微电子器件及微电子器件制作方法

摘要

本申请实施例提供一种微电子器件及微电子器件制作方法，该微电子器件包括基于衬底制作形成的至少两个相互间隔的、与衬底掺杂类型相反的掺杂阱，及基于衬底一侧制作形成的与各掺杂阱接触的外延结构。所述外延结构远离衬底一侧设置有相互级联的至少两个功率器件，其中每个功率器件与一个掺杂阱对应设置，且各功率器件的低电位端与其对应的掺杂阱连接。如此，通过在衬底中形成相互间隔的掺杂阱，且将各个功率器件的低电位端连接至对应的掺杂阱，使得衬底电压和各个功率器件的低电位端为相同电位，抑制因电子注入到外延结构中而造成功率器件性能的偏移或退化。