离子注入机

摘要： “最不像房企”的房企。万业企业,一家在证监会行业分类里被归为房地产业的公司,2021年的股价却没有陪着各房企“躺平”,反而从3月的低点至今翻了两倍。自2020年旗下凯世通获得多个不同类型的12英寸低能大束流离子注入机和高能离子注入机订单后,万业企业布局多年的离子注入机业务终于开始给企业带来真金白银。近两年来,许多上市公司纷纷剥离地产业务争当“弄潮儿”,比如奥园美谷在剥离地产后转型医美,广宇发展拟剥离房地产业务转型新能源。

摘要： 离子注入机是将离子源产生的离子引出,通过电场和磁场的加速、筛选以及束流分布形状的调节,使离子束以一定的角度、能量均匀地注入硅片的装置。文章重点阐述离子注入机中的关键部件——热阴极溅射离子源的开发设计方法。热阴极溅射离子源可以产生固态金属离子,与已有的热阴极离子源在控制和安装上有良好的兼容性,很好地解决了在同一离子源上同时获得大电流金属离子束流与气态离子束流的矛盾。

摘要： 介绍了离子注入机用的最大电压为100 kV、引出电流为24 mA的吸极电源设计。由于吸极电源的电压非常高,电源的尺寸应尽量小;而且吸极电源的高压输出线要采用插拔方式,并对吸极电源的绝缘提出了非常高要求。为此,提出了一种双层的倍压结构设计和采用倍压整流电路整体部件化的设计方案。

摘要： 针对我国用于离子注入机的高压放大器输出峰值电压一般处于±10 kV的现状,研制了一种双极高速高压功率放大器,输出最大峰值电压为±20 kV,输出最大功率为400 W。为了提高耐压能力,功率管以双极型晶体管为主体,由MOSFET和IGBT串联,采用AB类工作模式通过推挽放大器的上、下两个功率管实现放大功能。经过仿真实验,实现了输出电压放大,同时实现了信号低噪声、响应频带宽、压摆率高、输出响应快等特性,对提高我国半导体设备水平以及国产化程度具有重要意义。

摘要： 采用系统辨识方法获得离子注入机分析器精确模型,然后将系统模型作为分析器控制器的前馈控制,提前预测控制输出,提高控制器的响应速度,并在此基础上增加反馈控制通道,用来修正模型误差和外界干扰.最后,将此控制方法应用于CIP300型离子注入机研发,自动调束的效率和成功率都有较大提升.

摘要： 离子注入机是集成电路制造的核心装备之一,本文重点介绍了当前集成电路领域离子注入机的分类和基本性能参数,描述了其系统组成以及相关的关键技术;同时,基于集成电路发展趋势,分析了集成电路离子注入机的发展趋势.

摘要： 运动控制系统在离子注入机系统中起到晶元机械传输、高精度位置控制、高精度的速度控制的作用.同时,位置测量、基于位置的数据采集和工艺流程的实施,均离不开运动控制技术的有力支撑.通过对运动控制基本原理的论述,结合PMAC光纤伺服系统、硬件系统架构和组成,完成了离子注入机的运动控制系统实施方案,并重点就全闭环、晶元定向和晶元MAP等关键技术予以展开.

摘要： 介绍了一种离子注入机用、最高电压达到350 kV的层叠开放式加速电源的研制方法.通过将倍压部分设计为层叠开放式、高集成化的倍压筒结构,实现了倍压筒的长期可靠性和绝缘性能,提升了高压电源的电压等级和整体性能.

摘要： 介绍了离子注入机的整体结构及典型离子束生成系统的结构与工作原理.以表格的形式给出了常见的故障现象、可能原因及处理方法,对未来离子束生成系统的维修具有一定的指导作用.

摘要： 离子注入机的基本原理是入射离子与半导体(靶)的原子核和电子不断发生碰撞,其方向改变,能量减少,经过一段曲折路径的运动后,因动能耗尽而停止在某处从而改变该处的电学特性以及实现掺杂.该文根据离子注入机各部分的不同作用,将离子体注入机分解为六个技术分支,具体包括离子源、离子筛选系统、加速结构(加速或减速)、束流系统(包括扫描、聚焦等调整注入前束流种类或参数的其他结构)、靶室、控制系统等,根据离子注入机领域产业的发展现状、多个关键技术领域的专利状况,分析了该领域的专利申请量和核心,同时对该领域未来发展趋势进行了预测.

