PN结

摘要： 制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤。本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响。结果表明,当完成高温推阱后,在650~750°C温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高,同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低。与常规扩散工艺相比,采用在700°C下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2Ω/,所得相应太阳能电池光电转换效率E;达到18.69%,比产线工艺提高约0.23%。

摘要： 通过原位生长法制备了一种CuSCN纳米薄膜紫外光电探测器,在-1 V偏压下,入射光为350 nm时,CuSCN紫外光电探测器的开关比~94,响应/恢复时间~1.41 s/1.44 s。但这种器件仍不能称之为一种高性能的光电探测器。为进一步提高CuSCN纳米薄膜的光电性能,我们制备了一种基于n-ZnS/p-CuSCN复合薄膜的紫外光电探测器,并对制备的样品进行了形貌、成分和性能分析。结果显示,在-1 V偏压下,入射波长为350 nm时,ZnS/CuSCN紫外光电探测器表现出比CuSCN紫外光电探测器更高的光电流和更低的暗电流,分别为1.22×10^(-5)A和4.8×10^(-9)A。基于ZnS/CuSCN纳米薄膜的紫外光电探测器开关比-2542,响应/恢复时间为0.47 s/0.48 s,在350 nm波长下具备最佳的响应度和探测率,分别为5.17 mA/W和1.32×10^(11) Jones。此外,n-ZnS/p-CuSCN复合薄膜在室温下性能稳定,具有作为高性能紫外探测器的潜力。

摘要： 应用第一性原理,研究两维p-n结半导体材料二硒化乌(WSe_(2))体相及其电子结构和动力学性质.结果显示,从体相的间接带隙到两维平面的直接带隙的改变,得益于形成的p-n结改变载流子浓度输运方式及其强烈的轨道自旋耦合作用.零压下布里渊区的声子色散曲线没有虚频,证明动力学性质是稳定的.最近邻原子间相互作用致使G点两声学模频率为零,两光学膜频率兼并.随着压强的增加色散曲线出现明显的虚频.通过理论分析,可以为两维平面载流子的输运电子学和光子学方面提供理论支持.

摘要： 硅基雪崩光电二极管(Si-APD)在实际应用中通常需要串联电容来滤除直流信号分量,以便于后续电路对脉冲信号进行提取和放大.另外,Si-APD吸收激光能量后往往导致自身的温升而影响了探测性能.基于此,本论文首次建立了毫秒脉冲激光辐照外接电容电路中Si-APD的热传导模型,并据此对Si-APD的表面温升特性开展了模拟仿真和实验研究.结果表明由于外接电容对回路中电流的阻碍作用,降低了Si-APD中p-n结内部的焦耳热,从而使得外接电容条件下的Si-APD表面温升小于无外接电容的情况,并且电容越小,Si-APD的温升越低.

摘要： 提高光催化过程中电子和空穴的提取和分离速率是提高光催化剂催化性能的关键技术之一.用浓硫酸剥离体相氮化碳得到石墨相g-C3 N4,采用原位生长法制备花状g-C3 N4/BiOBr P-N结复合材料,研究pH值对复合材料形貌的影响.利用XRD,SEM,EDS,TEM,UV-vis,BET等测试技术对所得样品的形貌、结构进行表征,讨论样品的光催化性能.结果表明:在g-C3 N4/BiOBr复合材料内g-C3 N4的[002]晶面和BiOBr的[001]晶面之间形成了异质结,可加速光生电子(e-)和空穴(h+)的提取和分离.BiOBr和g-C3 N4/BiOBr的禁带宽度分别为2.75,2.71 eV,复合材料的带隙减小,对可见光的吸收范围增强.BiOBr和g-C3 N4/BiOBr复合材料的比表面积分别为1.27,6.43 m2/g,比表面积增大,增加催化反应活性位点.复合材料g-C3 N4/BiOBr的光催化性能比纯g-C3 N4和BiOBr更好,且重复使用效果佳.pH=8时制备的g-C3 N4/BiOBr复合材料光催化效果最好,此时,对橙黄G、罗丹明B、甲基橙的光催化降解效率分别为91.00％,95.51％,96.72％.

摘要： 针对模拟电路相对难学、晦涩难懂的问题,基于3D虚拟仿真技术设计了"PN结的微观世界"虚拟仿真实验教学软件.教学内容设计采用循序渐进、逐层深入的方式,设计了PN结的微观世界交互学习认知、面包板搭接电路查错纠错实训操作、三极管实用电路设计分析等3部分内容.通过丰富的人机交互,将抽象理论与实践操作、微观现象与实体实验有机融合.教学实践表明,该软件在大规模、低成本运行的同时,能够有效激发学生学习兴趣、想象力和创造力,培养学生基于网络养成自主学习、终身学习习惯,有效提高教学质量,提升教学水平.

