半导体桥

摘要： 目的对在贮存过程中的半导体桥火工品进行失效分析和寿命评估。方法通过差示扫描量热法(DSC)对不同加速寿命实验时间的半导体桥点火具药剂进行分析,探究LTNR和亚铁氰化铅的药剂相容性。通过化学动力学,分析半导体桥点火具药剂在不同加速寿命实验时间的活化能。结果 LTNR和亚铁氰化铅均表现出良好的化学相容性,在短时间内不会产生性能变化。在贮存的初期,药剂活化能减小,热分解速率相对较快。随着贮存时间的延长,药剂的活化能恢复初始状态,热分解速率降低。药剂在贮存过程中受温度影响,始终伴随着缓慢分解,使得药剂的有效成分减少,导致药剂的发火时间出现延迟现象。结论半导体桥点火具的失效模式为药剂发火时间延迟,所以采用半导体桥点火具药剂的发火时间作为关键性能参数。采用趋势线分析法评估半导体桥点火具的贮存寿命大约为16a。

摘要： 针对目前换能元尺寸较大的问题,提出Al/CuO半导体桥微型化换能元,该换能元Al/CuO含能薄膜的总厚度为900 nm。仿真验证结果表明,该换能元在5 V恒压激励下温度要远高于Al与CuO反应的温度;发火实验结果表明,该换能元在5 V恒压激励下能够点燃5 mg粉末状B/KNO_(3)钝感药。

摘要： 界面层的反应性是纳米含能复合薄膜(RMFs)制备中的重要因素,直接影响纳米RMFs的反应性能。为了研究纳米Al/CuO RMFs在半导体桥上集成后的电爆性能,采用磁控溅射工艺制备了Al/CuO含能半导体桥(Al/CuO-ESCB)和Al/Cu/CuO含能半导体桥(Al/Cu/CuO-ESCB),研究了Cu层作为阻挡层对Al/CuO-ESCB电爆过程的影响。结果表明:增加Cu阻挡层可以缩短ESCB的临界激发时间,增加ESCB的燃烧时间。

摘要： 基于半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)火工品换能元SCB作用对象绝大部分是起爆药的现状,为探究半导体桥与起爆药间的响应规律和作用机理,系统地介绍了半导体桥等离子体的特性参数及变化规律,论述了半导体桥等离子体点火机理的研究进展,并归纳总结了等离子体与药剂相互作用规律,以期为新型药剂的设计和等离子体起爆技术的发展提供参考。

摘要： 为确保半导体桥点火器芯片引线键合质量,以引线键合工艺技术研究为出发点,分析了影响芯片引线键合质量的关键因素.通过正交试验设计、破坏性拉力测试以及显微镜目测相结合的检测方法,研究了超声功率、键合压力与超声时间对半导体桥点火器引线键合强度的影响.研究表明键合最优工艺参数为超声功率0.35W、键合压力0.30N、超声时间30ms,经试验验证该工艺方法可靠.

摘要： 为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及时间数据进行了测试和对比分析.结果 表明:裸桥和涂药SCB在8V、12 V、16 V、20 V和24 V电压下电爆能量的平均值十分接近,裸桥和涂药SCB电爆能量值与电压大小无关.随着电压的提高,裸桥和涂药SCB的LTD能量及时间按照指数规律上升,发火之后的掺杂单晶硅层汽化的面积会不断扩大.裸桥和涂药SCB所有电爆发火样品的电爆能量平均值分别为34.29μJ和34.27μJ,LTNR涂药在电爆过程中吸收能量较少,对电爆能量的影响很小.

摘要： 通过对2种不同装药结构的设计及试验验证,确定了一种作用时间短、小尺寸、抗过载半导体桥雷管的结构.通过对该结构装药方式及药剂浸泡时间的探索,提出一种适合半导体桥电极塞的药剂浸泡时间和涂覆再压实的装药工艺,可有效降低电极塞芯片的损坏,提高产品自身的抗过载能力及发火可靠性.

