柔性衬底
柔性衬底的相关文献在1996年到2022年内共计660篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、电工技术、物理学
等领域,其中期刊论文143篇、会议论文38篇、专利文献127465篇;相关期刊89种,包括材料导报、功能材料、光学精密工程等;
相关会议16种,包括第13届中国光伏大会、第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)、第四届国防科技工业试验与测试技术发展战略高层论坛等;柔性衬底的相关文献由1455位作者贡献,包括刘成、张德贤、乔在祥等。
柔性衬底—发文量
专利文献>
论文:127465篇
占比:99.86%
总计:127646篇
柔性衬底
-研究学者
- 刘成
- 张德贤
- 乔在祥
- 赵彦民
- 蔡宏琨
- 叶晓军
- 王赫
- 刘明
- 周丽华
- 李冬梅
- 梁圣法
- 秦国轩
- 陶科
- 詹爽
- 谢常青
- 陈亮
- 陈鑫
- 陈鸣波
- 叶志镇
- 杨君坤
- 徐正军
- 李微
- 杨立
- 王占国
- 王宇
- 胡居涛
- 金浩
- 钱子勍
- 马洪磊
- 马炳和
- 马瑾
- 不公告发明人
- 冯凯
- 华玉林
- 印寿根
- 孙云
- 张志成
- 张浩
- 张超
- 李小静
- 李胜林
- 杨少延
- 王德苗
- 罗庆
- 耿新华
- 赵政
- 赵颖
- 马宁华
- 黎大兵
- 刘杰鹏
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于海燕;
李宇;
张德贤
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摘要:
为了研究不同弯曲曲率对V型梁模块具有不同的影响,提出了以液晶高分子聚合物(LCP)柔性材料为衬底的V型梁弯曲的力学模型,并通过软件仿真和实验验证完成了柔性V型梁器件受弯曲曲率的影响。从对比结果可得,当柔性衬底的曲率从0逐渐增大到34.1 m^(-1)时,V型梁的驱动电流也随之增大,实测值与仿真值的最大误差低于3.70%,很好地揭示了柔性衬底弯曲曲率对V型梁模块的驱动性能产生的影响。研究的V型梁模块在自动影像测量系统上的线性吻合度基本可达100%,可满足自动影像测量的稳定可靠、精度高、抗干扰能力强等要求。
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陈林林;
李伟;
张玉华
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摘要:
为了研究不同弯曲曲率对V型梁结构具有不同的影响,提出了以LCP柔性材料为衬底的V型梁弯曲的力学模型,并通过软件仿真和实验验证了弯曲曲率对柔性V型梁器件的影响。从对比结果可得,当柔性衬底的曲率从0逐渐增大到33.3 m-1时,V型梁的驱动电流也随之增大,实测值与仿真值的最大误差低于6.0%,很好地揭示了柔性衬底弯曲曲率对V型梁结构的驱动性能产生的影响。
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夏涛;
赵睿鹏;
陈曦;
李禛哲;
陶伯万
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摘要:
针对航空航天高温异构件表面高频热流信号测量难题,提出了一种柔性原子层热电堆热流传感器的解决方案。以镍基合金柔性基带为衬底,通过倾斜基底沉积技术(ISD)生长出了具有倾斜织构的MgO薄膜,并在其上以金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)成功外延生长出了倾斜且织构良好的YBa_(2)Cu_(3)O_(7)-δ(YBCO)热电薄膜。利用脉冲激光对其热电性能进行了测试,其响应时间达到196 ns。
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宋银宝;
杨建军;
李传敏
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摘要:
提出了一种由聚二甲基硅氧烷(PDMS)与碳化硅(SiC)复合材料构成的功能梯度柔性衬底结构,给出了相应的三维(3D)打印制造工艺流程。通过实验分析了不同SiC粒径及含量对PDMS/SiC复合材料力学性能、导热性能的影响规律;探究了背压、打印速度、线间距、温度等工艺参数对不同SiC含量PDMS/SiC复合材料制造精度的影响规律。结果表明,相比于纯PDMS衬底,不同SiC粒径及含量对复合材料性能均有提高,当SiC粒径为600 nm且含量为45%(质量分数,下同)时,对应的PDMS/SiC功能梯度柔性衬底的弹性模量提高了2.76倍,导热系数提高了2.22倍。
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张立荣;
肖文平;
谢飞;
赵良红;
刘淳;
李非凡;
左文财;
吴为敬
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摘要:
氧化物半导体由于具有相对较高的载流子迁移率、良好的均匀性和光学透明度、较低的工艺温度、低成本及可在柔性衬底上制作等特点,近十年来引起了人们的广泛关注。基于氧化物有源层的柔性薄膜晶体管(TFT)已经在下一代显示器(AMOLED,Micro LED)、物联网技术、柔性传感器、可穿戴领域及微型植入系统等领域中获得应用。综述了氧化物TFT的器件结构,介绍了柔性氧化物TFT的研究进展,包括在不同种类的柔性衬底PET、PEN、PI上制作TFT的研究现状,并对氧化物TFT的未来发展进行了总结和展望。