摘要： 本文从单晶制绒酸碱清洗出发,结合扩散制结工艺,分析阐述制绒清洗效果对电池片性能与外观质量的影响.结果表明:碱清洗中KOH与H2O2在合适的配比下,绒面洁净度更高,绒面均匀性良好,电性能更优;酸清洗液浓度应尽可能大,以保证硅片表面的二氧化硅层去除,同时保证HCL对金属离子的清洗效果;制绒清洗效果不良情况下,经过扩散制结后,PN结被破坏,外观呈现烧焦色斑不良,EL下呈现黑斑、黑点不良,导致电性能下降.

摘要： 飞秒激光对碲镉汞(HgCdTe)材料刻蚀形成PN结.文章进行了飞秒激光刻蚀试验,使用1 kHz飞秒激光在P型HgCdTe上刻蚀形成线刻蚀区域,并采用激光束诱导电流(laser beam induced current,LBIC)技术对刻蚀区域进行光电流性质探测.试验结果表明,LBIC扫描信号的峰形表现出明显的方向性,刻线两侧的光电流信号存在明显差异.

摘要： Hg2+污染对人类健康和生态环境构成重大威胁,但目前仍缺乏直接、灵敏的Hg2+检测技术.本研究通过碱性氧化法和水热法制备了Cu/CuO/ZnO丝,采用电化学聚合的方法将聚吡咯(PPy)覆盖到材料表面.利用p-n结势垒驱动电化学信号响应的原理将材料用于Hg2+的直接电化学检测,进行了微分脉冲伏安法测试.复合材料在200～1600 nmol/L的Hg2+浓度范围内具有良好的线性关系,以及超高灵敏度(1010.82μA·L/(nmol·cm2))和超低检出限(2.1 pmol/L).基于界面势垒的新型传感模式消除了其它离子的干扰,在自来水、河水以及海水中的Hg2+的加标回收率为97.3％ ～105.0％,RSD为1.8％ ～5.6％.这种利用p-n结势垒的方法可推广至其它检测重金属离子的传感器的开发研究.

摘要： 贝塔辐伏电池是能够将放射性同位素发出的贝塔射线转化为电能的装置,具有高环境适应性、超长寿命、超大功率密度、小体积、高稳定性等诸多优点,是MEMS(微机电系统)电源发展的重要研究方向.随着半导体制作工艺的发展,基于P-N结和肖特基结换能结构的贝塔辐伏电池表现出良好的应用前景.对贝塔辐伏电池的发展历史和研究现状进行了综述,并对其未来的发展进行了展望.

摘要： 谐波雷达是对非线性目标再辐射的谐波进行接收处理的雷达系统。本文讲述了谐波雷达的研究背景，对谐波雷达的原理进行了说明，给出了PN结再辐射特性的数学分析和频谱仿真结果，随后阐述了单频二次谐波雷达探测系统的设计。测试结果表明本设计能有效地检测出绝大多数含有PN结的电子装置。并且我们推断PN结再辐射谐波的强度与PN结是否形成回路有很大关系。

摘要： 谐波雷达是对非线性目标再辐射的谐波进行接收处理的雷达系统。本文讲述了谐波雷达的研究背景，对谐波雷达的原理进行了说明，给出了PN结再辐射特性的数学分析和频谱仿真结果，随后阐述了单频二次谐波雷达探测系统的设计。测试结果表明本设计能有效地检测出绝大多数含有PN结的电子装置。并且我们推断PN结再辐射谐波的强度与PN结是否形成回路有很大关系。

摘要： 谐波雷达是对非线性目标再辐射的谐波进行接收处理的雷达系统。本文讲述了谐波雷达的研究背景，对谐波雷达的原理进行了说明，给出了PN结再辐射特性的数学分析和频谱仿真结果，随后阐述了单频二次谐波雷达探测系统的设计。测试结果表明本设计能有效地检测出绝大多数含有PN结的电子装置。并且我们推断PN结再辐射谐波的强度与PN结是否形成回路有很大关系。