摘要： 为了研究小尺寸半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)裸桥和涂斯蒂芬酸铅(Lead Styphnate,LTNR)时的电爆发火特性,在22μF电容放电条件下,对小尺寸磷掺杂单晶硅SCB裸桥与涂LTNR时的电爆、后期放电(Late Time Discharge,LTD)过程的能量及时间数据进行了测试和对比分析。结果表明:裸桥和涂药SCB在8 V、12 V、16 V、20 V和24 V电压下电爆能量的平均值十分接近,裸桥和涂药SCB电爆能量值与电压大小无关。随着电压的提高,裸桥和涂药SCB的LTD能量及时间按照指数规律上升,发火之后的掺杂单晶硅层汽化的面积会不断扩大。裸桥和涂药SCB所有电爆发火样品的电爆能量平均值分别为34.29μJ和34.27μJ,LTNR涂药在电爆过程中吸收能量较少,对电爆能量的影响很小。

摘要： 为提高半导体桥(SCB)与数字电路的集成度,将SCB焊接在印刷电路板(PCB)上.对于该种封装的特殊边界条件,半球传热模型不再适用,需要建立一个可以准确描述其传热过程的模型.格林函数引入建模过程,使用长方体而非球体模型,边界条件更接近真实情况,建立一种SCB三维非稳态传热模型.对SCB器件通以恒流后进行红外测温实验,同时使用传热模型计算温度,对比模型计算值与实验数据,最高温度误差不超过4°C,温度分布及温升趋势也较为吻合.结果 表明,该模型较准确地表现了PCB封装SCB器件的非稳态传热过程.

摘要： 为推进新型单质起爆药4,6-二硝基-7-氧-苯并氧化呋咱钾一水合物(KDNP·H2O)的军事应用,开展了KDNP·H2O的性能特征分析及应用基础研究.测试并分析了其晶体结构、相容性、吸湿性以及热性能,按照国军标测试与评估了其感度性能与爆炸性能,并与斯蒂芬酸铅(LTNR)的性能进行对比.此外,研究了KDNP·H2O和LTNR在半导体桥(SCB)中发火时间,以及KDNP·H2O作为始发装药的3种半导体桥点火器的作用时间.结果表明KDNP·H2O是一种可以替代斯蒂芬酸铅的新型起爆药,以其优于LTNR的感度性能和较快的作用时间有望应用于火工品中.

摘要： 半导体桥点火过程中对点火药的研究可以给半导体桥火工技术的发展提供理论基础支持,因此开展对半导体桥产生等离子体点火相关的研究是很迫切且有重要意义的。通过对半导体桥点火电路输入能量的分析,并基于半导体物理学理论和非傅立叶热传导理论,以提出了半导体桥在输入能量大于E时为等离子体点火为前提,建立了相应的数学物理模型,并采用了数值分析理论对模型进行分析,得到输入能量、颗粒半径、等离子体温度等因素对点火延迟时间的影响分布曲线,这些相关的分布曲线证明了模型建立的可行性与合理性。

摘要： 本文介绍了用于某导弹武器系统一种安执机构中半导体桥电雷管的研制情况。通过结构设计、方案试验、性能试验,SCB半导体桥电火工品的研制已经完成.

摘要： 随着民用半导体桥(SCB)火工品的发展,SCB电雷管的出现,由于SCB电雷管具有安全性高,可靠性高,抗电磁干扰能力强等特点,已经成为了民用电雷管产品的发展趋势,同时由于SCB电雷管起爆的特殊性,设计一种专用SCB起爆装置已经越来越迫切.该新型多功能SCB起爆装置具有体积小(180nn×160mm×70mm),工作电压低(12V直流),反应速度快等优点,能够输出2kV～4kV的高压,能保证可靠起爆串联的50发SCB电雷管,并且还具有输出电压在线可调、显示等功能,是一款性能优越的多功能可变电压SCB起爆装置.

摘要： 本文介绍半导体桥电爆装置具有与常规桥丝式电爆装置基本功能等效,但其安全性和可靠性更好,其制造技术已经成熟,正朝工程化适用性的技术深度和广度发展.

