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一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法

摘要

本发明提供一种大面积靶片用离子注入系统及离子注入方法,离子注入系统包括离子束产生模块、真空注入模块、装载模块和大气传送模块,离子束产生模块、真空注入模块、装载模块以及大气传送模块依次相连,即离子束产生模块连接到真空注入模块,真空注入模块与装载模块相连接,装载模块与大气传送模块相连接。本发明开创性地将多个离子源装置进行组合,通过拓展线圈和准直线圈得到了所需有效高度的离子束,且离子束的束流宽度较小、离子密度较高,实现了对大尺寸玻璃基板进行离子注入的技术。

著录项

  • 公开/公告号CN114300331A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-04-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江兴芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202210138526.0

  • 申请日2022-02-15

  • 分类号H01J37/317(20060101);H01J37/08(20060101);H01J37/20(20060101);H01J37/304(20060101);H01L21/425(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 314400 浙江省嘉兴市海宁市海昌街道海宁经济开发区芯中路8号5幢1层厂房

  • 入库时间 2023-06-19 14:48:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-04-08

    公开

    发明专利申请公布

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