摘要： 谐波雷达是对非线性目标再辐射的谐波进行接收处理的雷达系统。本文讲述了谐波雷达的研究背景，对谐波雷达的原理进行了说明，给出了PN结再辐射特性的数学分析和频谱仿真结果，随后阐述了单频二次谐波雷达探测系统的设计。测试结果表明本设计能有效地检测出绝大多数含有PN结的电子装置。并且我们推断PN结再辐射谐波的强度与PN结是否形成回路有很大关系。

摘要： 在不同温度下,测量了PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了PN结的反向饱和电流值,实验发现高频硅二极管的反向饱和电流与温度具有指数关系,反向饱和电流随温度的升高,指数性地增加。

摘要： 在不同温度下,测量了PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了PN结的反向饱和电流值,实验发现高频硅二极管的反向饱和电流与温度具有指数关系,反向饱和电流随温度的升高,指数性地增加。

摘要： 在不同温度下,测量了PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了PN结的反向饱和电流值,实验发现高频硅二极管的反向饱和电流与温度具有指数关系,反向饱和电流随温度的升高,指数性地增加。

摘要： 在不同温度下,测量了PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了PN结的反向饱和电流值,实验发现高频硅二极管的反向饱和电流与温度具有指数关系,反向饱和电流随温度的升高,指数性地增加。

摘要： 在不同温度下,测量了PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了PN结的反向饱和电流值,实验发现高频硅二极管的反向饱和电流与温度具有指数关系,反向饱和电流随温度的升高,指数性地增加。

摘要： 用示波器观测几种二极管对交流信号的响应图形。为了理解图形的含义,对响应信号做了Fourier变换,这样学生认识到非线性元件对输入信号能产生高次谐波,即产生倍频和多倍频,加深了学生对非线性的理解,在非线性伏安特性测量实验中增加了上述内容,激发了学生的学习兴趣和创新能力,也让学生了解了现代非线性研究前沿问题。

摘要： 本申请提供了一种深PN结的形成方法与具有该深PN结的半导体器件。该形成方法包括：步骤S1，在硅衬底上外延生长形成外延层，硅衬底中的杂质离子与外延层中的杂质离子为反型离子；以及步骤S2，将外延层中的杂质离子向硅衬底中进行推进，形成推进层，推进层与外延层形成深PN结。该PN结的形成方法保证了同一批次的硅圆片内同一深度处杂质离子浓度的一致性，以及不同批次的硅圆片的掺杂浓度和结深的一致性；此外，该方法避免了现有技术中将P型或N型固态源基片与硅圆片需要分离造成的掺杂物残留的问题。

摘要： N型聚丙烯酰胺P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件。它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由P型硅片及其一侧表面上N型聚丙烯酰胺涂层组成。制造方法是在P型硅片表面上直接涂覆N型聚丙烯酰胺水溶液，待干燥后形成N型聚丙烯酰胺涂层。所述二极管由一个所述的PN结和两个电极组成；在P型硅片和N型聚丙烯酰胺涂层的内部或表面分别引出电极。对于单向电流，该PN结的伏安特性呈现出截止、恒流、导通三个稳定状态，应用该特性可以构造多值代数运算部件和多值逻辑部件。

摘要： P型聚丙烯酰胺N型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件，它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由N型硅片及其一侧表面上P型聚丙烯酰胺涂层组成。制造方法是在N型硅片表面上直接涂覆P型聚丙烯酰胺水溶液，待干燥后形成P型聚丙烯酰胺涂层。所述的二极管由一个所述PN结和两个电极组成；在P型聚丙烯酰胺涂层和N型硅片的内部或表面分别引出电极。对于单向电流，该PN结的伏安特性呈现出截止、恒流、导通三个稳定状态，应用该特性可以构造多值代数运算部件和多值逻辑部件。

摘要： 本申请揭示了PN结、PN结制备方法和调制器。一种PN结包括平板波导层和设置在平板波导层上的沿特定方向间隔排列的多个波导。平板波导层包括在特定方向上交替排列的P型掺杂区域和N型掺杂区域，且两个区域的交界处形成沿特定方向呈收尾相接的S型的载流子耗尽区。间隔排列的多个波导的每一个包括P型掺杂区域和N型掺杂区域，两个区域的交界处形成一个载流子耗尽区。间隔排列的多个波导的P型掺杂区域、N型掺杂区域和载流子耗尽区在平板波导区域表面的投影和平板波导层对应区域在平板波导区域表面的投影基本重合。该PN结的调制效率较高、光学损耗较低。可选地，该PN结可以采用倾斜角度离子注入掺杂实现，能够降低其制备成本。

