阻挡层

摘要： 当技术节点降低至32 nm及以下时,为了缓解电阻-电容(RC)延迟导致的铜(Cu)互连器件可靠性差的问题,急需寻找新的阻挡层材料。与钽(Ta)相比,钴(Co)具有更低的电阻率、更小的硬度、与Cu更好的粘附性、在高纵横比沟槽中能实现保形沉积等优点。因此,Co成为取代Ta的有前途的衬里材料而被堆叠在氮化钽(TaN)阻挡层上。Co的引入可以降低阻挡层厚度和简化工艺过程。然而,当技术节点降低至10 nm及以下时,金属线宽度接近甚至小于Cu的电子平均自由程。由于侧壁和晶界处电子散射的增加,Cu的电阻率开始急剧增加。与Cu相比,Co的电子平均自由程更低且可以在阻挡层更薄的情况下工作。因此,Co成为替代中段制程(MOL)中接触金属W和后段制程(BEOL)中互连金属Cu的绝佳候选材料。Co的引入势必需要与化学机械抛光(CMP)以及CMP后清洗等相兼容的工艺。然而,与多层Cu互连Co基阻挡层CMP以及Co互连CMP相兼容的抛光液作为商业机密一直未被公开。同时,学术界对Co的CMP也缺乏系统而全面的研究。本文就Co作为Cu互连阻挡层和互连金属的有效性及可行性进行了系统论述,重点综述了Co基阻挡层和Co互连CMP的研究现状,讨论了不同化学添加剂对材料去除速率、腐蚀防护、电偶腐蚀和去除速率选择性的影响。同时,本文对Co CMP所面临的问题与挑战进行了总结,以期为Co基阻挡层以及Co互连CMP浆料的开发提供有价值的参考。

摘要： Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)热电材料和金属电极之间的阻挡层是热电器件稳定服役的控制性因素,本文以不同温度下退火后的高致密Ni箔和Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)合金为原料,采用放电等离子烧结扩散焊连接法在Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)表面制备Ni层作为Ni/Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)电极接头的阻挡层。采用X射线衍射仪对阻挡层进行物相分析,用扫描电镜及能谱仪观察和分析电极接头的界面形貌与元素分布。结果表明,在700°C退火后的Ni箔具有优良的防扩散效果,扩散厚度为9μm,用700°C退火后的Ni箔与Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)扩散焊结合,获得13.19 MPa的结合强度。随Ni箔的退火温度升高,Ni/Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)界面裂纹明显改善,这是由于随Ni箔退火温度升高,Ni与Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)之间的晶格失配得到改善,从而使Ni层与Bi_(0.4)Sb_(1.6)Te_(3)的连接性能提高。

摘要： 专利申请号:CN201811154054公开号:CN109181207A申请日:2018.09.29公开日:2019.01.11申请人:台州学院本发明公开了一种钼-锑溴化氧化石墨烯改性ABS复合阻燃材料及其制备方法,利用Sb-Mo/Br-RGO与ABS熔融共混制备获得ABS纳米复合阻燃材料,Sb-Mo/Br-RGO均匀分散在ABS基质中,石墨烯纳米片彼此连接形成阻挡层,可以明显提高ABS的阻燃性能,同时提升材料的抗拉强度,尤其当Sb-Mo/Br-RGO的添加量达到5.0wt%时,可以产生致密的残炭,材料遇到火焰或热流时,可有效抑制热量传递和隔离氧气,从而延缓传热以及热解挥发物逸出,大大提高阻燃性能,且抗拉强度可达68.4MPa。

摘要： 随着微电子器件特征尺寸进一步缩小,传统的铜互连阻挡层技术将面临极大的挑战,为解决传统铜互连阻挡层技术阻挡扩散性能弱的问题,铜合金自形成阻挡层技术成为该领域的研究热点。本文以Cu(V)/SiO2/Si多层膜体系为研究对象,实现Cu(V)合金薄膜制备参数的优化设计。通过体系界面特性和电学特性的分析得出,溅射气压、溅射功率和靶基距这3个制备参数的变化对铜合金薄膜性质及合金体系的阻挡性能均有明显的影响。且当溅射气压为0.5 Pa、溅射功率为90 W、靶基距为60 mm时,制备的铜钒合金薄膜经退火后会自形成最优阻挡层。