摘要： 本工作在对HVF-4OO kV离子注入机控制与测量信号传输系统的改造中,解决了在地电位与高电位之间信号的稳定传输问题.主要采用AD650模块代替RC4152模块进行V-F、F-V转换以简化外围电路,采用与1mm塑料光纤相匹配的T1521、R2521模块进行电-光、光-电转换.电路输入输出端使用电压跟随器以提高阻抗匹配和抗干扰能力.实验结果表明,改造后的光纤传输系统,电压信号线性度好,可以正常而稳定地工作.

摘要： 介绍正在研制的氢氦离子注入机的结构和各部分的主要性能指标。rn 它的最高能量200keV,可以按一定比例同时用氢氦两种离子进行注入实验。该机经过调试,各项主要指标已达到设计要求,工作稳定可靠。

摘要： 本工作在对400keV 离子注入机控制与测量信号传输系统的改造中，解决了在地电位与高电位之间信号的稳定传输问题。主要采用AD650模块代替RC4152 模块进行V-F、F-V换以简化外围电路，采用与1mm塑料光纤相匹配的T1521、R2521 模块进行电-光、光-电转换。电路输入输出端使用电压跟随器以提高阻抗匹配和抗干扰能力。实验结果表明，改造后的光纤传输系统，电压信号线性度好，可以正常而稳定地工作。

摘要： HVE-400离子注入机是专门用于半导体材料硼磷参杂的离子注入设备.其离子源处于高电位,而离子源控制系统处于地电位,离子源控制信号与离子源各参数的测量信号需要在地电位与高电位之间通过光纤进行传输,以隔离高压.因光纤传输控制与监测系统年久老化不能稳定工作而进行升级改造.改造采用先进的分散集中控制方式代替原有的分散式单点控制方式,将所有的监测和控制功能集中到计算机上进行显示与操作.所有数据的收发采用光纤通信模式替换原来的单点分散模式.并且主控制系统还具有离子质量数自动换算、各部件联锁保护和自动引束等功能.系统具有可靠性高、抗干扰强和通讯速度快等特点,适用于强磁、强电和高压的应用环境.

摘要： HVE-400离子注入机是一台专门用于半导体离子注入的低能加速器.注入机出厂配备的注入靶室只能注入2英寸标准样品,为了满足现在广泛使用的4英寸样品注入需求和HPGe探测器研制需要,我们在适当增加一段漂移管道的基础上,新建了4英寸注入靶室,并对原来的厚样品注入靶室进行改造成为HPGe探测器研制等块状样品注入专用靶室.我们对新靶室扫描注入样品的均匀性进行了测量,结果表明,新建4英寸靶室扫描注入均匀性与2英寸注入靶室基本相当,不均匀性大约在3～4％左右.

摘要： 武汉大学加速器联机系统于2008年初步建成,200kV离子注入机至透射电镜束线进行了运行调试,开展了气体离子注入单晶Si、GaAs、Ag纳米晶和超临界反应堆材料(C276和6XN)的原位结构研究。结果表明,样品在注入至一定剂量时发生明显的多晶和非晶化,单晶Si出现非晶化的临界剂量在1014 cm-2。C276材料经1×1015cm-2的Ar离子辐照后,产生尺寸3-12nm的位错环,其密度随剂量的提高而增大,至5×1015cm-2出现多晶,剂量超过3×1016cm-2出现非晶化。rn 在加速器-电镜联机光路上安装有在线RBS靶室,用于对离子束辐照的材料进行元素成分和晶格定位测试。在靠近电镜端安装有50kV低能离子源,用于开展核材料中氦泡形成过程的原位观测。对RBS/C装置进行了数字化改造,用Labview控制系统运行,目前可进行计算机控制的背散射沟道测试。