摘要： 本申请提供了一种深PN结的形成方法与具有该深PN结的半导体器件。该形成方法包括：步骤S1，在硅衬底上外延生长形成外延层，硅衬底中的杂质离子与外延层中的杂质离子为反型离子；以及步骤S2，将外延层中的杂质离子向硅衬底中进行推进，形成推进层，推进层与外延层形成深PN结。该PN结的形成方法保证了同一批次的硅圆片内同一深度处杂质离子浓度的一致性，以及不同批次的硅圆片的掺杂浓度和结深的一致性；此外，该方法避免了现有技术中将P型或N型固态源基片与硅圆片需要分离造成的掺杂物残留的问题。

摘要： 本发明揭示了一种制作PN结隔离结构的方法，该方法包括以下步骤：在P型衬底上形成凸起部；在凸起部的表面上注入P型离子，形成第一P型掺杂区；在P型衬底上生长N型外延层；在N型外延层表面注入P型离子，形成在厚度方向上与第一P型掺杂区位置对应的第二P型掺杂区；使用高温退火进行驱入，使得N型外延层表面的第二P型掺杂区与凸起部表面的第一P型掺杂区对接，从而形成PN结隔离结构。本发明减小了结隔离结构的横向扩散，提高了半导体器件的集成度，也大大减少了驱入工艺所用的时间。本发明还揭示了一种PN结隔离结构。

摘要： 本发明实施例公开了一种制造PN结的方法，包括：获取基底材料；在基底材料上形成氮化镓层；在氮化镓层上形成第一铝镓氮层，其中铝的含量从靠近氮化镓层的部分到远离氮化镓层的部分线性变化；在第一铝镓氮层上形成第二铝镓氮层，其中铝的含量从靠近第一铝镓氮层的部分到远离第一铝镓氮层的部分按照与第一铝镓氮层中铝的含量线性变化方向相反的方向线性变化。本发明的实施例中，在氮化镓衬底上通过形成铝含量线性渐变的铝镓氮层，实现P型和N型掺杂，并制备成为PN结。不需要掺杂物，且实现的PN结中载流子浓度不受温度影响，制备工艺操作可控，简单易行，可重复性好。

摘要： P型聚丙烯酰胺N型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件，它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由N型硅片及其一侧表面上P型聚丙烯酰胺涂层组成。制造方法是在N型硅片表面上直接涂覆P型聚丙烯酰胺水溶液，待干燥后形成P型聚丙烯酰胺涂层。所述的二极管由一个所述PN结和两个电极组成；在P型聚丙烯酰胺涂层和N型硅片的内部或表面分别引出电极。对于单向电流，该PN结的伏安特性呈现出截止、恒流、导通三个稳定状态，应用该特性可以构造多值代数运算部件和多值逻辑部件。

摘要： N型聚丙烯酰胺P型硅异质三态输出PN结及制造方法并采用该PN结的二极管，它涉及半导体电子元器件。它解决了现有PN结及采用PN结的二极管对于单向电流不具备稳定的、可识别的、可传递的三态直接输出问题。所述PN结由P型硅片及其一侧表面上N型聚丙烯酰胺涂层组成。制造方法是在P型硅片表面上直接涂覆N型聚丙烯酰胺水溶液，待干燥后形成N型聚丙烯酰胺涂层。所述二极管由一个所述的PN结和两个电极组成；在P型硅片和N型聚丙烯酰胺涂层的内部或表面分别引出电极。对于单向电流，该PN结的伏安特性呈现出截止、恒流、导通三个稳定状态，应用该特性可以构造多值代数运算部件和多值逻辑部件。

摘要： 本发明涉及一种半导体器件(1a、1b、1c、1d、1e)，其具有至少一个发射极(2a、2b、2c)、至少一个基极(3a、3b、3c、3d、3e)，其中在发射极和基极(3a、3b、3c、3d、3e)之间构成pn结(4a、4b、4c)，半导体器件还具有至少一个非金属的横向导通层，用于横向引导发射极的多数载流子，其中发射极(2a、2b、2c)包围横向导通层和/或横向导通层平行于发射极(2a、2b、2c)并与发射极导电连接地构成，半导体器件还具有断裂侧，在断裂侧上半导体器件(1a、1b、1c、1d、1e)被分离。重要的是，在断裂侧上构成和设置横向导通避免区域(5a、5b、5c、5d、5e)，使得横向导通性至少以因数10减小，其中横向导通避免区域(5a、5b、5c、5d、5e)垂直于断裂侧并具有在5μm至500μm、特别是10μm至200μm的范围内的深度(TQ)。本发明还涉及一种用于分离半导体器件的方法。