特征尺寸
特征尺寸的相关文献在1989年到2022年内共计275篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、金属学与金属工艺
等领域,其中期刊论文155篇、会议论文8篇、专利文献100248篇;相关期刊114种,包括科学与财富、科技资讯、材料工程等;
相关会议8种,包括2012年中国工程热物理学会传热传质学学术年会、2012年中国工程热物理学会多相流学术年会、第十六届全国图象图形学学术会议 暨第六届立体图象技术学术研讨会等;特征尺寸的相关文献由577位作者贡献,包括堵劲松、娄燕、陆国栋等。
特征尺寸—发文量
专利文献>
论文:100248篇
占比:99.84%
总计:100411篇
特征尺寸
-研究学者
- 堵劲松
- 娄燕
- 陆国栋
- 不公告发明人
- 刘世元
- 吴刚
- 张传维
- 张信群
- 彭太江
- 朱金龙
- 李善莲
- 熊建军
- 王进
- 翁寿松
- 陈修国
- 雷群安
- 刘岩
- 彭超
- 徐大勇
- 李华杰
- 杨善潮
- 林东生
- 王桂珍
- 申晓锋
- 白小燕
- 罗飞
- 邹立
- 郭红霞
- A·瓦格纳
- A·萨特尔
- A·迪特里
- B·俞
- B·科勒
- B·科林斯
- C·E·塔贝里
- C·胡塞尔
- D·艾默森
- E·塔撒
- G·威尔逊
- H·E·纳里曼
- H·王
- J·艾德蒙德
- K·格罗斯
- L·恰尼
- M·博格曼
- P·H·巴特劳
- P·安德里维斯
- R·J·马丁森
- S·S·艾哈迈德
- T·B·福尔
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申俊琦;
王谦;
胡绳荪;
陆建生;
田玉新
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摘要:
Fe-36Ni合金和304L奥氏体不锈钢是制备新一代液化天然气(LNG)船液舱围护系统的主要材料,由这两种材料焊接而成的复合结构是组成液舱围护系统的重要部分,因此研究Fe-36Ni/304L异种合金的焊接工艺及接头特征尺寸和力学性能预测具有重要意义.开展了Fe-36Ni/304L异种合金搭接脉冲钨极惰性气体保护焊(GTAW)立焊工艺研究,探索了脉冲焊接参数对接头宏观成形与拉伸性能的影响规律.根据Fe-36Ni和304L异种合金薄板搭接的脉冲GTAW试验结果,研究了焊接参数(峰值电流、基值电流、占空比、脉冲频率和焊接速度)与接头特征尺寸L(下板焊缝宽度)、P(下板焊缝熔深)、R(焊缝根部到焊缝表面的最短距离,即最小熔合半径)及拉伸最大承载力的关系.建立了基于梯度提升决策树(GBDT)算法的接头特征尺寸及性能预测模型,并研究了各焊接参数对特征尺寸和力学性能的影响程度.结果表明:Fe-36Ni/304L异种合金搭接脉冲GTAW立焊接头特征尺寸L和P主要与峰值电流、占空比和焊接速度相关,随着峰值电流和占空比的增加,L和P也随之增加;随着焊接速度降低,L和P随之增加.特征尺寸R主要与占空比和脉冲频率相关,随着脉冲频率和占空比的增加,R也随之增加.特征尺寸R是影响搭接接头拉伸最大承载力的主要因素,搭接接头的拉伸最大承载力可达12.66 kN.所建立的预测模型对特征尺寸和最大承载力的预测相对误差均在3%以内,模型的预测精度较高,且泛化性较好.