摘要： 界面层的反应性是纳米含能复合薄膜(RMFs)制备中的重要因素,直接影响纳米RMFs的反应性能。为了研究纳米Al/CuO RMFs在半导体桥上集成后的电爆性能,采用磁控溅射工艺制备了Al/CuO含能半导体桥(Al/CuO-ESCB)和Al/Cu/CuO含能半导体桥(Al/Cu/CuO-ESCB),研究了Cu层作为阻挡层对Al/CuO-ESCB电爆过程的影响。结果表明:增加Cu阻挡层可以缩短ESCB的临界激发时间,增加ESCB的燃烧时间。

摘要： 通过将共沉淀法制备的钙钛矿型氧化物镧掺杂锡酸钡(LBSO)与多壁碳纳米管(MCNT)混合均匀,制成浆料,并利用刮涂法将其涂布在商业隔膜Celgard 2500(PP)表面构筑阻挡层,获得改性隔膜(LBSO/MCNT/PP)。基于该改性隔膜的锂硫电池在0.1C下具有高达1 433 mAh·g^(-1)的初始放电比容量,1C时300次循环后每圈容量衰减率为0.114%;当电流密度提高到3C时,仍具有764 mAh·g^(-1)的放电比容量,表现出优良的倍率性能和循环稳定性,这主要是由于该阻挡层能够有效抑制多硫化物的穿梭。

摘要： 以HEDP(羟基乙叉二膦酸)作为铝合金阳极氧化的电解液对合金进行处理,可以显著提升零件的防腐性能,有助于在海洋条件下使用。通过正交试验并结合单因素试验确定了HEDP阳极氧化的最佳工艺参数:HEDP浓度0.3 mol/L,温度20~30°C,电流密度0.83 A/dm^(2),氧化时间60 min,分析了各工艺参数对膜层结构的影响。根据最佳工艺参数阳极氧化膜的形貌分析得出阻挡层的厚度,并与硫酸阳极化阻挡层进行了厚度对比。

摘要： 热电元件的界面高温稳定性是决定热电器件服役性能和应用前景的重要因素,而阻挡层和热电材料之间的界面扩散和界面电阻则是评价热电元件高温稳定性的主要标准.为了进一步提升P型碲化铋热电器件的界面稳定性,本研究采用高通量筛选的方法选定适用于P型碲化铋的Fe阻挡层材料.通过一步烧结的方法制备了Fe/P-BT的热电元件,并系统研究了高温加速老化实验下的Fe/P-BT的界面微观结构的演变和界面电阻率的稳定性.在老化过程中,Fe/P-BT的界面连接良好且Fe-Sb-Te的三元扩散层的成分基本不变.扩散层厚度与时间的平方根成线性关系,生长激活能为199.6 kJ/mol.Fe/P-BT的界面电阻率较小且随着老化时间延长缓慢增大,在350°C老化16 d后仍然低于10μ?·cm2.基于界面扩散动力学的寿命预测表明Fe可以用作Bi0.5Sb1.5Te3热电元件的阻挡层材料.

摘要： 为了找到合适的掺杂元素来制备半导体Cu互连结构,本文研究了Cu(V)/SiO2/Si体系以及Cu(V-N)/SiO2/Si体系.采用磁控溅射的方法,制备Cu(X)/SiO2/Si体系,并对其微观结构、界面特性、电学特性等进行研究.在500°C退火后,在Cu(X)/SiO2/Si体系界面上发现有V元素的的析出,并且没有观察到明显的Cu和Si的互扩散现象,与纯铜相比热稳定性好,电阻率得到一定的改善.在引入N元素后,薄膜组织结构有一定的改善,并且在热稳定性和电阻率方面表现更优异.因此,在Cu中引入V元素以及氮化物的掺杂制备半导体具有一定的可行性.