摘要： 火工品是武器装备的重要组成部分，本文研究了一种火工品过载试验方法,用于对火工品高过载进行常规评估的试验方法.此方法是采用SHPB进行等效模拟试验,借助空气炮试验的结果,得到SHPB的子弹速度与加速度的等效规律.并采用典型半导体桥火工品作为实例进行方法的验证,得到了SHPB的子弹速度与加速度的等效方程.

摘要： 微推进器特性决定了点火电路必须满足尺寸小、电压低、高可靠性，其点火电压的大小及点火可靠性则主要取决于点火电阻。本义采用半导体桥作为点火电阻，通过实验测得其在10伏的低电压下实现点火，为点火电路的制备提供了一条有效的新技术途径。

摘要： 本发明涉及一种借助于弯曲形成而具有弹性的非垂直结构的金属桥而能够吸收降低或迂回分散膜制时的按压应力，从而，能够保护半导体芯片的半导体封装、半导体封装制造方法及适用于其的金属桥。

摘要： 包括具有插入桥和半导体晶片的堆叠模块的半导体封装。一种半导体封装包括垂直堆叠的多个堆叠模块。每一个堆叠模块包括插入桥、半导体晶片和再分配线。通过将所述堆叠模块中的各个堆叠模块旋转与参考角度的倍数相对应的不同旋转角度并且通过垂直地堆叠旋转后的堆叠模块来提供所述堆叠模块。所述插入桥包括多组通孔，并且每组通孔包括排列在多个列中的通孔。所述多组通孔设置在所述插入桥的划分区域中的相应划分区域中。如果将所述多组通孔旋转所述参考角度，则旋转后的通孔与位于原来位置的所述多组通孔交叠。所述再分配线将所述半导体晶片连接到所述多组通孔。

摘要： 包括与半导体晶片间隔开的桥式晶片的半导体封装。一种半导体封装包括半导体晶片和桥式晶片。所述桥式晶片包括通孔，并且所述通孔连接到柱凸块。所述通孔通过重分布线电连接到所述半导体晶片。

摘要： 一种有机晶体管，其具有半导体有源层，该半导体有源层含有由下式表示且分子量为3000以下的化合物(X为氧、硫、硒、碲原子或NR

摘要： 作为实施方式之一，本发明涉及一种晶体，包含金属氧化物，所述金属氧化物包含Ga和Mn并具有刚玉结构。

摘要： 本发明提供同时实现了荧光量子效率的提高和耐热性的提高的半导体纳米粒子复合体。本发明的一个方式的半导体纳米粒子复合体为在半导体纳米粒子的表面配位有包含配体I和配体II的2种以上的配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述配体包含有机基团和配位性基团，所述配体I具有一个巯基作为所述配位性基团，所述配体II至少具有两个以上的巯基作为所述配位性基团。

摘要： 本发明涉及一种半导体纳米粒子复合体，其为在半导体纳米粒子的表面配位有配体的半导体纳米粒子复合体，其中，所述半导体纳米粒子包含In和P，所述配体包含下述通式(1)表示的巯基脂肪酸酯，所述巯基脂肪酸酯的SP值为9.30以下，通式(1)：HS‑R1‑COOR2 (1)通式(1)中，R1为碳原子数为1～11的烃基，R2为碳原子数为1～30的烃基。根据本发明，能够提供在纯化前后保持较高的荧光量子效率(QY)的半导体纳米粒子复合体。

摘要： 一种氮化物半导体层叠物，其具有：基板，其具有由氮极性面形成的表面、以及与表面处于相反侧的由III族元素极性面形成的背面，所述基板由III族氮化物半导体形成；保护层，其至少设置在基板的背面侧，耐热性比基板的背面高；以及半导体层，其设置在基板的表面侧，由III族氮化物半导体形成，半导体层中的O的浓度低于1×10

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团、且重均分子量为1万以上40万以下；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及水(D)，所述化合物(A)为脂肪族胺。

摘要： 一种半导体用膜组合物，其包含：化合物(A)，具有Si‑O键以及包含伯氮原子和仲氮原子中至少一者的阳离子性官能团；交联剂(B)，在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，所述交联剂(B)的重均分子量为200以上600以下；以及极性溶剂(D)。