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宋翔宇;
许威
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摘要:
随着集成电路(IC)特征尺寸的缩小,CMOS微电子器件发热功率密度急剧增加,相应热能在不同薄膜层内传输。为了助力IC芯片封装热管理及MEMS热学芯片的设计与优化,CMOS-MEMS薄膜热导率的测量尤为重要,然而现有技术很难在芯片实际工作中进行原位热导率测量。近期深圳大学许威助理教授联合香港科技大学LEE教授团队设计了一种巧妙的MEMS结构,提出了一种新的测量方案,可以有效复现芯片工作中薄膜热导率的测量。
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熊祥玉
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摘要:
在笔者的案头有两份半导体IC发展的列表(如表57、表58所示),可供读者参考。尽管看起来这两份列表离今天的时间过去尚久,但是从这份表格的内容中,我们依然能够看到科学技术、IC技术发展的足迹以及能够给予我们的启示。例如表57中所说到的2000年的IC的特征尺寸是>0.18μm(180nm),而表58中的2012年的IC的特征尺寸即栅长是35 nm(当时的预测值);而今天IC的特征尺寸已经跨入3 nm制程,眼瞅着2nm、1 nm制程在最近就可实现。
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摘要:
“微通道”是什么?“微通道”全称“微通道反应器”,是指通过微加工和精密加工技术制造的微型反应系统,其内部流体的通道特征尺寸被限定在10微米~3000微米之间。通过微加工技术制造的微通道反应器不是简单地将现有的反应器缩小,而是将纳米材料技术、微加工技术、传感器技术等各种技术集成新的微反应系统。
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卫婷婷
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摘要:
1965年,英特尔创始人之一戈登·摩尔曾总结道:当价格不变时,集成电路上可以容纳的元器件数目每隔约18个月便会翻番,性能也将相应提升。这就是我们今天耳熟能详的"摩尔定律"。这虽是一项经验性预测,却在一定程度上揭示了信息技术进步的速度,也在过去数十年间被微电子产业界奉为圭臬。可以毫不夸张地说,"摩尔定律"是现代社会最重要的"定律"之一。然而,随着如今半导体器件的特征尺寸趋近物理极限,先进制程的研发进度已然显著慢于"摩尔定律"的预期。
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吴文苍;
董新龙;
庞振;
周风华
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摘要:
金属柱壳爆炸膨胀断裂机制及其对碎片分布、特征尺寸的影响是应用物理、力学、兵器工程等领域共同关心的重要课题,但目前除数值模拟外,考虑断裂机制的简单二维碎裂模型尚未出现.开展TA2钛合金开口柱壳在不同装药条件下的碎裂实验研究,通过对软回收碎片的统计及微观分析,探讨金属柱壳外爆断裂模式及二维碎片分布规律,结果显示:(1) TA2钛合金柱壳在实验爆压(7~25 GPa)下宏观断口均为剪切断裂模式,但机制不同,在较高爆压下柱壳剪切断裂由多重绝热剪切带破坏控制,在较低压力下为剪切破坏;(2)与一维拉伸碎裂相比,柱壳爆炸碎裂不充分,碎片质量更符合β=1(或更接近1)的指数分布;爆炸碎裂越充分,碎片越小并趋于均匀,β趋于较小的值,趋向Mott和Linfoot提出的泊松统计分布形式;(3) Rayleigh分布可以较好描述柱壳碎片的宽度分布规律,不同爆压下柱壳碎片宽度归一化尺寸分布具有相似性,呈现"量子化"特性,即存在最小的特征尺寸;(4) TA2柱壳碎片特征尺寸远大于G-K剪切断裂公式预测的尺寸,G-K剪切式描述的是多重绝热剪切带间距.本研究为金属柱壳碎片特征、分布规律及其模型分析提供了重要参考.