摘要： 专利申请号:CN201810934638公开号:CN109119494A申请日:2018.08.16公开日:2019.01.01申请人:蚌埠兴科玻璃有限公司;中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池铜钼合金背电极,包括由下至上依次层叠设置的衬底、杂质阻挡层、金属导电层与硒阻挡层;杂质阻挡层为硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、Ti、Zr、Cr、V、Nb、Ta或Ni;金属导电层为Cu或Cu合金;硒阻挡层为单阻挡层或复合阻挡层,单阻挡层为钼、氧化钼或氮化钼,复合阻挡层由钼、氧化钼、氮化钼的两种或两种以上层叠构成;采用磁控溅射在衬底上依次沉积各个结构层即完成制备;在以铜或铜合金为金属导电层的背电极中引入杂质阻挡层与硒阻挡层,杂质阻挡层能够阻止衬底中的杂质向铜铟镓硒薄膜光吸收层扩散;硒阻挡层能够阻止硒元素向金属导电层的扩散,避免了硒和金属导电层之间的反应,确保金属导电层的稳定性。

摘要： 报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展.使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,分析HgCdTe材料大缺陷形成原因并提出解决方案,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料阻挡层生长工艺,解决了双色HgCdTe材料缺陷较大的问题.获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料.双色HgCdTe材料表面缺陷密度控制在2000cm-2以内.使用傅里叶转换红外线光谱分析仪(FTIR)对双色HgCdTe材料进行测试,并通过分析计算获得的红外透过光谱得到各层HgCdTe材料组分与厚度.解决了阻挡层组分与厚度表征困难的问题.

摘要： 通过大量实验,确定了钽高速率下的高选择性阻挡层抛光液,实现对碟形坑的有效修正及表面粗糙度的降低.采用磷酸作为pH调节剂,改变pH值考察钽、铜选择性的变化规律.选取钽高速率下的高选择性阻挡层抛光液.通过XP-300台阶仪及原子力显微镜等测试手段表征此抛光液对碟形坑的修正能力及对铜表面形貌的影响.结果表明,钽、铜材料的抛光速率随pH增大上升明显,可以有效控制钽、铜的抛光速率实现抛光速率钽明显大于铜,实现碟形坑的有效修正及粗糙度的明显降低.

摘要： 利用河北工大开发的不添加H2O2的新型碱性阻挡层抛光液对TaN和UL介质进行抛光.对比了商用酸性抛光液、商用碱性抛光液和新型抛光液对ULK (K=2.35)的抛光性能.实验发现,在用商用碱性抛光液抛光后,TaN表面会吸附一层硅溶胶,将FA/O螯合剂掺入商用碱性抛光液、或者用稀释的螯合剂溶液抛光后,都能将这层吸附的硅溶胶去除,TaN表面很平整没有吸附物.对比实验结果表明,新型的抛光液对低K介质的K值影响最小,加入FA/O螯合剂后抛光液表面形貌最好,且对阻挡层、PETEOS,low-k能达到很高的选择比.

摘要： 本文采用溶胶-凝胶法在FTO 导电玻璃上旋涂制备了一层致密的TiO2 薄膜，并将其应用于量子点敏化太阳能电池(QDSSC)，以此来阻止FTO 导电玻璃基底中的电子与多硫电解液中Sx 2-的复合，提高电池的光电转换性能。分别采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见吸收光谱(UV-vis)对TiO2 薄膜的结构、形貌和光学特性进行了表征，结果表明：该薄膜呈锐钛矿结构，表面致密平整，在可见光波段透过率超过75%。通过对有无TiO2 阻挡层的QDSSC 性能对比发现，阻挡层的引入使电池的开路电压、短路电流和光电转换效率分别提高了4.2%、53.6%和39.3%。这是由于TiO2 薄膜提高了FTO 基底与多孔TiO2电极的粘附性, 为电子传输到FTO 提供了更多通路；同时，阻止了FTO 与电解液的直接接触，抑制了光生电子在FTO/电解液界面处的复合。

摘要： 本文通过不同浓度的TiCl4溶液水解，在光阳极导电玻璃基底FTO上制备了阻挡层薄膜，以此采抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应。分别采用X射线光电子能谱仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计测试了阻挡层薄膜的组成，形貌和对光的透过;在AM1.5和暗环境下分别测试了电池的光电性能，结果表明：用此方法可以获得由TiO2粒子组成的阻挡层薄膜，这一薄膜的引入可以提高电池的光电性能，用0.04 M的TiC14溶液制备的阻挡层对暗电流的抑制作用最为明显，电池在AM1.5的测试条件下，效率高达7.84％。

摘要： 可钢化Low-E玻璃的膜结构不同于普通Low-E玻璃,本文从膜结构的角度分析了各膜材料在可钢化Low-E膜系中的作用,并比较了几种常用介质层和阻挡层材料在可钢化Low-E膜系中的应用效果,为各膜层材料的选择提供思路.