摘要： 在武汉大学建立了我国首台加速器-电镜联机装置,该装置由美国GIC 2×1.7MV 串列加速器、国产200kV 离子注入机和日立H800 型透射电镜组成,经自行设计的离子传输管道进行了联机实验,离子传输系统用LEADS 软件进行了光路优化.来自串列加速器的离子束经开关磁铁后直接进入联机离子光路;来自离子注入机的离子束经90°磁偏转、磁四极透镜聚焦进入联机光路,直至电镜样品.用离子注入机进行了气体离子引入电镜及单晶Si、GaAs、Ag 纳米晶和超临界反应堆材料(C276 和6XN)的离子注入辐照实验.束流调试表明,115keV 氮离子在电镜入口测得束流强度达180nA,电镜样品可在倾斜52o 条件下进行离子辐照.加速器、离子注入机、透射电镜即可独立运行,互不影响,也可联机运行,满足注入样品原位观测微结构变化的要求.对单晶Si 和Ag 纳米晶样品的离子注入的原位结构观测结果表明,样品在注入至一定剂量时发生明显的多晶和非晶化,单晶Si 出现非晶化的临界剂量在1014 cm-2.C276 材料经1×1015cm-2 的Ar 离子辐照后,产生尺寸3~12nm的位错环,其密度随剂量的提高而增大,至5×1015cm-2 出现多晶,剂量超过3×1016cm-2 出现非晶化.在加速器-电镜联机光路上安装有在线RBS 靶室,用对离子束辐照的材料进行元素成分和晶格定位测试.在靠近电镜端安装有50kV 低能离子源,用于开展核材料中氦泡形成过程的原位观测.

摘要： 提高金属蒸汽真空弧（Metal vapor vacuum arc，MEVVA）离子源注入机的注入效率，大幅度降低注入成本是MEVVA源离子注入技术实用化的关键。为此设计研制了采用高占空比、大引出面积、凸形高透过率引出电极等技术的100型MEVVA源注入机。本文介绍了100型MEVVA源注入机的靶室结构和靶盘分布，100型MEVVA离子源的结构特点，测试了100型MEVVA源的主要参数，通过靶盘公转自转、0定位自转与45定位自转的复合注入，得到了相当均匀的大面积注入效果。从而为实现工业规模的金属离子注入提供了注入平台。

摘要： 离子辐照引起的材料微结构变化是一个复杂的过程,用加速器-电镜联机装置可原位观察载能离子束辐照引起的材料微结构演变。武汉大学加速器-电镜联机装置由1台2×1.7 MV串列加速器、1台200 kV离子注入机和1台200 kV透射电镜组成,通过自行设计的传输系统实现联机。本文介绍联机装置的光路布局,给出了静电加速器离子动力学计算程序LEADS优化计算的结果,提出了两种改进方案,并用LEADS对改造后的加速器-电镜联机中离子运动进行了计算。结果显示,调整现光路二单元四极透镜的同时,在200 kV注入机90°偏转磁铁至电镜之间增加1个二单元静电四极透镜,将提高该系统中离子束传输效率。

摘要： 研制了一台注入机用微波离子源，对离子源的磁场和微波传输系统进行了模拟计算，据此，对离子源进行了设计和改进。离子源最大工作电压100kV，可以引出40mA的氮离子。此离子源可以得到大面积的均匀的束流分布，均匀区最大直径约300mm。

摘要： 本发明公开了一种离子注入方法，包括步骤：步骤一、将晶圆放置在可旋转的基座上；步骤二、采用点状离子束流对晶圆进行离子注入，包括分步骤：步骤21、点状离子束流经过扫描装置扫描后形成扫描离子束流；步骤22、对晶圆进行旋转，采用扫描离子束流对旋转的晶圆进行离子注入从而在晶圆上形成多个径向分布的环形离子注入区或扇形离子注入区。本发明能实现对离子注入分布进行精确控制以及提高离子注入的均匀性。

摘要： 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF

摘要： 本发明公开了一种用于半导体器件离子注入工艺中离子注入转角的监控方法，包括依次连续对五片硅片执行预设角度相同，预设转角不同的离子注入；测量获得各硅片的热波值；将测得的各硅片注入转角和热波值形成V曲线；若V曲线符合设计标准，则执行生产作业；若V曲线不符合设计标准，则离子注入机进行角度校准后重复执行上述步骤。本发明能弥补现有技术无法检测离子注入转角，无法准确获得离子注入机是否需要校准导致注入剂量不均匀的缺陷，从而提高产能效率。