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焦志伟;
王映棋;
吴磊磊;
姜伟棣;
丁志谦;
周云;
张冬芹;
杜建华
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摘要:
目的:探究制备在聚酰亚胺PI柔性衬底上的Ni 81 Fe 19/Ni 50 Mn 50双层膜的交换偏置效应。方法:采用直流磁控溅射技术分别在硅片和PI衬底上制备Ni 81 Fe 19/Ni 50 Mn 50双层膜,经相同温度退火处理后使用振动样品磁强计测试样品的磁滞回线。结果:柔性衬底上生长的双层膜的交换偏置场大小基本等于硅衬底上生长的,但其矫顽力始终比硅衬底上的大;薄膜的交换偏置场和矫顽力随着铁磁层厚度增大呈线性减小,随着反铁磁层厚度增大呈先增大后减小最后稳定的趋势,柔性衬底上薄膜的交换偏置场和矫顽力还会随着测量温度的升高而下降直至消失。结论:Ni 81 Fe 19/Ni 50 Mn 50双层膜的交换偏置场和矫顽力会受到铁磁层厚度、反铁磁层厚度和测量温度的影响,其中矫顽力还会受到衬底类型的影响。
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孙克喜
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摘要:
果蔬表面的农药残留问题,一直是食品安全领域中面临的一个重要问题.长期食用农药残留超标的水果蔬菜会引发慢性中毒,危及人类的生命安全.表面增强拉曼光谱(SERS)技术因其超灵敏性、实时检测和指纹识别特性,被广泛应用于生物、物理、化学等领域.但SERS技术在农药残留检测方面的应用仅仅处于起步阶段,仍然存在诸多问题限制了这一技术的进一步推广.该文介绍了国内外最近果蔬表面农药残留检测的研究成果,并对其进一步的发展进行了展望.
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乔照洋
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摘要:
提出了一种基于柔性衬底的平面螺旋电感,介绍了柔性衬底的优点,对比了平面电感的结构类型,给出了平面螺旋电感的自感、电容、串联电阻及互感的计算方法,并对方形平面电感进行了仿真.
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陶洪;
彭俊彪;
罗浩德;
宁洪龙;
姚日晖;
蔡炜;
郑喜凤;
汪洋;
王铂;
曹慧
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摘要:
柔性电子设备的快速发展对薄膜晶体管(TFT)提出了低功耗、耐弯折和可低温制备的要求.其中,栅极绝缘层是核心材料之一.溶液法制备有机栅极绝缘层具有低成本、柔韧性强的优点,适合大面积加工.本文采用喷墨打印法实现了聚乙烯吡咯烷酮(PVP)墨水的印刷成膜,采用XPS分析了不同退火温度处理的印刷PVP薄膜成分差异,并测试了PVP器件的漏电流、电容和转移特性参数.200°C退火的PVP薄膜漏电流密度≤10-4 A/cm2(5 V),相对介电常数约为3.8,玻璃衬底器件饱和迁移率达到4.6 cm2/(V·s),开关比≥105;PI柔性衬底器件在20 mm弯折半径下迁移率2.8 cm2/(V·s),开关比约6×104,在柔性电子领域有一定的应用前景.
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摘要:
序号:US 10,874,174,B2本发明公开了一种具有鞋眼结构的鞋,包括柔性衬底、形成在柔性衬底外部的塑料保护层和连接到柔性衬底底部的鞋底。柔性衬底是编织物或整体结构的纺织物。在所述柔性衬底的鞋头部分和鞋口部分之间的上侧上设置有若干鞋眼结构。鞋眼结构的一端固定连接在柔性衬底上,鞋眼结构从柔性衬底上伸出并悬空,以供鞋带穿入,调节柔性衬底的松紧度。这样的鞋很舒服,而且容易制造。
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刘成;
周丽华;
杨君坤;
徐正军;
唐道远;
王小顺;
陈亮;
马宁华;
蒋帅;
周文灿;
叶晓军
- 《第四届国防科技工业试验与测试技术发展战略高层论坛》
| 2012年
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摘要:
柔性衬底上的硅基薄膜太阳电池具有高重量功率比、可用于弯曲表面、可大规模卷对卷连续生产等优点,在空间飞行器、便携式电源等领域均有着广泛的应用前景.为提高电池的转化效率,常采用叠层电池结构,包括非晶硅/微晶硅、非晶硅/非晶硅锗等组合.本文报道了本课题组近年来的研究成果,包括效率达到12%以上的柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池、效率达到11%以上的柔性衬底非晶硅/非晶硅锗叠层太阳电池;在进行了大面积化研究工作后,非晶硅/微晶硅叠层太阳电池效率达到7%以上,重量比功率达到约800W/kg,可望得到大规模应用.