摘要： 采用辉光放电光谱仪(GDOES)及扫描电镜(SEM)对比研究了镀层结合力正常及脱锌的热镀锌钢板镀层/基板界面状态。研究表明,脱锌试样和正常试样的镀层/基板界面状态差别明显.正常试样界面上Al含量较高,阻挡层生长充分；一种脱锌试样的界面上Al元素分布虽与正常试样相似,但界面上O含量较高,阻挡层形貌不同于正常阻挡层；另一种脱锌试样的界面上Al含量较低，未形成阻挡层。根据显微分析和工艺调查的结果，发现了导致镀层结合力差的原因。

摘要： 盐酸胍(CH5N3·HCl)可以提高钽的速率,使Ta速率大于Cu的速率,使精抛产生的碟形坑获得有效修正.研究发现,在室温(21°C)、压力1psi、流量300ml/L、抛头及转盘转速分别为60rpm和67rpm,V(硅溶胶)∶V(去离子水)=1∶4,V(螫合剂)∶V(活性剂)=5∶3,pH=8.5,加入0.5wt％的盐酸胍后,Cu与Ta速率比为1∶1.95,碟形坑控制在70nm以下,修正能力较不含盐酸胍的溶液提高50％以上,达到较好的全局平坦化.对抛光后的布线片进行电参数测量,得到互联电容小于3pF,互联电阻为2.3kΩ.

摘要： 本文通过在Si衬底上直接沉积AI膜，然后采用两步阳极氧化法自组织形成柱状纳米多孔结构，并进一步利用原位反向偏压和湿法刻蚀相结合，去除阻挡层，直接在Si衬底上大面积低成本形成纳米多孔掩膜板，并进一步通过湿法扩孔，实现了孔径在20-100 nm范围内可调，深宽比可在(2000-1)的均匀有序纳米孔状模板。该灵活可控均匀纳米多孔模板的实现，有助于实现廉价Si纳米结构器件，该廉价阳极氧化铝纳米膜板的制备也有助于转移到其他异质衬底，实现大面积低成本纳米结构。

摘要： 柔性不锈钢衬底CIGS薄膜电池由于其特有的优点受到了广泛关注。由于Fe会在CIGS中形成深能级缺陷，影响栽流子的输运特性，在制备柔性不锈钢衬底电池时必须予以阻止。本文首先在不锈钢衬底上沉积90nm薄膜，然后采用共蒸发三步法分别以玻璃、不锈钢和不锈钢/Ni为衬底，在600°C下制备CIGS吸收层和相应器件。采用XRD、XRF和J-V测试系统，研究阻挡层、吸收层的结构以及相应的器件性能，以此来探明Ni作为阻挡层在柔性不锈钢衬底CIGS电池中的应用。结果表明，Ni在不锈钢衬底与衬底结合紧密。CIGS薄膜在玻璃衬底上呈现(112)择优生长，在不锈钢衬底上没有择优生长，而在不锈钢/Ni衬底上呈现(220/204)择优生长。在同一批CIGS沉积中，玻璃衬底CIGS电池效率8.5％，远高于不锈钢衬底上电池效率(3.28％)，而不锈钢/Ni衬底上的CIGS电池效率(4.9％)虽然优于没有阻挡层的电池，但是仍然低于玻璃衬底上的电池效率，对其原因给予一定的分析。

摘要： 提供一种阻挡层叠层。阻挡层叠层(10、20、30、40)包括依序布置的第一层(11)、第二层(12)、第三层(13)和第四层(14)。第一层(11)和第三层(13)具有至少1.9的折射率，并且第二层(12)和第四层(14)具有小于1.7的折射率。层(11至14)中的每一层都具有至少70nm的厚度。

摘要： 一些示例性实施方式涉及被提供作为阻挡层用来保护包含银等的红外反射层的含Ni三元合金。提供包含镍、铬和/或钼和/或其氧化物的阻挡层，可以改善耐腐蚀性、以及化学和机械耐久性。在一些实例中，在所述包含银的层的至少一侧上可以使用超过一个的阻挡层。在还另外的实例中，代替作为阻挡层或除了作为阻挡层之外，可以在涂层中使用基于NixCryMoz的层作为功能层。