摘要： 一种离子注入机和一种对正离子和负离子均适用的离子注入方法。该离子注入机具有：离子分离器；质量分析器，用于按照预定方向偏转由离子分离器导入的离子，而无论离子的带电状态如何；以及极性转换器，用于按照离子的带电状态来改变质量分析器中磁场的通量方向。因此，不用更换离子注入机，就能在晶片中形成浅杂质层和深杂质层，使得仅用一台离子注入机就能注入BF

摘要： 本发明实施例提供一种离子注入机及离子注入机内衬的制作方法，属于半导体制造及离子注入领域。所述离子注入机至少包括：离子源和腔体，所述离子源与所述腔体相接；所述离子源用于发射离子束；所述腔体用于传输所述离子束；所述腔体的内壁上设有内衬；所述内衬设有凸型结构。所述离子注入机分散了离子束对防护内衬工作表面的冲击作用，延长了防护内衬的使用寿命，降低离子注入的制造成本。

摘要： 本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体而言，涉及离子注入机；本申请的目的在于提供一种离子注入机靶盘吊具及离子注入机，可以节省拆装靶盘时的人力和用时。其中，所述离子注入机靶盘吊具包括连接臂组件和靶盘连接板；所述连接臂组件包括连接臂和分别设置在所述连接臂两端的注入机连接部和连接板连接部；所述靶盘连接板包括靶盘连接部和设置在所述靶盘连接部的连接面上的至少一个凹槽，在所述凹槽中设有用以连接靶盘的连接孔；所述连接板连接部与所述靶盘连接部连接。另外，本申请提供的种离子注入机包括离子注入机本体和前述的离子注入机靶盘吊具，所述离子注入机靶盘吊具的注入机连接部与所述离子注入机本体固定连接。

摘要： 本实用新型涉及一种离子注入机的绝缘组件及离子注入机，其中绝缘组件包括筒形离子源绝缘套管以及绝缘保护套，绝缘保护套为断面呈T型的空心套筒结构，绝缘保护套分为环形外沿和垂直于环形外沿的圆筒型插入部，圆筒型插入部插入离子源绝缘套管的内腔中并对离子源绝缘套管的内壁进行遮挡，环形外沿覆盖在离子源绝缘套管一侧的外表面上。本实用新型通过在原有离子源绝缘套管上增设一个易于拆装且成本低的绝缘保护套来进行防护，避免了离子注入产生的微小物质在离子源绝缘套管上附着，可有效延长离子源绝缘套管的使用寿命；增设的绝缘保护套采用活动插入式安装结构，方便清洗拆卸或更换。

摘要： 本实用新型公开了一种离子注入机用护板，包括若干用于遮挡离子注入机工艺腔内壁的单元板，若干所述单元板可拆卸的设于工艺腔内。本实用新型还公开一种离子注入机，包括工艺腔，所述工艺腔内可拆卸的设有护板。本实用新型提供的离子注入机用护板及离子注入机，提高了离子注入机的稼动率。

摘要： 本实用新型公开了一种离子注入机、离子注入机的机械手臂及其互锁解除电路，互锁解除电路包括或非门、第一三极管、稳压二极管、开关、第一电源及机械手臂马达制动系统；或非门的输入端接收多路输入信号，或非门的输出端与第一三极管的基极电连接，第一三极管的发射极与稳压二极管的正极电连接，稳压二极管的负极以及第一电源均与第一三极管的集电极电连接，第一三极管的集电极与机械手臂马达制动系统电连接，开关与稳压二极管并联；机械手臂马达制动系统接收高电平信号时，制动马达，接收低电平信号时解除制动。本实用新型通过在互锁解除电路稳压二极管处并联接入开关，开关闭路时解除马达制动，避免了误操作的发生，提高了故障处理效率。

摘要： 离子注入机的监控装置和离子注入机系统，该监控装置包括操作面板和示波器，其中，操作面板包括输入部和输出部；输入部包括信号输入端和波形控制输入端；输出部包括第一频道信号输出端和第二频道信号输出端；示波器包括连接第一频道信号输出端的第一信道和连接第二频道信号输出端的第二信道。采用根据实用新型的监控装置，可以实现精确可靠的监控。