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丁涛杰;
王成迁;
孙晓冬
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摘要:
随着半导体器件特征尺寸逼近物理极限,摩尔定律加倍效应已经开始放缓,摩尔定律难以为继;作为半导体产业里程碑的片上系统(SoC)在技术节点进入深亚纳米后也面临着设计难度上升、研发成本高昂等挑战;随着应用场景的需求升级,整机系统对实现模块板卡更小、更轻的要求也越发迫切。正是在这样的背景下,微系统应运而生,成为了后摩尔时代延续摩尔定律重要的解决途径,成为当今微电子技术重要发展方向之一。
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熊焱;
宋文彬;
凌育洪;
肖茁良
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摘要:
对29个尺寸为300 mm×300 mm×600 mm的自密实再生块体混凝土棱柱体试件开展直剪性能和单轴受压性能试验研究。探讨了废旧混凝土块体取代率及特征尺寸对自密实再生块体混凝土的直剪强度、抗压强度的影响,并进一步分析了自密实再生块体混凝土棱柱体的直剪强度与抗压强度之间的关系。试验表明:自密实再生块体混凝土内新混凝土与废旧混凝土粘结良好;当自密实再生块体混凝土中的自密实混凝土强度高于废旧混凝土块体强度时,试件的直剪性能会由于废旧混凝土块体的取代率的增加而劣化;特征尺寸比介于0.22~0.44时,块体的特征尺寸对自密实再生块体混凝土直剪强度和抗压强度的影响不明显,可以近似忽略;自密实再生块体混凝土的剪压比随废旧混凝土块体取代率和特征尺寸均无显著变化,其值近似为0.1。基于试验结果,提出了棱柱体自密实再生块体混凝土试件的直剪强度计算公式,建立了直剪强度测试值与抗压强度计算值之间的关系,计算结果与试验值吻合良好。
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高鸿钧
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摘要:
制造技术的不断迭代发展带来了器件性能的飞跃,也推动着人类技术的进步.伴随着器件特征尺寸的不断缩小,制造技术先后经历了宏观制造、介观制造、微观制造和纳米制造等多个阶段,当前最具代表性的半导体工艺,已经从微米尺度走到最前沿的3 nm左右,并进一步向更小的尺度迈进.因此,制造技术进入到原子尺度已不再是遥不可及的梦想,而成为现在科技界研究前沿的现实对象.
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刘建云;
魏悦广
- 《中国力学大会2011暨钱学森诞辰100周年纪念大会》
| 2011年
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摘要:
纳米材料由于其特有的优良的力学、物理及化学等特性引起了人们的广泛关注。在力学性能方面,纳米材料表现出一系列优良的性能,如:高的强度、刚度及韧性等。本文以面心立方金属Au为研究对象,对Au纳米板进行了系统的表面效应研究。首先,利用原子间作用势考虑在弛豫情况下,计算了处于平衡态的金纳米板的表面能密度;其次,利用Cauchy-Born法则计算得到了纳米板在拉伸变形状态下的表面能密度,展示出表面能密度对变形的依赖性;最后,基于拉伸变形情况下的表面能密度研究,在同时考虑表面效应与应变梯度效应的情况下,求得了金材料的特征尺寸,并与其他构形的纳米构件进行比较,表征了表面效应对特征尺寸的影响。模拟结果显示:金的表面能密度约为1.0J/m2 ,不同晶面的表面能密度不同,但其大小满足(111)<(100)<(110)的趋势;材料的表面能密度将随其变形而有所变化;金材料在拉伸变形下的特征尺寸范围在0.25~1.0微米,表面效应对特征尺寸有一定的影响。
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- 《第六届西北地区计算物理学术会议》
| 2008年
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摘要:
由于具有高功率密度、高温、耐辐射等优良特性,射频4H-SiC MESFET受到大家的日益关注.为了提高器件的高频特性,必须减少SiC MESFET器件特征尺寸(沟道长度).随着器件沟道长度的减少,4H-SiCMESFET会出现明显的短沟道效应,DIBL效应(Drain Induced Barrier Lowing Effect,漏致势垒降低效应)或者叫短沟穿通效应(Short Channel Punch-Through Effect)[1-3]是短沟道效应的重要方面.
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- 《第五届中国测试学术会议》
| 2008年
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摘要:
随着特征尺寸进入纳米尺度,相邻连线之间的电容耦合对电路的影响越来越大,并可能使得电路在运行时失效.本文提出了一种针对耦合多条侵略线的受害线上最大噪声的新测试方法。这种方法基于多串扰脉冲故障模型,能够有效的模型化故障并生成合适的向量。为了能够激活尽可能多的侵略线以造成受害线上的最大脉冲噪声,我们先将测试生成问题转化为一个加权的最大可满足问题,再使用解题器求解以得到测试向量。此外我们还将子通路约束加入到可满足问题的描述之中,以保证所有被激活的侵略线能够同时跳变.针对ISCAS89电路的实验结果显示,本文提出的技术能够适应于大电路的串扰噪声测试,并且具有可接受的运行时间.