摘要： 本发明涉及一种阻挡层、一种包括阻挡层的包装叠层、以及一种生产阻挡层的方法。所述阻挡层由纤维素基水解物制造。所述阻挡层包括木质素和低聚或多聚糖，其中木质素和低聚或多聚糖在基体中至少部分地彼此共价键合；以及至少一种共同成分。所述共同成分通过初级和/或次级键合而键合到木质素和低聚或多聚糖。此外，本发明涉及一种由包装叠层制成的包装。

摘要： 提供一种阻挡层叠层。阻挡层叠层(10、20、30、40)包括依序布置的第一层(11)、第二层(12)、第三层(13)和第四层(14)。第一层(11)和第三层(13)具有至少1.9的折射率，并且第二层(12)和第四层(14)具有小于1.7的折射率。层(11至14)中的每一层都具有至少70nm的厚度。

摘要： 一些示例性实施方式涉及被提供作为阻挡层用来保护包含银等的红外反射层的含Ni三元合金。提供包含镍、铬和/或钼和/或其氧化物的阻挡层，可以改善耐腐蚀性、以及化学和机械耐久性。在一些实例中，在所述包含银的层的至少一侧上可以使用超过一个的阻挡层。在还另外的实例中，代替作为阻挡层或除了作为阻挡层之外，可以在涂层中使用基于NixCryMoz的层作为功能层。

摘要： 一些示例性实施方式涉及被提供作为阻挡层用来保护包含银等的红外反射层的含Ni三元合金。提供包含镍、铬和/或钼和/或其氧化物的阻挡层，可以改善耐腐蚀性、以及化学和机械耐久性。在一些实例中，在所述包含银的层的至少一侧上可以使用超过一个的阻挡层。在还另外的实例中，代替作为阻挡层或除了作为阻挡层之外，可以在涂层中使用基于NixCryMoz的层作为功能层。

摘要： 本发明的一个方式提供一种驱动电压低的有机半导体器件。提供一种空穴传输层用材料、电子阻挡层用材料、电子传输层用材料、空穴阻挡层用材料、发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。提供一种发光器件，包括阳极、阴极以及上述阳极和上述阴极之间的EL层，其中上述EL层包括空穴传输层和发光层，上述空穴传输层位于上述阳极和上述发光层之间，上述空穴传输层不与上述阳极接触，上述空穴传输层包含蒸镀膜的表面电势的电位梯度GSP_slope(mV/nm)为20(mV/nm)以上的发光器件的传输层用材料。

摘要： 本发明涉及一种阻挡层、一种包括阻挡层的包装叠层、以及一种生产阻挡层的方法。所述阻挡层由纤维素基水解物制造。所述阻挡层包括木质素和低聚或多聚糖，其中木质素和低聚或多聚糖在基体中至少部分地彼此共价键合；以及至少一种共同成分。所述共同成分通过初级和/或次级键合而键合到木质素和低聚或多聚糖。此外，本发明涉及一种由包装叠层制成的包装。

摘要： 本发明提供了一种包含α‑Ta层的扩散阻挡层的制备方法，首先对介质层表面进行含氮等离子体处理以使其表层形成含氮离子层，然后沉积Ta使含氮离子层形成非晶TaN层，继续沉积Ta，在非晶TaN层上形成α‑Ta层。本发明还提供了一种铜互连的形成方法以及一种复合的扩散阻挡层。本发明的制备方法形成的扩散阻挡层包括非晶TaN层以及低阻值的α‑Ta层，α相的Ta层能明显降低阻挡层的电阻值。本发明的制备方法以及铜互连方法可直接利用现有的装置，工艺简单，便于操作，易于工业化推广。

摘要： 本发明提供了一种包含α‑Ta层的扩散阻挡层的制备方法，首先形成TaN层，并对TaN层进行惰性气体等离子体处理，然后在经惰性气体等离子体处理后的TaN层表面沉积Ta形成α‑Ta层。本发明还提供了一种铜互连的形成方法以及一种复合的扩散阻挡层。本发明的制备方法形成的扩散阻挡层包括TaN层以及低阻值的α‑Ta层，α相的Ta层能明显降低阻挡层的电阻值。本发明的制备方法以及铜互连方法可直接利用现有的装置，工艺简单，便于操作，易于工业化推广。