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周剑;
金浩;
冯斌;
王德苗
- 《第七届华东三省一市真空学术交流会》
| 2011年
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摘要:
高c轴取向压电AlN薄膜是应用于GHz通信系统中体声波(BAW)和表面声波(SAW)器件的非常有前途的材料.很多研究者已经在Si,石英,Al2O3,MgO,等刚性衬底上沉积出高c轴取向的AlN薄膜,但是很少有对柔性衬底上沉积高c轴取向AlN薄膜的工艺参数的研究.本文在柔性衬底上沉积出高c轴取向AlN薄膜,并研究了溅射气压对c轴取向影响,实验表明适当的降低溅射气压如同在刚性衬底上一样,有利于c轴择优取向.
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谢小兵;
曾湘波;
杨萍;
李浩;
李敬彦;
王启明
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
采用PECVD 技术在不锈钢柔性衬底上制备出硅纳米线结构微晶硅太阳能电池,硅纳米线形貌、微结构和光学特性分别由电子扫描显微镜和反射谱表征.通过对电池的电流-电压(AM1.5)以及外量子效应的测量,获得0.37V的开路电压以及13.36mA/cm2的短路电流.通过对硅纳米线进行酸处理等优化后,电池的开压Voc 由0.37 V 增加到0.48 V,提高幅度高达30%,我们对Voc 提高的机理进行探究.
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李志国;
刘玮;
何静婧;
韩安军;
李祖亮;
程龙;
孙云
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
在聚酰亚胺柔性衬底制备Cu(In,Ga)Se2 薄膜过程中,Ga 梯度调控对电池性能的提升非常重要.本文通过改进低温三步法工艺制备Cu(In,Ga)Se2 薄膜,研究了不同Ga 梯度分布对PI 衬底CIGS 薄膜特性及器件的影响.研究表明,适当降低背面和表面Ga 含量,提高吸收层中的最小带隙,有利于改善Cu(In,Ga)Se2 薄膜两相分离现象,可提高薄膜结晶质量,减少晶界复合及缺陷密度,降低了电子从中性区向空间电荷区的输运势垒,增加电池开路电压和填充因子,进而有效提高Cu(In,Ga)Se2 薄膜太阳电池光电转换效率.
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段波涛;
徐正军;
叶晓军;
刘成;
杨君坤;
周丽华
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
对作为a-Si/a-SiGe/a-SiGe 三结叠层太阳电池中的a-SiGe 子电池参数进行了调整,获得了锗烷(GeH4) 流量与电池光电特性的关系, 进而在聚酰亚胺柔性衬底上初步制备了a-Si/a-SiGe/a-SiGe 三结叠层太阳电池,电池开路电压Voc=2082 mV,填充因子FF=0.519,由量子效率(QE)积分获得的总短路电流密度Jsc=20.2 mA/cm2 .此电池的短路电流密度和填充因子不够理想,本文对原因进行了分析,并通过对电池进行了光学模拟后,指出合适的ITO 厚度有利于提高电池在短波方向的响应,进而提高电池性能.
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杨君坤;
刘成;
徐正军;
段波涛;
叶晓军
- 《第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)》
| 2012年
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摘要:
采用AMPS 模拟软件,对n-i-p 结构的非晶硅锗单结薄膜太阳电池I-V 特性进行了理论模拟,分别讨论了非晶硅锗本征层材料中缺陷态密度、本征层厚度及本征层与p 层界面处缓冲层对电池I-V 特性的影响;模拟实验发现本征层态密度每降低一个数量级,电池的转换效率可提高一个百分点以上;将模拟获得的结论应用于电池的实验制备中,采用RF-PECVD 法获得了效率为8.3%的柔性聚酰亚胺单结非晶硅锗薄膜电池(AM 0 光谱,电池面积0.5 cm2).