌设备，包括消毒结构、降温结构和加热结构，所述消毒结构包括消毒箱、转动连接在消毒箱顶部内壁两端的转动辊、转动连接在消毒箱一侧内壁底部的两根从动辊、套接在转动辊一端的皮带轮、连接在皮带轮之间的皮带、安装在消毒箱一侧外壁的电机、焊接在消毒箱底部内壁两侧和顶部内壁中心处的消毒架和安装在消毒架中的紫外线灯。本实用新型电机通过皮带轮带动转动辊转动，改变薄膜照射的位置，相比于传统方式，有利于对气体和水源进行消毒，有利于减少薄膜污染的几率，有利于保护薄膜减少杀菌温度，有利于减少薄膜的含菌量，降低损失。

摘要： 本实用新型涉及薄膜加工技术领域，尤其涉及一种掺杂改性的TiN微纳薄膜生产用卷绕装置，包括底箱，所述底箱的顶部外壁一侧中部固定有竖板，且竖板的另一侧外壁固定有电机，所述电机的输出端贯穿竖板固定有圆盘，且圆盘的远离电机的一侧外壁中部固定有固定轴，所述固定轴的外壁套接有矩形条，且矩形条的顶部外壁和底部外壁均开设有插槽。本实用新型两个电动滑轨运行通过两个L形杆驱动固定环移动，然后固定环带动两个抽拉块和两个插条移动推出，继而带出收卷好的薄膜，进而便于将收卷好的薄膜从两个抽拉块上取出，提高了工作效率，两个气缸不断的调节辅助辊的高度，从而在收卷薄膜的工程中，给予薄膜一定压力，让其收卷更为紧实。

摘要： 本实用新型公开了一种金属掺杂改性TIN薄膜的均匀混合配比装置，涉及混合配比装置领域，针对现有的混合配比装置结构简单，导致TIN薄膜原料混合不够均匀，从而导致其生产成品质量不达标的问题，现提出如下方案，其包括底端固定安装有呈环形阵列分布的支撑柱的混合箱，所述混合箱呈中空圆柱体结构设置，且所述混合箱的圆周侧壁开设有进料口和出料口，进料口位于出料口的上方，且所述进料口和出料口处均活动安装有密封胶塞，所述混合箱的顶端固定安装有驱动电机，且所述驱动电机的输出轴固定贯穿混合箱的顶端。该装置不仅能够有效的提高TIN薄膜原料的混合效率，提高其成品质量，同时能够对混合箱的内壁进行有效清洁。

摘要： 本实用新型公开了一种TIN薄膜制备均匀度在线监测装置，涉及监测装置领域，针对现有的TIN薄膜均匀度监测装置不具有标记功能的问题，现提出如下方案，其包括底座、安装块和防护盒，所述底座底端四角均安装有自锁万象轮，且所述底座一侧固定安装有控制器，所述底座顶端设有安装块，且所述安装块底端与底座顶端之间设有升降结构，所述安装块一侧固定安装有监测仪，且所述安装块一侧固定安装有支撑块，且所述支撑块一侧设有防护盒，所述防护盒和支撑块之间设有伸缩结构。本实用新型结构新颖，且该设备通过标记结构的设置，促使设备具有标记薄膜不合格地点的功能，便于工作人员后续检测，提高了设备的实用性，且提高了薄膜的加工质量。